6.68 亿颗!纳芯微汽车芯片出货创里程碑,赋能汽车照明新变革

Release time:2025-04-24
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:1609

  汽车照明与智能表面技术趋势与市场需求

  随着产业竞争重心从电动化向智能化转移,汽车产业发展进入“下半场”——2024 年下半年起,汽车行业正加速迈向智能化、自主化转型。这一趋势对汽车座舱领域提出全新技术需求,尤其在照明场景与智能表面技术的智能化、交互化应用方面,已呈现三大显著特征。这一趋势为汽车座舱领域提出了全新的技术需求,特别是在照明场景和智能表面技术的智能化与交互化应用方面呈现出三大显著特征。

  首先,智能化与交互化在重塑人车互动模式。传统机械按键正快速被触控、语音、手势等多模态交互方式所取代,显著提升了用户体验。现代多模态交互系统能够实现更自然、便捷的人机互动,如语音控制导航、手势调节音量等功能,充分满足了用户多样化需求。这种交互方式的升级不仅提高了操作便利性,更赋予了座舱更强的科技感和未来感。

  其次,轻量化与集成化需求日益凸显。最新的智能表面技术可将部件数量减少90%,PCB面积降低25%,有效减轻车身重量并提升能效。这种集成化设计使汽车内部结构更加紧凑,为中控台等区域集成更多功能模块创造了条件,同时也为车内空间优化提供了新的可能性。这种技术演进不仅响应了节能减排的行业要求,也满足了消费者对更大车内空间的期待。

  第三,个性化与场景化体验持续升级。内饰氛围灯正从单一色温向RGB动态光效演进,外饰灯则支持ADB、流水动画等高级功能。这些创新能够根据不同驾驶场景和用户偏好进行智能调整,例如在夜间行驶时自动切换为柔和光效,既提升了行车安全,又增强了科技感和仪式感。这种动态化的照明方案也正在成为汽车的重要卖点。

6.68 亿颗!纳芯微汽车芯片出货创里程碑,赋能汽车照明新变革

  纳芯微车规级芯片为照明技术创新赋能

  汽车照明系统从基础功能向智能化、交互化方向的转型,对核心驱动芯片提出了更高的要求。作为国内领先的汽车芯片供应商,纳芯微针对不同照明场景开发了系列化解决方案,持续推动行业技术创新。针对智能座舱氛围灯,纳芯微推出的NSUC1500-Q1LED驱动氛围灯驱动芯片采用高度集成化设计,单颗芯片集成了MCU、LDO、LIN-PHY和4路LED驱动四大功能模块。该芯片创新性地采用ARM Cortex-M3内核,相比行业普遍采用的M0内核,其哈佛架构带来的并行处理能力使运算效率提升了一倍,能够实时完成复杂的色彩矩阵计算,支持256色高精度调光需求。

6.68 亿颗!纳芯微汽车芯片出货创里程碑,赋能汽车照明新变革 

     纳芯微技术市场经理高峰谈到,针对LED行业普遍存在的红光高温衰减问题,芯片特别设计了第四冗余通道,通过并联驱动方式有效提升了系统可靠性。在温度补偿方面,芯片同时集成外部ADC采样和内置温度传感器双重监测机制,配合自主研发的温补算法,确保全温度范围内的色彩一致性。该芯片系统可满足CISPR 25 Class 5最高等级EMC认证。外饰照明系统方面,纳芯微也能提供完整的解决方案。尾灯驱动芯片突破传统设计限制,支持贯穿式尾灯12、16、24通道线性驱动,通过先进的级联技术可实现单系统265通道控制。其独有的热均摊(Thermal Sharing)专利技术通过优化热分布,使芯片温升降低30%,大幅提升了系统稳定性。芯片的全场景保护包括LED开短路检测、通信失效自动恢复,确保照明系统的安全可靠。

