纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

Release time:2023-10-31
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:3281

  相比光耦,数字隔离器如今越来越流行,那么你真的会选数字隔离器吗?由于数字隔离器和光耦的功能基本相同,因此很多参数和光耦类似。但还有很多不一样之处,今天我们就结合Datasheet,来讲一讲数字隔离器的选型。

  从看Datasheet到提出问题

  既然谈到选型,就离不开Datasheet。Datasheet是芯片的说明书,每个产品的说明书都是循序渐进的,从概述到详细参数再到注意事项,Datasheet亦如此,它也有着固有格式,包括产品介绍、关键参数、通过的安规认证(隔离器关系到安全问题必须要有这项)、应用领域、器件基本信息(封装、尺寸)以及产品框图。

  那么,我们也应该循序渐进地逐步确定需求并缩小选型范围。

  拿到Datasheet第一步,就是先看第一页概述,这是对产品的总结,一般包括了参数和介绍等,让我们在短时间内得以迅速了解芯片的性能指标。选型和原型验证往往是系统设计时最花时间的,因此详细阅读并了解非常有助于我们前期筛选。

  然后,从应用角度出发,清晰了解应用具体需求及演进路线,一般Datasheet中都会具体列出适合的应用,比如汽车、光伏、电机、工业自动化等等。

  通过上述介绍,我们已经基本了解产品大致情况,对于应用而言,还需要有一些更为详细的参考,这就是我们接下来要聊的,数字隔离器都要看哪些参数?

  细数藏在参数里的门道

  对于数字隔离器来说,哪些参数值得关注?为了避免纸上谈兵,我们请教了纳芯微产品线总监叶健,深耕隔离器领域多年的他,完整见证了从光耦到数字隔离器的替代过程,提供了很多知识总结。他以纳芯微的NSI82xx-Q1SWWR系列高可靠性多通道超宽体数字隔离器为例,具体解读了数字隔离器的Datasheet。

  虽然Datasheet上存在隔离电压、CMTI、封装、速度、功耗、ESD等大量参数,让人眼花缭乱,但叶健也总结了应当重点观察的参数项。叶健结合纳芯微的产品列出了以下七个主要参数,不分先后。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  首先是隔离电压。隔离产品是一个安规器件,因此一定是围绕着安全进行选型,其中最主要的就是隔离电压的能力。比如纳芯微通过基本隔离、增强隔离等多种产品,覆盖了不同耐压范围,以满足客户不同的系统需求选型。

  其二是ESD。它是隔离芯片高可靠性的重要保证,对绝大多数芯片而言,ESD都是必须的,但也分强弱,而隔离芯片由于所处高压环境中,在系统中通常是处于高低压的接口处,因此ESD同样极为重要。纳芯微实现了8kV的HBM耐压能力,属于芯片级HBM ESD中最高等级。

  第三是CMTI。它是隔离产品另外一个重要指标,用以衡量芯片的抗瞬态干扰能力,也就是芯片在系统应用中的鲁棒性表现。CMTI具体是是指短时间电压上升或下降到可以破坏驱动器输出状态的值,瞬态干扰是由开关节点上的高 DV/DT 引起的,如果CMTI能力不够,可能会导致输出错误,甚至出现电路短路,影响系统安全。纳芯微隔离器的CMTI主要为±200kV/μs,部分型号甚至可达到±250kV/μs。

  第四是封装。这里的封装不止体现在尺寸上,而是与耐压或安规爬电间距等指标相关,也会根据客户的要求或系统要求提供不同芯片选型,但最终目标一定会是在更小尺寸、更高集成度情况下,同时能够满足安规要求。比如纳芯微就提供了包括SOP、SOW、SOWW等不同封装种类,满足不同安规要求,这点之后会细说。

  五是传输速率和延迟。它是数字隔离器高性能的体现,最高可以支持数百Mbps甚至达到Gbps的传输速率。不同通信标准和接口对于数据传输率要求不同,需要仔细审阅。但叶健也强调,无论是1Mbps还是150Mbps,对成本影响并不大,也正因此纳芯微的产品并没有根据传输速率设置更多的产品类别,而是基本都是一步到位做到了150Mbps,可以满足绝大部分应用需求。另外除了传输速率,在Datasheet中也会有时序相关的各类详细参数,这也是系统设计时需要考虑的。

