纳芯微丨当工业控制走向高集成:芯片如何重塑效率、精度与可靠性

Release time:2026-02-02
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:852

  在工业控制领域,产品竞争力正由单一性能指标,转向对效率、精度、可靠性与智能化的系统级综合考量。成本控制与小型化仍是长期基础,而高效节能、微秒级响应、高可靠运行及网络化能力,正逐步成为PLC、多类型电机、伺服系统与机器人等核心应用的关键发展方向。

  围绕应用创新,纳芯微在工业控制场景中,提供覆盖信号感知、处理与接口、电源管理、驱动、采样及控制的全链路产品解决方案,直面系统在实时性、精度、能效与可靠性等方面的核心挑战。下文将结合具体应用场景,进一步展开纳芯微如何以场景定义芯片,支撑工业控制系统持续升级。

  PLC 与信号采集,高集成接口支撑多样化系统需求

  PLC 是工业控制系统中的集中信号处理单元,负责连接现场传感器、执行器与控制网络,涉及模拟量、数字量及多种通信接口。随着系统规模扩大与功能集成度提升,PLC 对接口密度、隔离性能以及信号处理一致性提出了更高要求。

  在 PLC 相关应用中,纳芯微的优势体现在以下方面:

  一是同时覆盖模拟与数字控制,能够满足多类型信号采集与处理需求;

  二是数字隔离产品在集成度与速率性能上显著优于传统光耦方案;

  三是数字输出芯片具备更高集成度,并可适配不同类型负载。

  在一些PLC等小型化的场景中,纳芯微推出了基于电容隔离技术的数字输入隔离器NSI860x,包括四通道的NSI8604和八通道的NSI8608,具有高集成度和高稳定性的特点。它将数字输入/输出融为一体,可接收-60V至60V数字输入信号;兼容光耦的电流输入形式,不需要现场侧电源供电,并可提供隔离的数字输出。

  NSI8604:SSOP16(左) NSI8608:SSOP20(右):

纳芯微丨当工业控制走向高集成:芯片如何重塑效率、精度与可靠性

  此外,针对现在许多系统中仍在使用很多小光耦的情况,纳芯微提供的NSI721x/722x系列隔离器可以对高速光耦进行快速原位替代,这些器件具有CMTI大于100kV/μs、绝缘材料CTI水平大于600V、温度范围更宽的优势,能够优化成本、可靠性和速率,提升系统整体性能。其封装包括SO-5、SOWW8、SOP8等常见封装类型,支持4mm、8mm、15mm爬电距离。

  NSI72xx选型表和功能框图:

纳芯微丨当工业控制走向高集成:芯片如何重塑效率、精度与可靠性

纳芯微丨当工业控制走向高集成:芯片如何重塑效率、精度与可靠性

  针对系统毫秒级甚至微妙级数据处理与响应需求,纳芯微推出实时控制MCU NS800RT7377D。该芯片采用双Cortex®-M7内核@400MHz,集成丰富外设与保护功能,配备40路PWM(含16路124ps高精度HRPWM、24路增强型EPWM),以超精细功率控制显著提升系统控制精度与稳定性,适配高精度应用。

  多类型电机控制中,芯片适配与系统协同

  在电机控制的多样化应用方面,工业控制系统中常见的步进电机、变频器和伺服电机在控制方式和应用需求上各不相同。针对不同类型电机的特点,纳芯微相关产品可在相应的控制场景中发挥作用,满足多样化的应用需求。

  步进电机,以专用驱动实现平稳、低噪与可靠运行

  步进电机是一种将 MCU 输出的电脉冲信号转换为角位移或线位移的电动机。其可在开环控制模式下工作,每接收一个脉冲即可产生一个固定的位移增量,因此相较传统直流控制系统,整体成本更低。步进电机常见应用包括数控机床、打印机等设备。

  在步进电机系统中,电机的运行平顺性、噪声水平以及异常工况下的可靠性,很大程度上取决于专用步进电机驱动芯片的电流调制、微步控制与诊断能力,这是体现步进性能好坏的核心器件。

  围绕此类需求,纳芯微提供高集成式双相双极步进电机驱动器 NSD8381,该芯片支持最大1.35A满量程电流,包括电流斩波调节,内部最高1/32微步转换器和多种衰减模式选择使步进电机平稳运动,广泛适用于汽车前照灯步进控制(ADB/AFS)、HUD 位置调节电机、热管理系统阀门中的步进电机以及 BDC 电机驱动等应用。

  NSD8381选型表及VQFN40引脚图:

纳芯微丨当工业控制走向高集成:芯片如何重塑效率、精度与可靠性

  变频器,以隔离驱动提升系统一致性与使用寿命

  变频器广泛应用于工业电机驱动等场景,系统内部涉及多种控制接口与信号形式,对功率器件驱动的可靠性与一致性提出了较高要求。其中,功率器件的隔离驱动是变频器控制链路中的关键环节,直接影响系统的运行稳定性和长期可靠性。

  围绕这一核心需求,纳芯微提供电流型隔离驱动器 NSI6801 系列,以及性能进一步提升、兼顾成本优势的 NSI6801Ex、NSI6801xC 系列,与传统光耦式栅极驱动器引脚兼容,可在变频器应用中实现对光耦驱动方案的直接替代。相较传统光耦方案,NSI6801 系列在可靠性、抗老化能力、工作温度范围、传播延迟及脉冲宽度失真等方面具备明显优势,有助于提升变频器系统的一致性与使用寿命。

  此外,温度传感器 NST1002 可用于大功率器件或电路板的温度监测,支持变频器系统的热管理需求。

  伺服系统,以编码器与高可靠驱动支撑高精度闭环控制

  伺服电机采用闭环控制,对电机运行的精度要求较高,需依赖编码器提供实时的转速与位置信息。在此类应用中,编码器的精度、稳定性与环境适应性直接决定伺服系统的控制性能,磁编码器因可靠性高、抗环境干扰能力强,已成为伺服系统中的重要选择。在多轴控制场景中,一个主板往往需要同时连接多个伺服电机并实现协同工作。

  传统磁编码器通常由 AMR 磁头、传感器以及性能较高的 M4 MCU 或分立多通道 ADC 构成,整体架构较为复杂,成本相对较高。纳芯微的 MT6835 本质上是一颗角度传感器,芯片内置 DSP,可直接完成角度计算并输出角度信息。纳芯微新一代高速高精度角度编码器芯片MT6826S,基于先进的各向异性磁阻(AMR)技术,提供客户端自校准模式,可以补偿由磁铁的不理想、结构安装的偏差所带来的各种非线性,大大提升INL特性。

  在变频及高端伺服应用中,功率器件长期运行于高电压、高电流工况下,驱动级的可靠性与保护能力是系统稳定运行的关键。围绕这一需求,纳芯微提供集成 DESAT 保护的低边驱动 NSD1015MT/T,以及与光耦驱动引脚兼容的智能隔离单管驱动器 NSI68515,覆盖隔离与非隔离两种实现方式,在降低系统成本和布板面积的同时提升整体可靠性。

  面向人形机器人,高集成控制与位置感知方案

  在人形机器人中,电机与减速器在整机成本构成及竞争力塑造中占据重要位置。关节与灵巧手等关键部位通常采用伺服电机,以满足对运动精度和动态响应的要求;而在头部、眼部等对精度要求相对较低、但对成本更敏感的部位,则可采用步进电机方案。

  从系统层面看,人形机器人对控制精度、响应速度以及集成度提出了更高要求。无框电机在该类应用中较为常见,其控制方式本质上与无刷电机相似,差异主要体现在电机结构层面。在灵巧手等空间受限、集成度要求较高的场景中,通常采用 SoC 方案实现高度集成。例如,纳芯微 NSUC1610 将 MCU、反馈与驱动功能集成于单芯片中,可在紧凑空间内实现高效控制。

  在电机轴位置检测方面,磁编码器因具备更强的抗振动和抗环境干扰能力,在工业与机器人应用中逐渐替代传统光电编码器。相较由磁头、传感器及高性能 MCU 或分立 ADC 构成的传统磁编码器方案,纳芯微 MT6835 通过集成角度解算与信号处理功能,显著简化系统架构。结合 NS300K214 及霍尔器件,可构成完整的磁编码器解决方案,在保证性能的同时有效降低系统成本,适用于对空间与成本敏感的人形机器人电机位置检测场景。