  前照灯驱动方案NSL31系列则采用双极电源架构,支持65V高压输入和1.6A大电流输出,特别适配ADB矩阵大灯的像素级精确调光需求。该系列产品均已通过最严苛的EMC测试认证,能够满足各类复杂外饰照明场景的技术要求。

  高峰说,在产业化方面,纳芯微也建立了显著的市场竞争优势。公司提供从芯片到系统的完整参考设计,包括EMC解决方案、开发评估板和配套工具链,帮助客户缩短产品开发周期。

  在供应链安全备受关注的背景下,纳芯微实现了全流程国产化替代和供应链安全可控,保障客户量产稳定性。更值得一提的是,公司创新性地采用ASSP定制化合作模式,与头部车企深度协同,共同定义芯片规格参数,确保产品精准匹配市场需求。目前,纳芯微的照明驱动芯片已在多款热销车型中实现规模化应用,涵盖从经济型到豪华型的全价格带产品。

  纳芯微智能表面SoC三位一体解决方案创新探索

  在汽车智能化浪潮中,智能表面作为人机交互的重要载体,其技术复杂度远超传统氛围灯系统。纳芯微基于对智能表面架构的深入理解,创新性地提出了“感知-控制-执行”三位一体的SoC解决方案,为行业提供了全新的技术路径。

  从系统架构来看,智能表面可分为三个关键层级:感知层采用高精度传感技术,支持电容触控、压力检测、压电感应等多种交互方式;控制层采用高性能处理器实现信号处理、逻辑判断和系统调度等核心功能;执行层则通过多通道驱动电路,精准控制RGB灯效、触觉反馈等输出。这种分层设计既保证了系统可靠性,又提升了响应速度。

  高峰提到,针对实际应用场景,纳芯微提出的解决方案展现出卓越的适应性。以空调控制面板为例,纳芯微基于Cortex M3内核的智能表面SoC可驱动多组RGB灯珠,通过红蓝双色清晰区分温区状态;在门锁控制模块,三色指示灯可实时反馈闭锁状态。此外,多通道RGB LED驱动的MCU内核除用于外部LED混色算法和校准外,还支持LED灯珠的温度补偿功能和短路,断路和阈值电压监测等全功能诊断。

  他表示:“纳芯微采用开放的ASSP合作模式,希望结合应用与Tier1伙伴共同定义芯片规格,为客户的产品带来差异化竞争优势。”

  未来展望与战略布局

  随着汽车电气化进程加速,48V系统正迎来快速发展期。伴随电气架构升级,高压系统将催生更多创新应用场景,这对芯片性能提出了更高要求。纳芯微敏锐把握这一趋势,已率先布局高压平台解决方案,涵盖前照灯、电气系统隔离驱动等关键品类,以满足日益增长的48V车型技术需求。

  高峰表示,在智能化交互领域,AI技术正重塑汽车照明体验。通过将光效与用户行为、语音交互深度联动,照明系统正从静态功能向动态智能转变。纳芯微正在探索新一代智能驱动芯片,以实时感知环境变化和用户习惯,实现自适应光效调节,打造更具情感化的交互体验。

  纳芯微目前可以提供丰富的车规级解决方案,不仅聚焦于智能座舱和外饰需求,还为智能网联/驾驶、车身控制、照明、底盘安全驱动、燃油/混动车动力总成和逆变器动力总成以及三电和热管理领域提供全面的解决方案。2024年汽车电子出货量3.63亿颗;截止2024年,累计汽车电子出货量6.68亿颗,这一里程碑印证了其在国产汽车模拟芯片领域的领先地位。

  纳芯微将坚持“芯片+生态”的发展战略:一方面深化从驱动IC到全场景照明解决方案的产品布局;另一方面通过技术创新和国产化替代,助力客户实现智能化、轻量化以及差异化的照明产品和交互体验。“我们的目标是成为汽车照明全栈解决方案领导者,推动中国汽车电子产业整体升级。”他分享道。

  在智能化浪潮下,纳芯微将与产业链伙伴共建创新生态,为全球汽车产业转型贡献中国芯片解决方案。我们相信,通过芯片技术的持续突破,将助力车企打造更安全、更智能、更具情感化的未来出行新体验。