  六是功耗。不过叶健表示,数字隔离器相对光耦而言,功耗已经实现极大降低,因此对于功耗的诉求相对不大,但Datasheet中还是会详细列出各种状况下的功耗指标。

  七是工作温度。工作温度与应用场景强相关,比如车规产品分了Grade 0到Grade 3四个等级,对应不同的温度要求,Grade 0需要覆盖的温度范围是-40℃~150℃,工规则根据不同的应用场景对温度有不同的要求,通常最高要求是-40℃~125℃等,这些都在Datasheet中有详细说明。

  封装的学问

  叶健强调,仅对隔离器而言,封装的影响很大,主要原因是封装的大小直接影响器件的耐压能力,因此这也是需要特别注意的地方。谁都愿意将产品小型化,但更高规格的隔离电压需要更宽的封装。也正因此,纳芯微推出包括普通、宽体以及超宽体的封装,超宽体封装的优势主要体现在两个指标上,一个是15mm爬电距离,另一个是8 kVrms的隔离耐压,增强型隔离器可以提供与两个串联的基本隔离器相当的绝缘水平,这可以满足一些特殊的应用需求,比如光伏逆变器等等。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  纳芯微不同种封装方式及详细指标都在Datasheet中列出

  简而言之,更大封装将允许更高的隔离电压规格。如果您可以选择更小的封装来满足系统的监管要求,那么更小的封装当然有助于节省板空间和成本。此外,您还需要考虑通信接口需要多少个隔离通道,因为通道数越高,封装类型就越重要。

  电气间隙(Clearance)和爬电距离(Creepage)是两个不同指标,电气间隙是两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间测得的最短空间距离,爬电距离则是指沿绝缘表面测得的两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间的最短距离。

  电气间隙和爬电距离受环境污染等级、海拔、CTI等影响,尤其是光伏、风电等野外恶劣环境下持续工作场景中,海拔和污染的影响很高。如何尽可能满足电气间隙和爬电距离的要求同时还能减少整体尺寸?纳芯微产品的CTI达到了600V,可以使得系统对爬电距离的要求降到最低,从而减少系统尺寸。

  安全标准至关重要

  光是满足参数标准,并不意味着选型结束,隔离器还要关注安全认证指标,作为安全相关产品,认证往往都会放在最醒目位置,比如纳芯微Datasheet第一页中就给出了其满足的安规认证标准,包括UL1577、CQC、CSA、VDE等不同认证体系。认证标准之所以重要,是因为制造商在选择带有认证标志的产品后,就可以很容易拿到系统的安规证书,使得产品放心地在全球范围内的使用和销售。

  UL1577标准是数字隔离器的关键元件级认证要求,适用于光隔离器、磁隔离器以及电容隔离器。为通过该标准的认证,器件必须承受隔离电压Viso(由制造商规定,通常为2.5kVrms或5kVrms)达1分钟。该规范还规定隔离器需要采用120%隔离电压进行100%生产测试,持续时间为1秒钟。

  另外,数字隔离器还需要参考CQC、CSA、VDE等地区性认证标准。

  安规认证背后,是严格的测试流程。需要经过包括老化测试,耐高压测试,抽样测试,宽温测试,寿命测试等各类测试,尤其是寿命测试,甚至需要半年以上才算一次完整的测试周期。

  通过机构认证并不意味结束,在产品量产时,还需要对每颗芯片进行测试。比如,纳芯微的每颗隔离器在出厂时都通过了高压测试,并且每季度还要进行批次性抽样测试。以完整的测试流程确保了隔离器件的安全可靠。

  写在最后

  Datasheet后半部分基本就是芯片的具体引脚布局图,特性指标,细节介绍,详细实测结果,应用指南,封装尺寸图,认证指南等等,为工程师在不同阶段的系统设计提供参考。

