ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护<span style='color:red'>二极管</span>
  2026年4月2日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。  近年来,在工业设备和车载市场,高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地,系统(电路板、模块)层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面,随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展,IC对电气过载(EOS)和静电放电(ESD)的耐受能力呈下降趋势。因此,对于兼具“低电容(抑制高速通信时的信号劣化)”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中,微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而,降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系,因此如何兼顾通信质量和IC保护,成为亟待解决的课题。  对此,ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品,新产品不仅实现更低电容,还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口,需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF(双向)和0.48pF(单向)的超低电容特性。同时,与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比,其钳位电压*4降低了约40%,确保了优异的IC保护性能。  这些优势有助于提高各种高速数据通信设备(例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备,笔记本电脑和游戏机等消费电子产品)的可靠性。另外,DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求,还适用于采用SerDes*5通信的ADAS(高级驾驶辅助系统)、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。  新产品已于2026年3月开始量产(样品价格70日元/个,不含税),并已经开始网售,可通过AMEYA360商城购买,如有需要请联系AMEYA客服。  ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容,助力AI服务器、通信基础设施、自动驾驶系统等电子技术的发展,为实现安全、安心且舒适的数字社会贡献力量。  <产品阵容>  <应用示例>  适用于支持USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDS、MIPI D-PHY/C-PHY、车载SerDes以及车载以太网(10/100/1000Mbps)等各种接口的设备。  ◆工业设备:AI服务器、数据中心、路由器、光模块、5G/6G通信基站、FA设备用摄像头等  ◆消费电子:PC、服务器、USB加密狗、智能手机、平板电脑、游戏机、影音设备、通信天线等  ◆车载设备:ADAS(高级驾驶辅助系统)/AD(自动驾驶)/全景影像系统/倒车影像系统用的摄像头、车载信息娱乐系统、车身控制ECU、中控台(影音系统、显示屏)等。  <网售信息>  开始销售时间:2026年3月起  新产品在AMEYA360商城将逐步发售。  <术语解说>  *1) 动态电阻(Dynamic Resistance)  表示ESD保护二极管在保护IC时,其电压随电流变化的增量程度的指标,又称“交流电阻”。该值越小,表示即使流过相同的放电电流时,也能将引脚电压的上升幅度控制得越低,从而减轻IC承受的电气应力,提高保护性能。  *2) ESD保护二极管  用来保护电路免受过电压、浪涌和ESD(Electro-Static Discharge:静电放电)影响的半导体器件。通过吸收突发的电压和电流尖峰(浪涌),来防止电路损坏和误动作。在车载环境中,对于电气方面发生严重波动时的保护至关重要。  *3) 引脚间电容(Capacitance Between Terminals)  电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大,高速通信时信号就会劣化,因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。  *4) 钳位电压  ESD保护二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低,越可以有效地保护电路和设备,从而提高车载设备的可靠性。  *5) SerDes  成对使用IC实现大容量数据高速传输的通信方式。信息发送端的串行器(Serializer)将多个数字信号数据转换为一个高速串行信号发出,信息接收端的解串器(Deserializer)则将其还原为原始数据。因其能以数Gbps至数十Gbps的速度高速传输大量数据,而被广泛应用于PC、服务器及车载摄像头系统等的高速接口。