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纳芯微丨低资源占用、快速切换:单 Bank Flash MCU 在线升级方案解析
  随着智能产品进入规模化应用,现场固件更新能力已成为产品持续迭代的重要支撑。对于 MCU 系统而言,固件升级不仅要完成新版本程序写入,还需尽量降低升级过程对设备运行状态和用户使用体验的影响。  针对单 Bank Flash MCU 平台,本文提出一种不断电固件升级方案,通过软件架构设计实现安全、快速、用户低感知的现场固件更新,为单 Bank Flash MCU 提供在线升级能力。  01 方案背景  目前,MCU 常见固件升级方式包括 IAP(In Application Programming)、ISP(In System Programming)、双 Bank 升级、OTF(On The Fly)、LFU(Live Firmware Update)以及 LiveUpdate 等。其中,不断电升级通常要求系统在升级过程中保持业务运行,不依赖设备重启,并实现新旧固件的平稳切换。  现阶段,OTF 和 LFU 是较为常见的不断电升级方案,但通常依赖 MCU 具备双 Bank 架构的 Flash 存储器。而在实际应用中,单 Bank Flash MCU 仍然占据较大存量。由于单 Bank Flash 不具备动态 Bank 切换能力,如何在不依赖双 Bank Flash 架构的前提下,实现无停机、无复位、业务连续的现场固件升级,成为单 Bank Flash MCU 在线升级设计中的关键问题。  02 系统架构与核心技术点  由于单 Bank 架构的 Flash 不具备动态切换 Bank 或启动时自动切换 Bank 的功能,因此需增加 Bootload 程序,负责系统引导、启动选择及运行环境构建。Bootload 支持烧录 App 固件、读取 App 信息区、并为 App 区配置运行环境。  这种架构可支持多个 App 区,每个 App 区均设有独立的信息区。信息区用于存储对应固件分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度(Length)以及中断初始化程序等必要信息。  整体方案的组成框架如图 1.1 所示。需要实现的关键技术包括:  ① APP 区信息的保存与动态分析;  ② 切换 APP 区时的定点切换;  ③ 在主循环内更新主循环本身。  图 1.1 单 Bank 不断电升级方案框架  03 固件分区与信息提取  Bootload 与 App 区在运行过程中需动态读取固件信息,以便为后续执行的目标代码构建运行环境。需特别说明的是,Bootload 跳转至 App 区的机制与 App 区之间的跳转机制并不相同。在本文提供的方案中,Bootload 跳转至 App 区采用传统的 IAP 跳转方式;而 App 区之间的跳转则基于固定代码区的锁定机制,以确保跳转过程的安全性。  Flash 存储器需要通过 FMC 模块与 CPU 进行通信,Flash 在执行擦除操作时需耗费一定时间,若在此期间 CPU 发起对 Flash 的读取请求,将会因为等待 FMC 完成擦除而导致阻塞。  这引入了第一个需要解决的问题—— App 区内擦除 Flash 阻塞。为避免该问题,在擦除 Flash 时应避免 CPU 同时读取 Flash,相关操作需置于 SRAM 或 ITCM 中执行。  为简化实现流程,本方案将 App 区固定运行于 SRAM 中。Bootload 在启动阶段将 App 代码从 Flash 手动拷贝至 SRAM,从而有效避免擦写冲突,确保升级过程的稳定与可靠。  App 区的分区功能使用的是 Sct 分散加载脚本功能,如程序清单 1.1 所示。  程序清单 1.1 App 区的 Sct 文件  以 App0 为例,其分区信息与作用描述如表 1.1 所示。  