  由于隔离器件并不属于主芯片,因此使用过程中需要特别注意的事项不多,如果是主处理器等产品,Datasheet可能会有数百页之多。但隔离牵扯到至关重要的安全,因此还是需要工程师仔细完整的阅读所有相关信息。

  从分析纳芯微的Datasheet中,我们不光了解到数字隔离器的关键参数在选型中的作用,也包括安全标准介绍等基础知识,更是明显看到纳芯微乃至国产器件的进步,这一方面来自纳芯微对于研发的不断投入,也得益于其一直凭借贴近应用、贴近市场的方法论进行产品开发。

  总而言之,想要用好一款产品或技术,首先需要的是了解他,而了解的最好方式就是阅读Datasheet。

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纳芯微丨低资源占用、快速切换:单 Bank Flash MCU 在线升级方案解析
  随着智能产品进入规模化应用,现场固件更新能力已成为产品持续迭代的重要支撑。对于 MCU 系统而言,固件升级不仅要完成新版本程序写入,还需尽量降低升级过程对设备运行状态和用户使用体验的影响。  针对单 Bank Flash MCU 平台,本文提出一种不断电固件升级方案,通过软件架构设计实现安全、快速、用户低感知的现场固件更新,为单 Bank Flash MCU 提供在线升级能力。  01 方案背景  目前,MCU 常见固件升级方式包括 IAP(In Application Programming)、ISP(In System Programming)、双 Bank 升级、OTF(On The Fly)、LFU(Live Firmware Update)以及 LiveUpdate 等。其中,不断电升级通常要求系统在升级过程中保持业务运行,不依赖设备重启,并实现新旧固件的平稳切换。  现阶段,OTF 和 LFU 是较为常见的不断电升级方案,但通常依赖 MCU 具备双 Bank 架构的 Flash 存储器。而在实际应用中,单 Bank Flash MCU 仍然占据较大存量。由于单 Bank Flash 不具备动态 Bank 切换能力,如何在不依赖双 Bank Flash 架构的前提下,实现无停机、无复位、业务连续的现场固件升级,成为单 Bank Flash MCU 在线升级设计中的关键问题。  02 系统架构与核心技术点  由于单 Bank 架构的 Flash 不具备动态切换 Bank 或启动时自动切换 Bank 的功能,因此需增加 Bootload 程序,负责系统引导、启动选择及运行环境构建。Bootload 支持烧录 App 固件、读取 App 信息区、并为 App 区配置运行环境。  这种架构可支持多个 App 区,每个 App 区均设有独立的信息区。信息区用于存储对应固件分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度(Length)以及中断初始化程序等必要信息。  整体方案的组成框架如图 1.1 所示。需要实现的关键技术包括:  ① APP 区信息的保存与动态分析;  ② 切换 APP 区时的定点切换;  ③ 在主循环内更新主循环本身。  图 1.1 单 Bank 不断电升级方案框架  03 固件分区与信息提取  Bootload 与 App 区在运行过程中需动态读取固件信息,以便为后续执行的目标代码构建运行环境。需特别说明的是,Bootload 跳转至 App 区的机制与 App 区之间的跳转机制并不相同。在本文提供的方案中,Bootload 跳转至 App 区采用传统的 IAP 跳转方式;而 App 区之间的跳转则基于固定代码区的锁定机制,以确保跳转过程的安全性。  Flash 存储器需要通过 FMC 模块与 CPU 进行通信,Flash 在执行擦除操作时需耗费一定时间,若在此期间 CPU 发起对 Flash 的读取请求,将会因为等待 FMC 完成擦除而导致阻塞。  这引入了第一个需要解决的问题—— App 区内擦除 Flash 阻塞。为避免该问题,在擦除 Flash 时应避免 CPU 同时读取 Flash,相关操作需置于 SRAM 或 ITCM 中执行。  