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发布时间:2026-04-02 15:58 阅读量:201 继续阅读>>
鲁光:TSS220A 车规级肖特基<span style='color:red'>二极管</span>
  鲁光TSS220A是一款车规级、贴片型肖特基二极管,遵循AEC-Q101汽车电子可靠性标准,具备低正向压降、超快开关速度、高浪涌耐受工作能力,专为汽车电子、工业电源、高频高效整流场景设计,兼顾小型化与高可靠性。  核心特性  1. 车规级高可靠性  通过AEC-Q101验证,耐受温度循环、湿度、振动与冲击,满足车载长效寿命要求。  2. 低损耗、高效率  低正向压降,导通损耗显著低于传统快恢复二极管,提升电源转换效率,降低系统温升。  3. 超快开关性能  反向恢复时间极短,开关损耗小、EMI更低,适配数百kHz高频电路。  二.特性曲线   三、典型应用场景  1. 汽车电子(核心应用)  1.1 车载电源:12V/24V蓄电池防反接保护、反向阻断。  1.2 车载充电机:OBC、DC-DC转换器次级整流/续流。  1.3 车身控制:ECU电源、传感器供电、雨刮/车窗电机驱动。  1.4 新能源汽车:BMS辅助电源、低压配电回路保护。  2. 工业与消费类电源  2.1 开关电源、适配器高频输出整流。  2.2 快充、移动电源同步整流/防倒灌。  2.3 LED驱动电源整流、续流、稳压。  3. 通用电路功能  3.1 高频整流、续流、钳位、检波。  3.2 电池供电设备低压降保护,延长续航。  3.3 接口电路ESD防护与浪涌吸收。  四、总结  鲁光TSS220A以2A/200V车规级规格、低VF、超快开关、高可靠为核心优势,完美匹配汽车电子与高效电源的严苛要求。在车载电源、LED驱动、工业高频整流等场景中,可有效提升效率、降低温升、简化保护电路,是中小功率高压高频整流的优秀选择。
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发布时间:2026-03-09 16:43 阅读量:330 继续阅读>>
一文详解如何根据电路需求选择合适的齐纳<span style='color:red'>二极管</span>
  齐纳二极管(Zener Diode)是一种特殊设计的二极管,其击穿电压固定,逆向工作时能够稳定维持该电压。本文将探讨如何根据电路需求选择合适的齐纳二极管,包括击穿电压、功率处理能力和稳定性等方面。  1. 齐纳二极管概述  1.1 定义  齐纳二极管是一种专用于稳压应用的二极管。在达到特定击穿电压后,它会维持一个几乎恒定的反向电压。  1.2 特性  稳定性:提供恒定的反向击穿电压。  电阻特性:在击穿电压下,可提供较低的内部电阻。  2. 如何选择合适的齐纳二极管  2.1 确定击穿电压  根据电路需求:首先需要确定所需的稳定反向电压值,以选择具有相应参数的齐纳二极管。  2.2 功率处理能力  功率评估:考虑电路中可能发生的功率波动,选择具有足够功率处理能力的齐纳二极管以保证正常运行。  2.3 稳定性和温度特性  稳定性要求:根据电路环境和应用需求,选取具有良好稳定性和温度特性的齐纳二极管。  3. 齐纳二极管的应用领域  3.1 稳压电路  电源稳压:用于提供恒定的输出电压。  模拟信号处理:在模拟电路中用于提供参考电压。  3.2 过压保护  电路保护:在过压情况下提供短路路径以保护其他元件。  4. 不同类型的齐纳二极管  4.1 常见型号  5%公差齐纳二极管:精度较低,通常用于一般的稳压应用。  1%公差齐纳二极管:精度较高,适用于对稳定性要求较高的应用。  选择合适的齐纳二极管至关重要,它直接影响到电路的稳定性和性能。通过了解击穿电压、功率处理能力和稳定性等关键参数,并结合实际电路需求进行选择,可以确保电路正常运行并提供所需的功能。
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发布时间:2026-02-26 16:05 阅读量:420 继续阅读>>
热保护型瞬态抑制<span style='color:red'>二极管</span>(TTVS) | 赛尔特(SETsafe | SETfuse)系列、参数
鲁光TSMAJ36CA 车规级TVS<span style='color:red'>二极管</span>
