兆易创新GD32H7高性能系列MCU强势扩容,以“超高算力+实时通信”双擎驱动未来

Release time:2026-01-22
author:AMEYA360
source:兆易创新
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  1月22日,兆易创新(GigaDevice)宣布正式推出新一代GD32H7系列超高性能MCU,包含GD32H789/779系列超高性能通用MCU,以及集成EtherCAT®从站控制器GD32H78E/77E超高实时性系列MCU,该系列产品基于Arm® Cortex®-M7内核,主频高达750MHz,配备高速大容量内存架构及640KB可与CPU同频运行紧耦合内存(TCM),实现了高性能、低动态功耗与高速通信的有机统一。该系列微控制器可适用伺服控制、变频驱动、数字电源、便携电子产品、智能家居以及消防等领域,树立性能新标杆,为下一代智能装备的升级奠定核心硬件基础。

兆易创新GD32H7高性能系列MCU强势扩容,以“超高算力+实时通信”双擎驱动未来

  性能铁三角:750MHz内核、高速存储与零等待访问

  GD32H78E/77E、GD32H789/779系列MCU均基于性能强悍的Cortex®-M7内核,主频高达750MHz。该系列芯片拥有超高存储配置,最高可支持2MB Execution Flash与8MB Storage Flash,并搭载1.2MB的SRAM,更特别配备高达640KB大容量紧耦合内存(TCM),实现CPU同频运行,指令与数据的零等待执行。无论是高实时任务、复杂算法还是密集型数据处理,这一革新架构可让算力持续释放,系统响应更快、执行更稳。

  灵活存储与强大扩展接口

  该系列MCU在外部存储与扩展连接方面展现出高度灵活性,配备2个OSPI接口支持高达200MHz时钟频率与双倍数据速率(DTR)模式,可高效直连PSRAM、HyperRAM、NAND Flash及NOR Flash等多种外部存储器,实现高速数据交换。

  同时,GD32H78E/77E、GD32H789/779系列微控制器均集成16/32位EXMC模块,进一步扩展了连接能力,可支持直接对接外部SDRAM与FPGA,不仅大幅提升了系统内存容量与数据处理带宽,也为复杂系统集成与定制化硬件协同提供了便捷可靠的桥梁。

  GD32H78E/77E系列MCU,运动控制核心芯片

兆易创新GD32H7高性能系列MCU强势扩容,以“超高算力+实时通信”双擎驱动未来

  ▲GD32H78E/77E芯片框图

  GD32H78E/77E系列芯片集成了EtherCAT®从站控制器,其DC同步周期精度提升至62.5微秒,达到业界先进水平。该设计不仅支持复杂的多轴联动与高动态响应控制,更能满足工业自动化、机器人、数控机床等领域对时序一致性的严苛要求,助力实现系统整体性能的提升。

  GD32H78E/77E系列芯片还配备了全面的高性能编码器接口,可原生支持多摩川(Tamagawa)T-format、HIPERFACE DSL、EnDat 2.2、BiSS-C及尼康(Nikon)A-format等主流工业编码器协议与旋转变压器(R/D Converter),同时其通信接口具备CBC保护机制。结合其强大算力内核,GD32H78E/77E系列MCU可直接适配各类高端伺服电机与精密位置传感器,为伺服驱动器、机器人关节控制器及数控系统提供了高度集成的一站式解决方案。

  GD32H789/779系列MCU,高性能通用芯片

兆易创新GD32H7高性能系列MCU强势扩容,以“超高算力+实时通信”双擎驱动未来

  ▲GD32H789/779芯片框图

  GD32H789/779系列芯片不仅为复杂应用构建了全功能的通信与交互枢纽,更在模拟性能上实现突破。其内置的14-bit ADC凭借出色的设计,实现了优异的有效位数表现,同时集成的高性能数字滤波器模块(HPDF),能直接处理外接高精度Sigma-Delta ADC,形成了从芯片内置到外接扩展的完整高精度解决方案。该系列产品核心外设资源包括:

  先进多媒体:图形处理加速器、 TFT-LCD接口、数字摄像头接口

  高速有线通信:8xU(S)ART、4xI²C、6xSPI、4xI²S

  先进网络与总线:2x10/100Mbps Ethernet、3xCAN-FD

  高性能模拟系统:2x14bit ADC(具有优异有效位)、1x12bit ADC、2CHsx12bit DAC、2xCOMP、1xHPDF(可外接高精度Σ-Δ ADC)

  高速数据接口:1xUSB HS OTG(内置PHY)、1xUSB FS(内置PHY)、2xSDIO

  全方位构建安全屏障

  兆易创新GD32H78E/77E、GD32H789/779系列MCU构建了从硬件到软件的全栈安全体系,系统性地实现了安全启动、安全调试、代码保护与安全升级等核心功能。该体系不仅提供基于安全启动与安全更新(SBSFU)的软件平台,更依托用户安全存储区等硬件机制,实现对代码与数据的多级防护,确保固件升级、完整性校验、真实性验证及防回滚检查全程可靠。

  在硬件加密层面,芯片内置的CAU模块支持DES、TDES及AES算法,并具备高效的DMA传输能力。HAU模块则支持SHA-1、SHA-224、SHA-256、MD5及HMAC等多种哈希算法,保障数据完整性与身份认证安全。此外,该系列芯片还提供EFUSE用于安全存储系统关键参数,并集成TRNG真随机数发生器,可生成高质量的32位随机数。

  该系列MCU集成了全面且高等级的安全功能,MCU STL获得德国莱茵TÜV IEC 61508 SC3(SIL 2/SIL 3)功能安全认证,全面支持 IEC 60730 Class B等各行业安全标准,并助力客户产品从容符合欧盟《网络弹性法案》(CRA)等法规,提升市场准入效率。