为简化实现流程,本方案将 App 区固定运行于 SRAM 中。Bootload 在启动阶段将 App 代码从 Flash 手动拷贝至 SRAM,从而有效避免擦写冲突,确保升级过程的稳定与可靠。  App 区的分区功能使用的是 Sct 分散加载脚本功能,如程序清单 1.1 所示。  程序清单 1.1 App 区的 Sct 文件  以 App0 为例,其分区信息与作用描述如表 1.1 所示。  表 1.1 App 区的分区功能描述  固件信息区 FIRM_DROM 用于存储程序清单 1.1 中各个分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度,以及用户自定义和其他辅助信息。这些信息通过编译器自动生成的全局环境变量进行记录,具体声明方式如程序清单 1.2 所示。  程序清单1.2 分区信息保存方法  清楚如何将 Load 地址拷贝到 Image 、和复制长度,即可动态搭建不同固件的运行环境。  04 固定代码区  堆栈污染防护机制  在 C 程序运行过程中,堆(Heap)用于程序源动态申请和释放临时变量,而栈(Stack)则用于在子函数调用或中断触发时保存临时变量、返回地址等上下文信息,通过“进栈-出栈”机制实现函数调用链的正确返回与运行环境恢复。  基于上述机制,引入本方案需解决第二个关键问题——App区相互跳转前后,堆栈中保存的返回地址与新固件无法对接,即“堆栈污染”问题。由于 App0 与 App1 区的代码随用户程序迭代而不断变化,若直接跳转极易因堆栈不一致导致系统异常。为此,方案引入固定代码区以保障跳转过程的稳定性。  固定代码区本质上位于 main() 函数内的主循环(如 while(1) )中。该循环具备一个重要特性:所有子函数执行完毕后均会返回至主循环入口,中断服务程序执行完毕后也同样返回到此位置。根据堆栈行为特点,当程序运行于主循环内部时,堆栈中不会保留函数调用信息,此时堆栈处于“最干净”状态,从而有效避免了跳转过程中的堆栈污染问题。  要做到这点,需要将 main() 放到 FIXCODE 区域内,然后 main 内部的初始化和主循环内统一调用子函数,增减的代码都在子函数内处理,让切换 App 区执行代码不发生偏移。如程序清单 1.3 所示。  程序清单 1.3  05 运行时固定代码区更新策略  FIXCODE 本身是 main() 和主循环,里面同样包含用户层的应用代码,所以更新固件这部分也同样需要更新到最新版本。本方案需要解决第三个关键问题——程序运行期间不能被擦除,否则会导致指令读成乱码,所以在更新固定代码区的操作要放在非固定代码区,且保证执行完后能回到正确的堆栈点。  图1.2 更新固定代码区  06 中断向量表与函数分区更新实现  中断处理包括中断向量表处理和中断函数处理。中断函数通过声明中断服务函数以及其调用的子函数分配到 RW_APP0_ITCM 区,这样就可以通过分区更新功能统一更新。本方案需要重点处理中断向量表。  中断向量表涉及的方面包含以下几处地方:  ① Sct 文件内声明的 RESET 区域,如程序清单 1.1 所示;  ② SDK 包内默认的中断向量表地址,包括 Flash 中断向量表和 VT_DTCM 的中断向量表;  ③ 在切换新固件的中断部分,准备好内存空间,最后修改 VTOR;  在第二点中,SDK 内对中断向量表的操作如程序清单 1.4 所示。  程序清单 1.4 SDK 包中断表处理  代码路径:interrupt.c  VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 是指固件的头部装载地址,需要留意的是,这个表里还包含了默认处理函数句柄以及 Reset 等前面不可屏蔽的处理函数。  SDK内默认将 VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 设置为 0x08000000,对每个 APP 区必须在 interrupt.h 内改为对应地址。  