表 1.1 App 区的分区功能描述  固件信息区 FIRM_DROM 用于存储程序清单 1.1 中各个分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度,以及用户自定义和其他辅助信息。这些信息通过编译器自动生成的全局环境变量进行记录,具体声明方式如程序清单 1.2 所示。  程序清单1.2 分区信息保存方法  清楚如何将 Load 地址拷贝到 Image 、和复制长度,即可动态搭建不同固件的运行环境。  04 固定代码区  堆栈污染防护机制  在 C 程序运行过程中,堆(Heap)用于程序源动态申请和释放临时变量,而栈(Stack)则用于在子函数调用或中断触发时保存临时变量、返回地址等上下文信息,通过“进栈-出栈”机制实现函数调用链的正确返回与运行环境恢复。  基于上述机制,引入本方案需解决第二个关键问题——App区相互跳转前后,堆栈中保存的返回地址与新固件无法对接,即“堆栈污染”问题。由于 App0 与 App1 区的代码随用户程序迭代而不断变化,若直接跳转极易因堆栈不一致导致系统异常。为此,方案引入固定代码区以保障跳转过程的稳定性。  固定代码区本质上位于 main() 函数内的主循环(如 while(1) )中。该循环具备一个重要特性:所有子函数执行完毕后均会返回至主循环入口,中断服务程序执行完毕后也同样返回到此位置。根据堆栈行为特点,当程序运行于主循环内部时,堆栈中不会保留函数调用信息,此时堆栈处于“最干净”状态,从而有效避免了跳转过程中的堆栈污染问题。  要做到这点,需要将 main() 放到 FIXCODE 区域内,然后 main 内部的初始化和主循环内统一调用子函数,增减的代码都在子函数内处理,让切换 App 区执行代码不发生偏移。如程序清单 1.3 所示。  程序清单 1.3  05 运行时固定代码区更新策略  FIXCODE 本身是 main() 和主循环,里面同样包含用户层的应用代码,所以更新固件这部分也同样需要更新到最新版本。本方案需要解决第三个关键问题——程序运行期间不能被擦除,否则会导致指令读成乱码,所以在更新固定代码区的操作要放在非固定代码区,且保证执行完后能回到正确的堆栈点。  图1.2 更新固定代码区  06 中断向量表与函数分区更新实现  中断处理包括中断向量表处理和中断函数处理。中断函数通过声明中断服务函数以及其调用的子函数分配到 RW_APP0_ITCM 区,这样就可以通过分区更新功能统一更新。本方案需要重点处理中断向量表。  中断向量表涉及的方面包含以下几处地方:  ① Sct 文件内声明的 RESET 区域,如程序清单 1.1 所示;  ② SDK 包内默认的中断向量表地址,包括 Flash 中断向量表和 VT_DTCM 的中断向量表;  ③ 在切换新固件的中断部分,准备好内存空间,最后修改 VTOR;  在第二点中,SDK 内对中断向量表的操作如程序清单 1.4 所示。  程序清单 1.4 SDK 包中断表处理  代码路径:interrupt.c  VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 是指固件的头部装载地址,需要留意的是,这个表里还包含了默认处理函数句柄以及 Reset 等前面不可屏蔽的处理函数。  SDK内默认将 VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 设置为 0x08000000,对每个 APP 区必须在 interrupt.h 内改为对应地址。  程序清单 1.3 内的函数实现的主要目的,是将存放在 DTCM 空间内的 vectorTableDTCM 表重初始化。  在 App 区内的操作流程如图 1.3 所示。可看到板级初始化做的是 App 本身所占用的中断表地址,而切换则是搭建新固件的中断表地址。  07 变量偏移防护与共享内存设计  由于业务逻辑要持续运行,所以对于关键的状态变量、计数变量等需要做特殊处理。这里就提出第四个问题——由于编译器为节省空间,会将变量紧密排序,从而导致全局变量在切换到新固件时产生不可预计的偏移。简单而言就是将这类需要继承的变量,存放在 ShareMemory 空间内,并以绝对地址的形式固定下来。这种方案相较于其他依赖编译器的固定方式最直接快速。
