兆易创新精彩亮相ICCAD，以存储技术赋能新一代智能可穿戴应用

Release time：2023-11-22
author：AMEYA360
source：兆易创新
reading：2461

　　日前，第29届中国集成电路设计业2023年会暨广州集成电路产业创新发展高峰论坛(ICCAD)圆满召开。兆易创新受邀出席盛会，与业界各领域的龙头企业齐聚一堂，共论集成电路产业发展新机遇与新挑战。

　　在同期IC设计与创新应用专题论坛上，兆易创新Flash事业部市场经理王欢在演讲环节表示：“经过10多年的潜心发展，兆易创新逐步打造多元化产品与应用领域的布局，积极开拓Flash、MCU、PMU、Sensor等产品线，以完善的应用覆盖能力和深厚的方案研发经验，赋能集成电路产业的高质量发展。”

兆易创新精彩亮相ICCAD，以存储技术赋能新一代智能可穿戴应用

　　在Flash领域，兆易创新是全球排名第一的无晶圆厂Flash供应商，NOR Flash市占率排名全球第三，且全线Flash产品均已通过车规级认证，在几乎所有需要代码存储的应用场景均可适用。基于此，兆易创新持续完善Flash产品规划，专注于全容量、高性能、高可靠、低功耗、小封装的Flash产品开发，为更多创新应用的底层技术赋能。

　　功耗降低、性能不减

　　GD25UF系列助力延长续航时间

　　当前，智能穿戴设备已成为电子消费市场增速最快的品类，随着技术水平的持续提高，也给人们的生活带来了更多的便捷与幸福感。集成了传感器、多媒体、无线通信、交互及存储等技术，智能可穿戴设备可以实现用户交互、生活娱乐、人体监测等多种功能，产品形态也囊括了智能眼镜、智能耳机、智能戒指、智能手环、智能手表、智能头盔等，并在持续丰富中。据MarketsAndMarkets的报告显示，全球可穿戴设备市场规模预计将在2021年的1161亿美元基础上增长到2026年的2654亿美元，并保持18%的年均复合增长率。

　　在现有市场上，应用续航能力一直是用户关注的重点。NOR Flash作为设备数据的存储载体，在可穿戴应用中有着高频率的数据读写操作，此时Flash的低功耗特性显得尤为关键。

　　面向这一需求，兆易创新在超低功耗存储领域持续耕耘并实现多系列量产。推出GD25UF系列NOR Flash，其具备1.2V核心供电与IO接口电压，提供超低功耗模式，相比1.8V NOR Flash功耗大幅降低，且在数据传输速度、读写功耗、可靠性等关键性能指标上均达到国际领先水平。与此同时，随着主芯片采用更先进的工艺制程，核心电压也降至1.2V，与GD25UF系列1.2V NOR Flash搭配使用相得益彰，可有效简化电源设计并优化系统成本，帮助可穿戴等小容量电池供电设备提高续航能力。因此，GD25UF系列被认为有望成为下一代可穿戴应用的理想选择。

兆易创新精彩亮相ICCAD，以存储技术赋能新一代智能可穿戴应用

　　开“卷”小封装Flash

　　可穿戴应用都说好

　　在市面常见的腕类穿戴、TWS耳机之外，智能可穿戴应用也在不断拓展产品形态，包括混合现实设备、智能戒指、智能运动鞋、智能服饰等产品也逐渐获得了消费者的追捧。以智能戒指为例，这类产品可以通过NFC绑定一部分门禁卡、便捷支付、身份识别等功能，该产品既要求Flash体积紧凑，也同时要求存储相当容量的系统代码和用户数据，因此Flash的封装尺寸需要更加小巧。

　　王欢表示：“在尺寸受限、日趋小型化，应用多样化的大环境下，兆易创新致力于缩小Flash封装体积、扩大同封装Flash产品容量范围以及增强Flash性能，从而适用于更多物联网设备。”例如兆易创新推出了采用1.2mm x 1.2mm USON6超小塑封封装、最大厚度仅为0.4mm的GD25WDxxK6系列NOR Flash，非常适合智能戒指、智能服饰等应用场景;更有采用FO-USON8先进封装的大容量小封装NOR Flash产品陆续上市，为腕类穿戴等应用提供大容量更小封装形式的选择。