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纳芯微丨低资源占用、快速切换:单 Bank Flash MCU 在线升级方案解析
  随着智能产品进入规模化应用,现场固件更新能力已成为产品持续迭代的重要支撑。对于 MCU 系统而言,固件升级不仅要完成新版本程序写入,还需尽量降低升级过程对设备运行状态和用户使用体验的影响。  针对单 Bank Flash MCU 平台,本文提出一种不断电固件升级方案,通过软件架构设计实现安全、快速、用户低感知的现场固件更新,为单 Bank Flash MCU 提供在线升级能力。  01 方案背景  目前,MCU 常见固件升级方式包括 IAP(In Application Programming)、ISP(In System Programming)、双 Bank 升级、OTF(On The Fly)、LFU(Live Firmware Update)以及 LiveUpdate 等。其中,不断电升级通常要求系统在升级过程中保持业务运行,不依赖设备重启,并实现新旧固件的平稳切换。  现阶段,OTF 和 LFU 是较为常见的不断电升级方案,但通常依赖 MCU 具备双 Bank 架构的 Flash 存储器。而在实际应用中,单 Bank Flash MCU 仍然占据较大存量。由于单 Bank Flash 不具备动态 Bank 切换能力,如何在不依赖双 Bank Flash 架构的前提下,实现无停机、无复位、业务连续的现场固件升级,成为单 Bank Flash MCU 在线升级设计中的关键问题。  02 系统架构与核心技术点  由于单 Bank 架构的 Flash 不具备动态切换 Bank 或启动时自动切换 Bank 的功能,因此需增加 Bootload 程序,负责系统引导、启动选择及运行环境构建。Bootload 支持烧录 App 固件、读取 App 信息区、并为 App 区配置运行环境。  这种架构可支持多个 App 区,每个 App 区均设有独立的信息区。信息区用于存储对应固件分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度(Length)以及中断初始化程序等必要信息。  整体方案的组成框架如图 1.1 所示。需要实现的关键技术包括:  ① APP 区信息的保存与动态分析;  ② 切换 APP 区时的定点切换;  ③ 在主循环内更新主循环本身。  图 1.1 单 Bank 不断电升级方案框架  03 固件分区与信息提取  Bootload 与 App 区在运行过程中需动态读取固件信息,以便为后续执行的目标代码构建运行环境。需特别说明的是,Bootload 跳转至 App 区的机制与 App 区之间的跳转机制并不相同。在本文提供的方案中,Bootload 跳转至 App 区采用传统的 IAP 跳转方式;而 App 区之间的跳转则基于固定代码区的锁定机制,以确保跳转过程的安全性。  Flash 存储器需要通过 FMC 模块与 CPU 进行通信,Flash 在执行擦除操作时需耗费一定时间,若在此期间 CPU 发起对 Flash 的读取请求,将会因为等待 FMC 完成擦除而导致阻塞。  这引入了第一个需要解决的问题—— App 区内擦除 Flash 阻塞。为避免该问题,在擦除 Flash 时应避免 CPU 同时读取 Flash,相关操作需置于 SRAM 或 ITCM 中执行。  为简化实现流程,本方案将 App 区固定运行于 SRAM 中。Bootload 在启动阶段将 App 代码从 Flash 手动拷贝至 SRAM,从而有效避免擦写冲突,确保升级过程的稳定与可靠。  App 区的分区功能使用的是 Sct 分散加载脚本功能,如程序清单 1.1 所示。  程序清单 1.1 App 区的 Sct 文件  以 App0 为例,其分区信息与作用描述如表 1.1 所示。  表 1.1 App 区的分区功能描述  固件信息区 FIRM_DROM 用于存储程序清单 1.1 中各个分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度,以及用户自定义和其他辅助信息。这些信息通过编译器自动生成的全局环境变量进行记录,具体声明方式如程序清单 1.2 所示。  程序清单1.2 分区信息保存方法  清楚如何将 Load 地址拷贝到 Image 、和复制长度,即可动态搭建不同固件的运行环境。  04 固定代码区  堆栈污染防护机制  在 C 程序运行过程中,堆(Heap)用于程序源动态申请和释放临时变量,而栈(Stack)则用于在子函数调用或中断触发时保存临时变量、返回地址等上下文信息,通过“进栈-出栈”机制实现函数调用链的正确返回与运行环境恢复。  