  在现代汽车电气架构中,无论是发动机启动、负载突变,还是严苛的电磁环境,都可能产生破坏性的瞬态过电压。鲁光TSMAJ36CA车规级TVS二极管,正是为应对这些而设计的电路保护核心元件,为汽车电子系统提供一道坚固、可靠的“过压防火墙”。  核心优势:  • 符合AEC-Q101标准,经历了全套的加速寿命测试、高低温循环等可靠性实验。  • 优异的钳位能力。  • 400W峰值脉冲功率能力,响应速度极快。  • 双向应用。  • 真空烧结。  二、特性曲线  三、典型车载应用场景  凭借36V的电压和车规级的可靠性,TSMAJ36CA在汽车电子系统中应用广泛。  1.车载电源总线保护:  作为第一级或次级保护器件,用于保护接在24V/28V电源总线上的车身控制模块、仪表盘、车载信息娱乐系统等,抑制产生的瞬态高压。  2.传感器与执行器接口保护:  汽车上的各类压力、位置、温度传感器以及喷油嘴、小型电机等执行器,其信号线和电源线易受干扰。将TSMAJ36CA置于接口处,可防护ESD和感应浪涌。  3.车载通信网络保护:  保护CAN、LIN 等车载网络总线,防止因开关感性负载引起的瞬态噪声干扰总线通信,保障整车网络通信的可靠性。  4.外部端口防护:  为USB充电端口等与外设连接的部位提供可靠的ESD和浪涌防护,防止因人员插拔引入的静电损坏内部电路。  四、总结  鲁光TSMAJ36CA TVS二极管是一款用于汽车电子保护解决方案。在汽车智能化浪潮中,选择此类经过验证的车规级保护器件,是提升产品核心竞争力的选择。
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发布时间:2026-01-26 09:46 阅读量:530 继续阅读>>
森国科创新推出PDFN8 * 8结合Cu-Clip封装碳化硅<span style='color:red'>二极管</span>,实现高功率密度新突破
  森国科最新推出的采用PDFN8*8封装并结合Cu-Clip(铜带)连接技术的碳化硅二极管,代表了公司在功率半导体封装技术领域的重要创新。这一创新解决方案针对高功率密度和高效率应用需求,通过优化封装结构和互连工艺,显著提升了产品性能。  01、PDFN8*8封装技术的核心优势  PDFN8*8封装作为一种紧凑型表面贴装技术,在功率半导体领域具有显著优势。这种封装尺寸仅为8mm x 8mm,比传统TO-220封装节省了约70%的安装空间,非常适合空间受限的高功率密度应用场景。  与更大尺寸的封装相比,PDFN8*8的低外形设计有助于减小布板面积,提高功率密度。这种封装还具有优异的热性能,通过底部大面积裸露焊盘,能有效将芯片产生的热量传导至PCB板,并散发到周围环境中。  02、Cu-Clip互连技术的革命性突破  Cu-Clip(铜带)互连技术是森国科此次创新的另一大亮点。与传统键合线技术相比,Cu-Clip技术通过扁平铜带替代传统的铝线或金线,实现了芯片与引脚之间的面接触连接。这一技术显著降低了封装内部的寄生电感,有助于减少开关损耗和电压过冲。传统键合线结构的寄生电感通常在几十nH,而Cu-Clip技术能将这一值降低至十几nH,从而提升高频开关性能。  Cu-Clip技术还改善了电流流动路径,显著降低了导通电阻。铜材料的高电导率和热导率使芯片能够承受更高的电流密度,同时提高散热效率,使器件能够在更高温度下可靠工作。  03、PDFN8*8 & Cu-Clip双重技术结合的协同效应  PDFN8*8封装与Cu-Clip技术的结合产生了显著的协同效应。这种组合充分发挥了碳化硅材料本身的优异特性——碳化硅的禁带宽度达3.2eV,击穿场强是硅的10倍,热导率也是硅的3倍。  --在热性能方面,Cu-Clip技术提供了优异的垂直散热路径,而PDFN8*8封装的底部散热焊盘则增强了水平方向的散热能力。双重散热机制确保了芯片结温保持在较低水平,提高了可靠性并延长了使用寿命。  --电性能方面,低寄生参数与紧凑封装布局相结合,使这款碳化硅二极管特别适合高频开关应用。测试数据显示,采用这种封装组合的碳化硅二极管开关损耗比传统硅基快恢复二极管降低约90%,效率提升显著。
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发布时间:2026-01-20 17:20 阅读量:501 继续阅读>>
森国科突破性推出SOD123封装1200V/1A碳化硅<span style='color:red'>二极管</span>