兆易创新精彩亮相ICCAD，以存储技术赋能新一代智能可穿戴应用

　　毫无疑问，更好的Flash产品是打造更出色的智能可穿戴设备、更卓越的用户体验的底层基础之一。兆易创新Flash针对低功耗、小封装、高可靠等方向进行专门优化，使之持续满足下一代智能可穿戴应用的各种新功能，进而帮助客户获得商业成功。

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兆易创新亮相SNEC光伏展，以光储充全场景应用赋能数字能源变革
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兆易创新亮相SNEC光伏展，以光储充全场景应用赋能数字能源变革

　　6月3日，业界领先的半导体器件供应商兆易创新(GigaDevice)携光、储、充、AIDC全场景数字能源应用方案，亮相SNEC PV+ 第十九届(2026)国际太阳能光伏和智慧能源(上海)大会暨展览会5.1H—D335展台。　　此次展会，兆易创新以高性能MCU和模拟器件为基座，融合AI算法，将端侧AI赋能至各应用环节，充分展现其作为数字能源全域解决方案服务商的深厚技术实力。6月3日下午，兆易创新数字电源应用主管工程师叶鸽还将在国家会展中心上海洲际酒店多功能厅5+6带来《基于GD32G5系列MCU的10kW三相维也纳PFC方案》演讲，深度解析数字电源技术在能源领域的创新应用。　　当前，全球能源结构向绿色低碳转型持续深化，光伏、储能、充电基础设施、数据中心等正加速协同发展。新能源场景对高可靠、高集成、高智能的电源与主控芯片需求激增。面对能源产业数字化、智能化升级浪潮，兆易创新立足芯片底层技术创新，构建MCU、模拟芯片与存储产品协同的全场景布局，形成覆盖能源控制、电源管理、数据存储的一站式解决方案，为光储充产业高质量发展筑牢技术根基。　　覆盖光储充AIDC等核心场景　　打造全域数字能源方案　　本次展会，兆易创新聚焦光伏、储能、充电、AIDC等场景，集中展示多款标杆级应用方案，充分彰显其全场景覆盖能力。　　当前，光伏产业正从规模扩张转向技术驱动、安全智能、光储融合的高质量发展新阶段。其中，电弧安全隐患防控已成为刚需。兆易创新基于GD32H7/GD32G5系列MCU的AI直流拉弧检测方案覆盖多应用场景，以智能感知保障光伏系统安全运行。　　在储能领域，市场化驱动、场景多元化、智能管控已成为其发展的主旋律，户用、工商业、便携式储能，以及阳台储能需求的爆发，使BMS系统的安全性、可扩展性成为核心竞争要素。兆易创新基于GD32F527和GD32VW553 MCU的工商业储能BMS、基于GD30BM2016 BMS AFE芯片的高性价比工商储/户储解决方案、基于GD30BM1018和GD30BM3020工商储方案、以及基于GD30BM1118和GD30BM3022大型储能方案等，覆盖便携/阳台、户用、工商业、大型储能等多元场景，能够为储能系统提供高效控制与安全管理保障。　　与此同时，充电产业正朝着兆瓦超充、AI智能、光储充融合的高效互联互通方向发展。大功率快充与超充场景对高效PFC、多协议兼容及系统高可靠性提出了更高要求。兆易创新针对通信监控和功率控制领域，提供覆盖主流充电基础设施场景的MCU产品，满足行业对高效、智能、兼容的发展需求。同时，公司还推出了7kW直流充电桩、三相维也纳PFC等方案，以加速客户产品上市周期。　　而在人工智能数据中心(AIDC)领域，随着算力密度的激增，数字电源正朝着高功率密度、高转换效率与深度智能的方向演进。兆易创新紧跟高密度服务器电源需求，带来的12kW AI服务器电源等前沿方案，将推动下一代AI数据中心的高效运行。　　技术赋能，推动能源控制智能化革新　　从光伏到储能，从充电设施到AIDC，这些全场景化方案的高效落地，依托于兆易创新数字电源实验室强大的技术实力。该实验室占地200平米，拥有规范化的HIL(硬件在环)仿真平台，并配备80kVA供电能力。覆盖芯片功能验证至系统级闭环测试全流程。平台可精准模拟光伏、储能、充电桩等场景动态工况，高效完成功率控制芯片性能验证，为能源产品及方案落地提供全周期技术支撑。　　在持续完善研发验证体系的同时，兆易创新也以AI推动能源控制技术革新。公司中央研究院所设立的AI实验室，聚焦“MCU+边缘智能”，依托Arm® Cortex®-M7内核高性能MCU的强大算力支撑，实现轻量级AI模型在端侧实时推理，无需云端即可完成故障检测、负载识别等智能分析，让AI技术深度融入能源控制全流程，大幅提升系统响应速度与运行安全性。　　从芯片研发到成套系统方案，从单一应用到全域场景覆盖，兆易创新始终以技术创新为依托、以市场需求为导向，深耕数字能源赛道。此次亮相SNEC光伏展会，既是公司全栈解决方案的集中展示，也是公司芯片产品赋能数字能源升级的实力印证。
2026-06-04 09:14 reading：224
兆易创新将亮相 SNEC 2026 上海光伏展，聚焦光储新发展
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兆易创新将亮相 SNEC 2026 上海光伏展，聚焦光储新发展