基于上述机制,引入本方案需解决第二个关键问题——App区相互跳转前后,堆栈中保存的返回地址与新固件无法对接,即“堆栈污染”问题。由于 App0 与 App1 区的代码随用户程序迭代而不断变化,若直接跳转极易因堆栈不一致导致系统异常。为此,方案引入固定代码区以保障跳转过程的稳定性。  固定代码区本质上位于 main() 函数内的主循环(如 while(1) )中。该循环具备一个重要特性:所有子函数执行完毕后均会返回至主循环入口,中断服务程序执行完毕后也同样返回到此位置。根据堆栈行为特点,当程序运行于主循环内部时,堆栈中不会保留函数调用信息,此时堆栈处于“最干净”状态,从而有效避免了跳转过程中的堆栈污染问题。  要做到这点,需要将 main() 放到 FIXCODE 区域内,然后 main 内部的初始化和主循环内统一调用子函数,增减的代码都在子函数内处理,让切换 App 区执行代码不发生偏移。如程序清单 1.3 所示。  程序清单 1.3  05 运行时固定代码区更新策略  FIXCODE 本身是 main() 和主循环,里面同样包含用户层的应用代码,所以更新固件这部分也同样需要更新到最新版本。本方案需要解决第三个关键问题——程序运行期间不能被擦除,否则会导致指令读成乱码,所以在更新固定代码区的操作要放在非固定代码区,且保证执行完后能回到正确的堆栈点。  图1.2 更新固定代码区  06 中断向量表与函数分区更新实现  中断处理包括中断向量表处理和中断函数处理。中断函数通过声明中断服务函数以及其调用的子函数分配到 RW_APP0_ITCM 区,这样就可以通过分区更新功能统一更新。本方案需要重点处理中断向量表。  中断向量表涉及的方面包含以下几处地方:  ① Sct 文件内声明的 RESET 区域,如程序清单 1.1 所示;  ② SDK 包内默认的中断向量表地址,包括 Flash 中断向量表和 VT_DTCM 的中断向量表;  ③ 在切换新固件的中断部分,准备好内存空间,最后修改 VTOR;  在第二点中,SDK 内对中断向量表的操作如程序清单 1.4 所示。  程序清单 1.4 SDK 包中断表处理  代码路径:interrupt.c  VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 是指固件的头部装载地址,需要留意的是,这个表里还包含了默认处理函数句柄以及 Reset 等前面不可屏蔽的处理函数。  SDK内默认将 VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 设置为 0x08000000,对每个 APP 区必须在 interrupt.h 内改为对应地址。  程序清单 1.3 内的函数实现的主要目的,是将存放在 DTCM 空间内的 vectorTableDTCM 表重初始化。  在 App 区内的操作流程如图 1.3 所示。可看到板级初始化做的是 App 本身所占用的中断表地址,而切换则是搭建新固件的中断表地址。  07 变量偏移防护与共享内存设计  由于业务逻辑要持续运行,所以对于关键的状态变量、计数变量等需要做特殊处理。这里就提出第四个问题——由于编译器为节省空间,会将变量紧密排序,从而导致全局变量在切换到新固件时产生不可预计的偏移。简单而言就是将这类需要继承的变量,存放在 ShareMemory 空间内,并以绝对地址的形式固定下来。这种方案相较于其他依赖编译器的固定方式最直接快速。
2026-06-04 10:23 reading:278
纳芯微丨AI 服务器电源功率密度提升,隔离采样芯片如何应对采样与保护挑战?
  随着 AI 服务器电源功率密度和运行频率持续提升,系统对关键节点电压、电流的采样精度、响应速度和隔离安全提出了更高要求。  在服务器电源系统中,从 AC/DC PFC 输入级到 DC/DC LLC 谐振级,各级功率转换均依赖精确的电压、电流监测数据,以支撑系统高效、稳定运行。在高压、高频、高功率密度工作条件下,如何在高压侧与低压控制侧之间实现可靠的物理隔离,并保障关键信号的准确、及时传输,成为系统设计中的重要问题。  隔离采样技术可在高压侧与低压控制侧之间建立安全隔离,同时实现电压、电流等关键信号的采集与传输,帮助降低高压串扰、雷击或瞬态过压等因素对低压控制电路的影响,并为系统控制与保护提供必要反馈。  01  隔离采样技术演进  从基础隔离到智能集成  纳芯微隔离采样产品矩阵体现了从基础隔离采样向集成化、智能化方向的演进。  以 0–2V 单端输入的 NSI1311 为起点,纳芯微隔离采样产品逐步向隔离电压采样、隔离电流采样和隔离比较器等方向拓展。  在隔离电压采样方向,产品由单端输入的 NSI1311,发展至差分输入的隔离运放 NSI1312 和差分输入的隔离 ADC NSI1316,进一步覆盖不同应用需求。