  深圳市森国科科技股份有限公司将原本用于硅基器件的小型封装SOD123成功应用于1200V/1A碳化硅二极管,这一突破彰显了其在碳化硅器件设计领域的领先实力。  在功率半导体领域,电压等级与器件尺寸通常呈正相关。传统硅基高压器件往往需要大型封装来满足散热和电气绝缘需求。森国科成功将1200V/1A碳化硅二极管集成到SOD123封装中,攻克了这一技术难题。SOD123封装的面积不到1平方毫米,却成功容纳了1200V耐压的碳化硅二极管芯片。这要求森国科在器件结构设计、材料选择和工艺实现上具备超强能力。在SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管中,森国科通过优化电场分布和电流路径,在极小空间内实现了高耐压和低漏电的平衡。封装工艺方面,森国科克服了小尺寸封装下的散热挑战装材料的匹配性,确保器件在高负载下仍能保持稳定工作。  森国科这款迷你型高压碳化硅二极管为众多应用场景带来新的可能。在高频ACF电路、小功率适配器、驱动部分自举电路和高频DC/DC电路等应用场合器件的小尺寸尤为宝贵。  森国科凭借这款SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管,向业界展示了其在碳化硅器件设计领域的深厚功底。未来,随着碳化硅技术在各个领域的渗透,森国科有望凭借其技术优势赢得更大市场份额,成为全球领先的功率半导体公司。
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发布时间:2026-01-20 11:44 阅读量:476 继续阅读>>
维安理想<span style='color:red'>二极管</span>控制器:电源系统的“保护+能效优化引擎”
  在全球数字化与能源效率转型的双重驱动下,电源管理系统正经历一场深刻的变革。传统二极管因其固有的高损耗、响应慢、散热差等问题,已成为制约现代电子系统实现更高效、更紧凑、更可靠目标的瓶颈。  理想二极管控制器,作为模拟“理想二极管”特性的集成电路,通过驱动外部MOSFET实现了近乎零损耗的单向导通与极速反向阻断,正迅速成为从汽车电子到数据中心等关键领域的“电源守护神”。  理想二极管控制器市场正处在稳健增长的黄金期。QYResearch数据显示,其全球市场规模将从2024年的2.32亿美元增长至2031年的3.14亿美元,期间年复合增长率约为4.5%。中国作为全球电子制造和创新的核心,将在这一增长中扮演至关重要的角色。  维安推出的工业和车规级理想二极管控制器 WP74XX 系列产品,可应用于汽车信息娱乐系统(数字仪表盘和主机)、汽车ADAS 系统、冗余电源设计、企业电源、光伏储能及工业自动化。  “核心增长驱动力  WAYON 理想二极管控制器  1.能效革命  能效革命:全球“碳中和”目标: 中国“双碳”、欧盟“绿色协议”等政策,迫使相关行业在寻求最高效的电源方案以降低能耗。理想二极管控制器可将正向导通压降低至20mV 甚至更低,相较于传统二极管0.3或0.7V的压降,在10A电流下可减少高达97%的功率损耗(从7W降至约0.2W),直接转化为显著的能源节约和更简单的热管理设计。  2.系统可靠性升级  在电信、数据中心、自动驾驶等关键领域,系统宕机代价高昂。理想二极管控制器是实现电源冗余(ORing)和负载无缝切换的核心,确保在主电源故障时,备用电源能在微秒级内无扰动介入,极大提升系统可靠性。  3.汽车电动化与智能化  汽车电气架构日益复杂(12V/24V/48V多电压并存),且对ADAS、信息娱乐等系统的电源纯净度和可靠性要求严苛。理想二极管控制器提供了宽电压范围(如3.2V-65V)、车规级可靠性(AEC-Q100)及快速瞬态响应(应对ISO 7637脉冲),是解决汽车电源保护痛点的关键技术。  “核心技术优势与客户价值  WAYON 理想二极管控制器  能效价值凸显  01  在大功率场景下(如新能源汽车、工业/服务器电源), 以一个输出12V/10A的电路系统为例。传统二极管正向压降导致3%-8%的功率损耗,10A电流下,每小时损耗7-12W;若用于100kW工业电源,年损耗电费可达8-15万元,数据中心是“电老虎”,任何一点效率提升都意义重大,理想二极管控制器在服务器电源模块、总线背板供电的ORing应用中,能直接降低损耗,实现更低的PUE(电源使用效率),此累积节能效果将极为可观。  可靠性倍增  02  除了ORing冗余,在电池防反接/防倒灌应用中,它能有效防止因电池安装错误或负载电容放电导致的系统损坏。其快速的瞬态响应能力,能够抵御汽车ISO7637标准中定义的电压浪涌脉冲,保护昂贵的车载传感器。  简化系统设计  03  低损耗意味着更少的发热,允许使用更小的散热器甚至无需散热,缩小系统体积,降低总成本。同时,集成多种保护功能(过压、过流、过温)也减少了外围电路复杂度。  “细分市场与应用前景  WAYON 理想二极管控制器  理想二极管控制器的应用几乎已渗透到所有需要高效、可靠电源管理的领域。
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发布时间:2026-01-12 13:22 阅读量:792 继续阅读>>
Littelfuse新品 | 专为12V电池防反接设计的保护器件TPSMB非对称瞬态抑制<span style='color:red'>二极管</span>