　　6月3日-5日，第十九届国际太阳能光伏和智慧能源&储能和电池大会暨展览会将在国家会展中心(上海)隆重举行。作为全球极具影响力的国际化、专业化、规模化光伏储能盛会，本届展会以36万平方米展览面积，汇聚3000余家国内外企业，覆盖光伏、储能、智慧能源全产业链关键环节，是行业交流与成果展示的重要平台。　　深耕半导体领域，赋能数字能源革新。兆易创新将亮相本次行业盛会。展会期间，公司将在5.1H D335 展位集中展出依托高性能 MCU 、模拟产品打造的功率控制、储能、端侧AI等多元化应用方案，全面覆盖光伏储能等不同场景需求。诚邀行业同仁莅临交流，携手共启光储产业全新增长势能!　　演讲信息　　展位信息　　5.1H D335
2026-05-28 09:53 reading：420
兆易创新GD25LX128J系列车规SPI NOR Flash荣膺AEIF“2026国产车规芯片新品十强”
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兆易创新GD25LX128J系列车规SPI NOR Flash荣膺AEIF“2026国产车规芯片新品十强”

　　5月20日，兆易创新(GigaDevice)旗下GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash凭借卓越的技术创新性与市场表现，在第十三届汽车电子创新大会(AEIF 2026)高峰论坛上一举斩获“2026国产车规芯片新品十强”以及“汽车电子金芯奖 · 卓越产品奖”两大奖项，充分展现了兆易创新在国产车规存储芯片领域的硬核实力。　　在车载芯片国产化加速突破的行业背景下，主机及tier1零部件企业亟待选择一批质量过硬、性能稳定、供货可靠、有可控自主知识产权的芯片企业，作为合作对象。针对这一行业痛点，AEPC 汽车电子专业委员会(以下简称“AEPC”)推出行业首个综合性评价指标，暨“AEPC车规芯片健康指数标准”(AEPC standard for automotive Chip health index，简称 AsaChi “艾思齐”)，为整车厂、Tier1 厂商以及投融资机构的决策提供科学依据。“2026 TOP 10 国产车规芯片新品榜单”便是依据“艾思齐”标准，对《国产车规芯片可靠性分级目录(2026)》中收录的300余款车规芯片进行综合评选后得出。　　此次获奖的GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash可适用于智能网联、智能座舱、自动驾驶等对高性能有严格要求的应用，已批量供货于国内搭载最新导航辅助驾驶的各主流车型。该产品容量为128Mb，工作电压为1.8V，采用Octal SPI接口，支持DTR功能，最高时钟频率达200MHz，可实现400MB/s的数据吞吐率。芯片支持XIP(Execute-In-Place) 、DQS、DLP功能，以及ECC纠错及CRC校验，凭借高性能、高可靠性优势为智能网联与智能座舱提供了坚实的核心存储支撑。　　本次荣膺双奖不仅是业界对兆易创新在车规级存储领域长期投入与技术积淀的高度认可，更彰显了公司在国产汽车供应链中的关键价值。兆易创新还将持续深耕汽车电子赛道，携手整车及零部件企业，共同推动中国汽车芯片产业的安全、自主与高质量发展。
2026-05-21 09:40 reading：536
兆易创新推出全新三相栅极驱动器，多电压平台赋能电机驱动革新
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兆易创新推出全新三相栅极驱动器，多电压平台赋能电机驱动革新