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兆易创新亮相SNEC光伏展,以光储充全场景应用赋能数字能源变革
  6月3日,业界领先的半导体器件供应商兆易创新(GigaDevice)携光、储、充、AIDC全场景数字能源应用方案,亮相SNEC PV+ 第十九届(2026)国际太阳能光伏和智慧能源(上海)大会暨展览会5.1H—D335展台。  此次展会,兆易创新以高性能MCU和模拟器件为基座,融合AI算法,将端侧AI赋能至各应用环节,充分展现其作为数字能源全域解决方案服务商的深厚技术实力。6月3日下午,兆易创新数字电源应用主管工程师叶鸽还将在国家会展中心上海洲际酒店多功能厅5+6带来《基于GD32G5系列MCU的10kW三相维也纳PFC方案》演讲,深度解析数字电源技术在能源领域的创新应用。  当前,全球能源结构向绿色低碳转型持续深化,光伏、储能、充电基础设施、数据中心等正加速协同发展。新能源场景对高可靠、高集成、高智能的电源与主控芯片需求激增。面对能源产业数字化、智能化升级浪潮,兆易创新立足芯片底层技术创新,构建MCU、模拟芯片与存储产品协同的全场景布局,形成覆盖能源控制、电源管理、数据存储的一站式解决方案,为光储充产业高质量发展筑牢技术根基。  覆盖光储充AIDC等核心场景  打造全域数字能源方案  本次展会,兆易创新聚焦光伏、储能、充电、AIDC等场景,集中展示多款标杆级应用方案,充分彰显其全场景覆盖能力。  当前,光伏产业正从规模扩张转向技术驱动、安全智能、光储融合的高质量发展新阶段。其中,电弧安全隐患防控已成为刚需。兆易创新基于GD32H7/GD32G5系列MCU的AI直流拉弧检测方案覆盖多应用场景,以智能感知保障光伏系统安全运行。  在储能领域,市场化驱动、场景多元化、智能管控已成为其发展的主旋律,户用、工商业、便携式储能,以及阳台储能需求的爆发,使BMS系统的安全性、可扩展性成为核心竞争要素。兆易创新基于GD32F527和GD32VW553 MCU的工商业储能BMS、基于GD30BM2016 BMS AFE芯片的高性价比工商储/户储解决方案、基于GD30BM1018和GD30BM3020工商储方案、以及基于GD30BM1118和GD30BM3022大型储能方案等,覆盖便携/阳台、户用、工商业、大型储能等多元场景,能够为储能系统提供高效控制与安全管理保障。  与此同时,充电产业正朝着兆瓦超充、AI智能、光储充融合的高效互联互通方向发展。大功率快充与超充场景对高效PFC、多协议兼容及系统高可靠性提出了更高要求。兆易创新针对通信监控和功率控制领域,提供覆盖主流充电基础设施场景的MCU产品,满足行业对高效、智能、兼容的发展需求。同时,公司还推出了7kW直流充电桩、三相维也纳PFC等方案,以加速客户产品上市周期。  而在人工智能数据中心(AIDC)领域,随着算力密度的激增,数字电源正朝着高功率密度、高转换效率与深度智能的方向演进。兆易创新紧跟高密度服务器电源需求,带来的12kW AI服务器电源等前沿方案,将推动下一代AI数据中心的高效运行。  技术赋能,推动能源控制智能化革新  从光伏到储能,从充电设施到AIDC,这些全场景化方案的高效落地,依托于兆易创新数字电源实验室强大的技术实力。该实验室占地200平米,拥有规范化的HIL(硬件在环)仿真平台,并配备80kVA供电能力。覆盖芯片功能验证至系统级闭环测试全流程。平台可精准模拟光伏、储能、充电桩等场景动态工况,高效完成功率控制芯片性能验证,为能源产品及方案落地提供全周期技术支撑。  在持续完善研发验证体系的同时,兆易创新也以AI推动能源控制技术革新。公司中央研究院所设立的AI实验室,聚焦“MCU+边缘智能”,依托Arm® Cortex®-M7内核高性能MCU的强大算力支撑,实现轻量级AI模型在端侧实时推理,无需云端即可完成故障检测、负载识别等智能分析,让AI技术深度融入能源控制全流程,大幅提升系统响应速度与运行安全性。  从芯片研发到成套系统方案,从单一应用到全域场景覆盖,兆易创新始终以技术创新为依托、以市场需求为导向,深耕数字能源赛道。此次亮相SNEC光伏展会,既是公司全栈解决方案的集中展示,也是公司芯片产品赋能数字能源升级的实力印证。
2026-06-04 09:14 reading:219
兆易创新将亮相 SNEC 2026 上海光伏展,聚焦光储新发展
兆易创新GD25LX128J系列车规SPI NOR Flash荣膺AEIF“2026国产车规芯片新品十强”
  5月20日,兆易创新(GigaDevice)旗下GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash凭借卓越的技术创新性与市场表现,在第十三届汽车电子创新大会(AEIF 2026)高峰论坛上一举斩获“2026国产车规芯片新品十强”以及“汽车电子金芯奖 · 卓越产品奖”两大奖项,充分展现了兆易创新在国产车规存储芯片领域的硬核实力。  在车载芯片国产化加速突破的行业背景下,主机及tier1零部件企业亟待选择一批质量过硬、性能稳定、供货可靠、有可控自主知识产权的芯片企业,作为合作对象。针对这一行业痛点,AEPC 汽车电子专业委员会(以下简称“AEPC”)推出行业首个综合性评价指标,暨“AEPC车规芯片健康指数标准”(AEPC standard for automotive Chip health index,简称 AsaChi “艾思齐”),为整车厂、Tier1 厂商以及投融资机构的决策提供科学依据。“2026 TOP 10 国产车规芯片新品榜单”便是依据“艾思齐”标准,对《国产车规芯片可靠性分级目录(2026)》中收录的300余款车规芯片进行综合评选后得出。  