  Littelfuse宣布推出TPSMB非对称系列 瞬态抑制二极管 (TPSMB2412CA, TPSMB2616CA, TPSMB2818CA, TPSMB3018CA)。这些市场先行器件专为12V电池防反接保护而设计,相较于传统的对称双向TVS解决方案,具有更卓越的性能表现。  与通常需要多个组件的传统方法不同,TPSMB非对称系列提供了一项单组件解决方案,可保护防反接MOSFET、二极管和DC/DC转换器集成电路免受正负浪涌的损害。非对称箝位特性可确保负浪涌下的钳位电压大幅降低,使工程师能够选择额定值较低的MOSFET或二极管。这种方法降低了传导损耗,简化了设计,并且能降低整体BOM成本。  主要功能与特色  · 具有低正箝位电压(24-30V)和低负箝位电压(12-18V)的非对称保护;  · 单个器件取代多个齐纳二极管/瞬态抑制二极管,简化PCB设计;  · 高性能:600W峰值脉冲功率,<1ns响应时间,以及高达30kV的ESD耗散;  · 汽车认证:符合AEC-Q101标准,-65℃~175℃宽泛结温范围;· 紧凑型设计:DO-214AA表面贴装封装可优化电路板空间。  应用  TPSMB非对称系列非常适合各种需要12V电池防反接保护的汽车应用,包括  · 域和区域控制器;· 车身控制模块(BCM);  · 信息娱乐和照明系统;  · ECU和电动座椅;  · 发动机预紧式安全带;· ADAS系统。  Littelfuse产品营销总监Charlie Cai表示:“TPSMB非对称系列提供了业界首款专为12V电池防反接保护而设计的单组件解决方案。这些器件使客户能够使用低压MOSFET或二极管,从而降低传导损耗、简化电路设计并降低BOM成本,同时确保可靠的汽车系统保护。”  TPSMB非对称系列的推出扩展了Littelfuse的汽车保护产品组合,有助于满足现代汽车中12V电池系统不断变化的需求。  常见问答:TPSMB非对称系列瞬态抑制二极管  1. TPSMB非对称系列与传统瞬态抑制二极管相比有何不同?  TPSMB非对称系列采用非对称箝位,可在负浪涌期间显著降低钳位电压。与对称双向TVS解决方案相比,这种方法使设计人员能够使用额定值较低的MOSFET或二极管,从而降低传导损耗和BOM成本。  2. 这些器件最适合哪些应用?  这些瞬态抑制二极管专为汽车12V电池防反接保护而设计。典型用途包括域/区域控制器、ECU、信息娱乐系统、照明模块、电动座椅、ADAS和发动机预紧式安全带。  3. 该产品如何简化电路设计?  TPSMB非对称系列可用单个器件取代多个齐纳或瞬态抑制二极管。这样可以简化PCB布局,节省电路板空间,并增强系统可靠性,同时确保快速、高功率的浪涌保护。  4. TPSMB非对称系列瞬态抑制二极管是否符合汽车标准?  是的。该器件符合AEC-Q101标准,旨在满足汽车级浪涌和ESD要求,包括ISO 7637-2脉冲。这些性能确保了器件在要求苛刻的12V电池系统环境中提供可靠保护。
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发布时间:2025-12-23 11:11 阅读量:997 继续阅读>>
鲁光 LGE3D20065A 碳化硅<span style='color:red'>二极管</span>
  在追求高效能、高可靠性的现代电力电子领域,以碳化硅为代表的第三代半导体材料正扮演着越来越关键的角色。鲁光电子推出的LGE3D20065A碳化硅二极管,正是这一技术趋势下的代表性产品,以其卓越的性能参数,为众多高效能应用场景提供了理想的解决方案。  核心特性  1.电压/电流:650V / 20A,应对工业级应用游刃有余。  2.开关特性:近乎零的反向恢复时间与电荷。这是碳化硅的颠覆性优势,能彻底斩断开关损耗,尤其适合高频电路。  3.正向压降:最大仅1.7V,意味着更低的导通损耗,直接提升系统整体效率。  4.工作结温:宽达-55°C ~ +175°C。高温下性能稳定,可靠性倍增。  二、特性曲线  三、应用领域  这款器件是中大功率紧凑型设计的理想选择,尤其适用于:  1工业电源:高性能服务器电源、通信电源、模块化UPS。  2.能源转换:太阳能光伏优化器、储能系统DC-DC模块。  3.电机驱动:作为逆变器的续流二极管,提高驱动效率。  4. 不间断电源:用于高频在线式UPS的PFC和逆变单元,提升整机效率和功率密度。  四、总结  鲁光LGE3D20065A碳化硅二极管,以其650V/20A的额定规格、近乎零反向恢复的优异开关特性以及出色的高温稳定性,精准地契合了现代电力电子向高效、高频、高密度、高可靠发展的主流需求。
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发布时间:2025-12-12 14:53 阅读量:591 继续阅读>>

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