程序清单 1.3 内的函数实现的主要目的,是将存放在 DTCM 空间内的 vectorTableDTCM 表重初始化。  在 App 区内的操作流程如图 1.3 所示。可看到板级初始化做的是 App 本身所占用的中断表地址,而切换则是搭建新固件的中断表地址。  07 变量偏移防护与共享内存设计  由于业务逻辑要持续运行,所以对于关键的状态变量、计数变量等需要做特殊处理。这里就提出第四个问题——由于编译器为节省空间,会将变量紧密排序,从而导致全局变量在切换到新固件时产生不可预计的偏移。简单而言就是将这类需要继承的变量,存放在 ShareMemory 空间内,并以绝对地址的形式固定下来。这种方案相较于其他依赖编译器的固定方式最直接快速。
2026-06-04 10:23 reading:283
纳芯微丨AI 服务器电源功率密度提升,隔离采样芯片如何应对采样与保护挑战?
  随着 AI 服务器电源功率密度和运行频率持续提升,系统对关键节点电压、电流的采样精度、响应速度和隔离安全提出了更高要求。  在服务器电源系统中,从 AC/DC PFC 输入级到 DC/DC LLC 谐振级,各级功率转换均依赖精确的电压、电流监测数据,以支撑系统高效、稳定运行。在高压、高频、高功率密度工作条件下,如何在高压侧与低压控制侧之间实现可靠的物理隔离,并保障关键信号的准确、及时传输,成为系统设计中的重要问题。  隔离采样技术可在高压侧与低压控制侧之间建立安全隔离,同时实现电压、电流等关键信号的采集与传输,帮助降低高压串扰、雷击或瞬态过压等因素对低压控制电路的影响,并为系统控制与保护提供必要反馈。  01  隔离采样技术演进  从基础隔离到智能集成  纳芯微隔离采样产品矩阵体现了从基础隔离采样向集成化、智能化方向的演进。  以 0–2V 单端输入的 NSI1311 为起点,纳芯微隔离采样产品逐步向隔离电压采样、隔离电流采样和隔离比较器等方向拓展。  在隔离电压采样方向,产品由单端输入的 NSI1311,发展至差分输入的隔离运放 NSI1312 和差分输入的隔离 ADC NSI1316,进一步覆盖不同应用需求。随着产品迭代,集成化趋势更加明显。NSI36xx 系列将隔离 DC-DC 电源集成于采样芯片内部,有助于简化高压侧供电设计。其中,NSI36CxxR 版本进一步集成比较器和运放,可简化系统电路,并支持硬件过流、过压保护。  在隔离电流采样方向,产品由 NSI1300 演进至 NSI1400/1200C 系列,并推出了集成隔离电源的 NSI360x 系列。  面向快速响应和简化设计需求,纳芯微推出隔离比较器 NSI22C12。该产品集成窗口比较器、隔离通道及高压侧 LDO,可用于实现过压或过流保护,尤其适用于服务器电源 LLC 谐振腔的快速过流保护场景。  在服务器电源系统中,PFC 电路通常负责对输入交流电进行整形和升压,LLC 谐振拓扑随后完成 DC/DC 变换并形成最终输出。整个能量转换链路的安全、稳定运行,依赖于对关键节点电压和电流的精确监测。  纳芯微隔离采样芯片可部署于服务器电源各核心监测点,覆盖 PFC 输入电压/电流检测、PFC 输出电压检测、LLC 谐振腔电流检测与快速过流保护,以及 DC/DC 输出电流检测等环节,支持电源系统实现从输入到输出的全链路监测与保护。  02  三款新品详解  面向服务器电源的集成化设计  服务器电源对功率密度、可靠性和效率要求较高。围绕不同层面的设计挑战,纳芯微推出了三款新品。  首先是集成隔离电源的 NSI36xx 系列。相较于上一代 NSI13xx 系列,NSI36xx 系列进一步提升了集成度。传统方案通常需要分别为高压侧和低压侧设计供电电路,在浮地采样等场景下,设计复杂度和 PCB 占板面积较高。  NSI36xx 系列仅需在低压侧提供单一电源即可正常工作,可省去高压侧供电电路设计,降低电源设计复杂度,并节省约 30%–50% 的板上面积,在空间受限的服务器电源系统中具备应用优势。  NSI36CxxR 是该系列的差异化产品,集成内部比较器和单端准差分运放,可在百纳秒级时间内检测异常并触发保护机制,提升系统安全性和可靠性。  