此次获奖的GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash可适用于智能网联、智能座舱、自动驾驶等对高性能有严格要求的应用,已批量供货于国内搭载最新导航辅助驾驶的各主流车型。该产品容量为128Mb,工作电压为1.8V,采用Octal SPI接口,支持DTR功能,最高时钟频率达200MHz,可实现400MB/s的数据吞吐率。芯片支持XIP(Execute-In-Place) 、DQS、DLP功能,以及ECC纠错及CRC校验,凭借高性能、高可靠性优势为智能网联与智能座舱提供了坚实的核心存储支撑。  本次荣膺双奖不仅是业界对兆易创新在车规级存储领域长期投入与技术积淀的高度认可,更彰显了公司在国产汽车供应链中的关键价值。兆易创新还将持续深耕汽车电子赛道,携手整车及零部件企业,共同推动中国汽车芯片产业的安全、自主与高质量发展。
2026-05-21 09:40 reading:535
兆易创新推出全新三相栅极驱动器,多电压平台赋能电机驱动革新
  5月19日,兆易创新(GigaDevice)推出三款全新三相无刷电机专用栅极驱动器——GD30DR1001、GD30DR1401以及GD30DR1901。产品精准覆盖了40V/120V/600V主流电压平台,凭借高集成度、强驱动能力及卓越的可靠性,为消费电子、家用电器、电动工具及工业设备提供一站式电机驱动解决方案。该新产品的发布,进一步扩充了兆易创新的电机驱动芯片版图,有利于打造更紧凑、更高效、更稳定的电机控制系统。  覆盖多电压平台,精准匹配应用需求  随着智能设备、电动工具及工业自动化对电机控制性能要求的不断提升,系统设计正面临更高的效率、可靠性与集成度挑战。兆易创新此次推出的三款模拟器件均基于三相独立半桥架构,兼容3.3V/5V逻辑输入,支持直接驱动MOSFET或IGBT功率器件,在简化系统设计的同时,有效降低整体BOM成本和开发复杂度。  GD30DR1001是一款驱动P/N MOSFET功率管40V三相栅极驱动芯片,工作电源电压5.5V~40V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流50mA,可为芯片内部逻辑和外部MCU供电。芯片内部集成欠压保护/输入直通保护等多种保护功能,内置60ns死区时间,并采用高度集成的SOP16/QFN16封装。该型号适用于落地风扇、空气净化器、小型泵阀等直流无刷电机应用。  GD30DR1401是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片,专为驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或GaN而设计,悬浮偏移电压+120V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流100mA以及12V的控制电路,输出电流能力IO+2.0A/-2.5A。内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于服务器风机、民用无人机、电动工具、园林工具、清洁电器、厨房电器等应用。  GD30DR1901同样集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片,可驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或IGBT,悬浮偏移电压+600V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流50mA,内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于个人护理、白色家电、工业变频器、高压风机/水泵、光伏逆变等应用。  兼顾集成度、可靠性与易用性的设计优势  GD30DR1001/GD30DR1401/GD30DR1901系列在架构设计与功能集成层面进行了系统性优化。通过在单芯片内整合关键功能模块,并引入完善的保护机制与标准化接口,该系列在简化系统设计的同时,进一步提升整体运行稳定性与开发效率。  1.高集成架构,简化系统设计  单芯片内集成LDO、死区控制及多种保护功能,部分型号内置自举二极管,有效减少外部二极管、分立电阻及稳压器件的使用。这一高度集成的设计不仅降低了BOM成本,同时显著简化PCB布局,提高系统紧凑性与整体可靠性。  2.多重保护机制,提升系统鲁棒性  器件内置完善的保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、功率管直通防护以及LDO短路保护等,可有效避免低压驱动、上下管直通带来的潜在风险。结合–40°C至+125°C的宽工作温度范围,使其能够在高温及高电磁干扰环境下保持长期稳定运行,满足工业级应用需求。  3.标准化接口设计,加速系统开发  支持3.3V/5V逻辑输入接口,可直接与兆易创新GD32 MCU等主流微控制器连接,便于构建“MCU+Driver”的完整电机控制方案。标准化的接口与驱动架构有助于降低设计门槛,缩短开发周期,加快产品导入与量产进程。  目前,GD30DR1001/GD30DR1401/GD30DR1901已全面开放样品申请并实现量产,全系列采用标准卷带封装形式,支持自动化生产需求,可助力客户快速实现产品落地、抢占市场先机。
2026-05-20 09:08 reading:525
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