2026-06-04 10:23 reading:280
纳芯微丨AI 服务器电源功率密度提升,隔离采样芯片如何应对采样与保护挑战?
  随着 AI 服务器电源功率密度和运行频率持续提升,系统对关键节点电压、电流的采样精度、响应速度和隔离安全提出了更高要求。  在服务器电源系统中,从 AC/DC PFC 输入级到 DC/DC LLC 谐振级,各级功率转换均依赖精确的电压、电流监测数据,以支撑系统高效、稳定运行。在高压、高频、高功率密度工作条件下,如何在高压侧与低压控制侧之间实现可靠的物理隔离,并保障关键信号的准确、及时传输,成为系统设计中的重要问题。  隔离采样技术可在高压侧与低压控制侧之间建立安全隔离,同时实现电压、电流等关键信号的采集与传输,帮助降低高压串扰、雷击或瞬态过压等因素对低压控制电路的影响,并为系统控制与保护提供必要反馈。  01  隔离采样技术演进  从基础隔离到智能集成  纳芯微隔离采样产品矩阵体现了从基础隔离采样向集成化、智能化方向的演进。  以 0–2V 单端输入的 NSI1311 为起点,纳芯微隔离采样产品逐步向隔离电压采样、隔离电流采样和隔离比较器等方向拓展。  在隔离电压采样方向,产品由单端输入的 NSI1311,发展至差分输入的隔离运放 NSI1312 和差分输入的隔离 ADC NSI1316,进一步覆盖不同应用需求。随着产品迭代,集成化趋势更加明显。NSI36xx 系列将隔离 DC-DC 电源集成于采样芯片内部,有助于简化高压侧供电设计。其中,NSI36CxxR 版本进一步集成比较器和运放,可简化系统电路,并支持硬件过流、过压保护。  在隔离电流采样方向,产品由 NSI1300 演进至 NSI1400/1200C 系列,并推出了集成隔离电源的 NSI360x 系列。  面向快速响应和简化设计需求,纳芯微推出隔离比较器 NSI22C12。该产品集成窗口比较器、隔离通道及高压侧 LDO,可用于实现过压或过流保护,尤其适用于服务器电源 LLC 谐振腔的快速过流保护场景。  在服务器电源系统中,PFC 电路通常负责对输入交流电进行整形和升压,LLC 谐振拓扑随后完成 DC/DC 变换并形成最终输出。整个能量转换链路的安全、稳定运行,依赖于对关键节点电压和电流的精确监测。  纳芯微隔离采样芯片可部署于服务器电源各核心监测点,覆盖 PFC 输入电压/电流检测、PFC 输出电压检测、LLC 谐振腔电流检测与快速过流保护,以及 DC/DC 输出电流检测等环节,支持电源系统实现从输入到输出的全链路监测与保护。  02  三款新品详解  面向服务器电源的集成化设计  服务器电源对功率密度、可靠性和效率要求较高。围绕不同层面的设计挑战,纳芯微推出了三款新品。  首先是集成隔离电源的 NSI36xx 系列。相较于上一代 NSI13xx 系列,NSI36xx 系列进一步提升了集成度。传统方案通常需要分别为高压侧和低压侧设计供电电路,在浮地采样等场景下,设计复杂度和 PCB 占板面积较高。  NSI36xx 系列仅需在低压侧提供单一电源即可正常工作,可省去高压侧供电电路设计,降低电源设计复杂度,并节省约 30%–50% 的板上面积,在空间受限的服务器电源系统中具备应用优势。  NSI36CxxR 是该系列的差异化产品,集成内部比较器和单端准差分运放,可在百纳秒级时间内检测异常并触发保护机制,提升系统安全性和可靠性。  第二款新品是 0–4V 宽压输入的隔离电压采样运放 NSI1611。面向服务器电源向更高电压发展的趋势,NSI1611 将输入范围扩大一倍,有助于提升系统抗干扰能力和采样精度。  