第二款新品是 0–4V 宽压输入的隔离电压采样运放 NSI1611。面向服务器电源向更高电压发展的趋势,NSI1611 将输入范围扩大一倍,有助于提升系统抗干扰能力和采样精度。  在相同扰动电压下,更宽的输入范围可降低扰动对采样结果的相对影响。同时,NSI1611 在保持 1GΩ 高阻输入的基础上拓宽输入范围,可进一步提升系统采样精度。  NSI1611 提供单端输出或比例输出版本。其中,比例输出版本可将后级参考电压直接接入芯片 Reference 引脚,由芯片完成差分转单端转换及简单自适应放大,帮助客户充分利用后级 ADC 满量程,提升整体采样精度。  第三款新品是面向快速保护设计的隔离比较器 NSI22C12。在服务器电源谐振腔过流采样中,传统方案通常采用 CT 方案或分立方案。CT 方案体积较大,输入端还需增加额外调理电路,会增加成本和 PCB 占板面积;在 DC 负载过流保护中,部分客户则采用普通比较器搭配高速光耦或数字隔离器的分立方案。  NSI22C12 采用单芯片集成设计,集成窗口比较器,支持正负阈值设定;同时集成内部隔离通道,比较后可直接输出隔离数字信号。其高压侧集成高压 LDO,供电范围为 3.1V 至 27V,可直接接入驱动供电,简化外围供电设计。  该产品保护延时最大仅 250 纳秒,可用于快速过压、过流检测,帮助服务器电源系统在异常工况下及时触发保护机制,提升系统控制的安全性和可靠性。  03  服务器电源应用  从PFC到DC/DC全链路保护  在典型服务器电源架构中,隔离采样芯片可部署于电能转换链路的关键环节,用于实现电压、电流检测及保护反馈。  电源系统通常始于 PFC 电路。PFC 电路负责对输入交流电进行整形和升压,优化电网供电质量,并为后级电路提供稳定的高压直流电源。纳芯微隔离采样芯片可部署于 PFC 输入端和输出端,实时监测输入电压/电流及输出电压,为 PFC 控制回路提供关键反馈信号。  随后,LLC 谐振电路完成 DC/DC 转换,将高压直流电转换为服务器主板所需的低压直流电。在这一环节,谐振腔电流检测与过流保护尤为关键。纳芯微隔离比较器 NSI22C12 凭借低于 250 纳秒的快速响应时间,可检测异常电流并触发保护机制,帮助降低功率器件损坏风险。  在输出端,DC/DC 输出电流检测同样需要高精度隔离采样。通过监测输出电流,电源管理系统可根据不同负载条件调整工作状态,提升系统运行效率与稳定性。  通过覆盖 PFC 输入/输出、LLC 谐振腔及 DC/DC 输出等关键环节,纳芯微隔离采样产品可支持服务器电源实现从输入到输出的全链路监测与保护。  04  精度、安全与成本  隔离采样的三重优势  纳芯微隔离采样芯片从采样精度、隔离安全和系统成本三个方面,为服务器电源设计提供支持。  在采样精度方面,NSI1611 系列输入偏置电压优化至 ±0.8mV,较前代产品的 ±1.5mV 进一步降低;增益温漂由前代的 45ppm/℃ 优化至 40ppm/℃,提升全温区精度稳定性。其采样带宽达到 330kHz,可适配 SiC、GaN 等高频开关器件控制需求,满足系统高动态响应要求;  在隔离安全方面,纳芯微“隔离+”产品提供高于基础隔离要求的安全等级,帮助系统建立高低压安全边界。NSI1611 系列隔离耐压可达 5700Vrms,最大浪涌隔离耐压 VIOSM 可达 10kV,可适配高温、高压等严苛应用环境;  在系统成本方面,集成隔离电源的 NSI36xx 系列可省去外置隔离电源模块,降低整体 BOM 成本约 10%–20%;同时可节省 PCB 面积约 30%–50%,有助于实现更小型化的电源设计。NSI1611 的单端输出信号可直接接入 MCU 的 ADC 接口,省去传统差分输出方案所需的后级运放及调理电路,进一步降低 BOM 成本和 PCB 布局复杂度。
2026-06-03 10:02 reading:307
纳芯微丨AI服务器电源揭秘 ,水有水源,算力有电源
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