　　5月19日，兆易创新(GigaDevice)推出三款全新三相无刷电机专用栅极驱动器——GD30DR1001、GD30DR1401以及GD30DR1901。产品精准覆盖了40V/120V/600V主流电压平台，凭借高集成度、强驱动能力及卓越的可靠性，为消费电子、家用电器、电动工具及工业设备提供一站式电机驱动解决方案。该新产品的发布，进一步扩充了兆易创新的电机驱动芯片版图，有利于打造更紧凑、更高效、更稳定的电机控制系统。　　覆盖多电压平台，精准匹配应用需求　　随着智能设备、电动工具及工业自动化对电机控制性能要求的不断提升，系统设计正面临更高的效率、可靠性与集成度挑战。兆易创新此次推出的三款模拟器件均基于三相独立半桥架构，兼容3.3V/5V逻辑输入，支持直接驱动MOSFET或IGBT功率器件，在简化系统设计的同时，有效降低整体BOM成本和开发复杂度。　　GD30DR1001是一款驱动P/N MOSFET功率管40V三相栅极驱动芯片，工作电源电压5.5V~40V，兼容3.3V/5V输入逻辑，集成5V LDO带载电流50mA，可为芯片内部逻辑和外部MCU供电。芯片内部集成欠压保护/输入直通保护等多种保护功能，内置60ns死区时间，并采用高度集成的SOP16/QFN16封装。该型号适用于落地风扇、空气净化器、小型泵阀等直流无刷电机应用。　　GD30DR1401是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片，专为驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或GaN而设计，悬浮偏移电压+120V，兼容3.3V/5V输入逻辑，集成5V LDO带载电流100mA以及12V的控制电路，输出电流能力IO+2.0A/-2.5A。内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于服务器风机、民用无人机、电动工具、园林工具、清洁电器、厨房电器等应用。　　GD30DR1901同样集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片，可驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或IGBT，悬浮偏移电压+600V，兼容3.3V/5V输入逻辑，集成5V LDO带载电流50mA，内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于个人护理、白色家电、工业变频器、高压风机/水泵、光伏逆变等应用。　　兼顾集成度、可靠性与易用性的设计优势　　GD30DR1001/GD30DR1401/GD30DR1901系列在架构设计与功能集成层面进行了系统性优化。通过在单芯片内整合关键功能模块，并引入完善的保护机制与标准化接口，该系列在简化系统设计的同时，进一步提升整体运行稳定性与开发效率。　　1.高集成架构，简化系统设计　　单芯片内集成LDO、死区控制及多种保护功能，部分型号内置自举二极管，有效减少外部二极管、分立电阻及稳压器件的使用。这一高度集成的设计不仅降低了BOM成本，同时显著简化PCB布局，提高系统紧凑性与整体可靠性。　　2.多重保护机制，提升系统鲁棒性　　器件内置完善的保护功能，包括欠压锁定(UVLO)、功率管直通防护以及LDO短路保护等，可有效避免低压驱动、上下管直通带来的潜在风险。结合–40°C至+125°C的宽工作温度范围，使其能够在高温及高电磁干扰环境下保持长期稳定运行，满足工业级应用需求。　　3.标准化接口设计，加速系统开发　　支持3.3V/5V逻辑输入接口，可直接与兆易创新GD32 MCU等主流微控制器连接，便于构建“MCU+Driver”的完整电机控制方案。标准化的接口与驱动架构有助于降低设计门槛，缩短开发周期，加快产品导入与量产进程。　　目前，GD30DR1001/GD30DR1401/GD30DR1901已全面开放样品申请并实现量产，全系列采用标准卷带封装形式，支持自动化生产需求，可助力客户快速实现产品落地、抢占市场先机。
2026-05-20 09:08 reading：526
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