在相同扰动电压下,更宽的输入范围可降低扰动对采样结果的相对影响。同时,NSI1611 在保持 1GΩ 高阻输入的基础上拓宽输入范围,可进一步提升系统采样精度。  NSI1611 提供单端输出或比例输出版本。其中,比例输出版本可将后级参考电压直接接入芯片 Reference 引脚,由芯片完成差分转单端转换及简单自适应放大,帮助客户充分利用后级 ADC 满量程,提升整体采样精度。  第三款新品是面向快速保护设计的隔离比较器 NSI22C12。在服务器电源谐振腔过流采样中,传统方案通常采用 CT 方案或分立方案。CT 方案体积较大,输入端还需增加额外调理电路,会增加成本和 PCB 占板面积;在 DC 负载过流保护中,部分客户则采用普通比较器搭配高速光耦或数字隔离器的分立方案。  NSI22C12 采用单芯片集成设计,集成窗口比较器,支持正负阈值设定;同时集成内部隔离通道,比较后可直接输出隔离数字信号。其高压侧集成高压 LDO,供电范围为 3.1V 至 27V,可直接接入驱动供电,简化外围供电设计。  该产品保护延时最大仅 250 纳秒,可用于快速过压、过流检测,帮助服务器电源系统在异常工况下及时触发保护机制,提升系统控制的安全性和可靠性。  03  服务器电源应用  从PFC到DC/DC全链路保护  在典型服务器电源架构中,隔离采样芯片可部署于电能转换链路的关键环节,用于实现电压、电流检测及保护反馈。  电源系统通常始于 PFC 电路。PFC 电路负责对输入交流电进行整形和升压,优化电网供电质量,并为后级电路提供稳定的高压直流电源。纳芯微隔离采样芯片可部署于 PFC 输入端和输出端,实时监测输入电压/电流及输出电压,为 PFC 控制回路提供关键反馈信号。  随后,LLC 谐振电路完成 DC/DC 转换,将高压直流电转换为服务器主板所需的低压直流电。在这一环节,谐振腔电流检测与过流保护尤为关键。纳芯微隔离比较器 NSI22C12 凭借低于 250 纳秒的快速响应时间,可检测异常电流并触发保护机制,帮助降低功率器件损坏风险。  在输出端,DC/DC 输出电流检测同样需要高精度隔离采样。通过监测输出电流,电源管理系统可根据不同负载条件调整工作状态,提升系统运行效率与稳定性。  通过覆盖 PFC 输入/输出、LLC 谐振腔及 DC/DC 输出等关键环节,纳芯微隔离采样产品可支持服务器电源实现从输入到输出的全链路监测与保护。  04  精度、安全与成本  隔离采样的三重优势  纳芯微隔离采样芯片从采样精度、隔离安全和系统成本三个方面,为服务器电源设计提供支持。  在采样精度方面,NSI1611 系列输入偏置电压优化至 ±0.8mV,较前代产品的 ±1.5mV 进一步降低;增益温漂由前代的 45ppm/℃ 优化至 40ppm/℃,提升全温区精度稳定性。其采样带宽达到 330kHz,可适配 SiC、GaN 等高频开关器件控制需求,满足系统高动态响应要求;  在隔离安全方面,纳芯微“隔离+”产品提供高于基础隔离要求的安全等级,帮助系统建立高低压安全边界。NSI1611 系列隔离耐压可达 5700Vrms,最大浪涌隔离耐压 VIOSM 可达 10kV,可适配高温、高压等严苛应用环境;  在系统成本方面,集成隔离电源的 NSI36xx 系列可省去外置隔离电源模块,降低整体 BOM 成本约 10%–20%;同时可节省 PCB 面积约 30%–50%,有助于实现更小型化的电源设计。NSI1611 的单端输出信号可直接接入 MCU 的 ADC 接口,省去传统差分输出方案所需的后级运放及调理电路,进一步降低 BOM 成本和 PCB 布局复杂度。
2026-06-03 10:02 reading:303
纳芯微丨AI服务器电源揭秘 ,水有水源,算力有电源
纳芯微荣获联合电子2026生态伙伴峰会“优秀供应商奖”
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