随着产品迭代,集成化趋势更加明显。NSI36xx 系列将隔离 DC-DC 电源集成于采样芯片内部,有助于简化高压侧供电设计。其中,NSI36CxxR 版本进一步集成比较器和运放,可简化系统电路,并支持硬件过流、过压保护。  在隔离电流采样方向,产品由 NSI1300 演进至 NSI1400/1200C 系列,并推出了集成隔离电源的 NSI360x 系列。  面向快速响应和简化设计需求,纳芯微推出隔离比较器 NSI22C12。该产品集成窗口比较器、隔离通道及高压侧 LDO,可用于实现过压或过流保护,尤其适用于服务器电源 LLC 谐振腔的快速过流保护场景。  在服务器电源系统中,PFC 电路通常负责对输入交流电进行整形和升压,LLC 谐振拓扑随后完成 DC/DC 变换并形成最终输出。整个能量转换链路的安全、稳定运行,依赖于对关键节点电压和电流的精确监测。  纳芯微隔离采样芯片可部署于服务器电源各核心监测点,覆盖 PFC 输入电压/电流检测、PFC 输出电压检测、LLC 谐振腔电流检测与快速过流保护,以及 DC/DC 输出电流检测等环节,支持电源系统实现从输入到输出的全链路监测与保护。  02  三款新品详解  面向服务器电源的集成化设计  服务器电源对功率密度、可靠性和效率要求较高。围绕不同层面的设计挑战,纳芯微推出了三款新品。  首先是集成隔离电源的 NSI36xx 系列。相较于上一代 NSI13xx 系列,NSI36xx 系列进一步提升了集成度。传统方案通常需要分别为高压侧和低压侧设计供电电路,在浮地采样等场景下,设计复杂度和 PCB 占板面积较高。  NSI36xx 系列仅需在低压侧提供单一电源即可正常工作,可省去高压侧供电电路设计,降低电源设计复杂度,并节省约 30%–50% 的板上面积,在空间受限的服务器电源系统中具备应用优势。  NSI36CxxR 是该系列的差异化产品,集成内部比较器和单端准差分运放,可在百纳秒级时间内检测异常并触发保护机制,提升系统安全性和可靠性。  第二款新品是 0–4V 宽压输入的隔离电压采样运放 NSI1611。面向服务器电源向更高电压发展的趋势,NSI1611 将输入范围扩大一倍,有助于提升系统抗干扰能力和采样精度。  在相同扰动电压下,更宽的输入范围可降低扰动对采样结果的相对影响。同时,NSI1611 在保持 1GΩ 高阻输入的基础上拓宽输入范围,可进一步提升系统采样精度。  NSI1611 提供单端输出或比例输出版本。其中,比例输出版本可将后级参考电压直接接入芯片 Reference 引脚,由芯片完成差分转单端转换及简单自适应放大,帮助客户充分利用后级 ADC 满量程,提升整体采样精度。  第三款新品是面向快速保护设计的隔离比较器 NSI22C12。在服务器电源谐振腔过流采样中,传统方案通常采用 CT 方案或分立方案。CT 方案体积较大,输入端还需增加额外调理电路,会增加成本和 PCB 占板面积;在 DC 负载过流保护中,部分客户则采用普通比较器搭配高速光耦或数字隔离器的分立方案。  NSI22C12 采用单芯片集成设计,集成窗口比较器,支持正负阈值设定;同时集成内部隔离通道,比较后可直接输出隔离数字信号。其高压侧集成高压 LDO,供电范围为 3.1V 至 27V,可直接接入驱动供电,简化外围供电设计。  该产品保护延时最大仅 250 纳秒,可用于快速过压、过流检测,帮助服务器电源系统在异常工况下及时触发保护机制,提升系统控制的安全性和可靠性。  03  服务器电源应用  从PFC到DC/DC全链路保护  在典型服务器电源架构中,隔离采样芯片可部署于电能转换链路的关键环节,用于实现电压、电流检测及保护反馈。  电源系统通常始于 PFC 电路。PFC 电路负责对输入交流电进行整形和升压,优化电网供电质量,并为后级电路提供稳定的高压直流电源。纳芯微隔离采样芯片可部署于 PFC 输入端和输出端,实时监测输入电压/电流及输出电压,为 PFC 控制回路提供关键反馈信号。  随后,LLC 谐振电路完成 DC/DC 转换,将高压直流电转换为服务器主板所需的低压直流电。在这一环节,谐振腔电流检测与过流保护尤为关键。纳芯微隔离比较器 NSI22C12 凭借低于 250 纳秒的快速响应时间,可检测异常电流并触发保护机制,帮助降低功率器件损坏风险。  在输出端,DC/DC 输出电流检测同样需要高精度隔离采样。通过监测输出电流,电源管理系统可根据不同负载条件调整工作状态,提升系统运行效率与稳定性。  通过覆盖 PFC 输入/输出、LLC 谐振腔及 DC/DC 输出等关键环节,纳芯微隔离采样产品可支持服务器电源实现从输入到输出的全链路监测与保护。  04  精度、安全与成本  隔离采样的三重优势  纳芯微隔离采样芯片从采样精度、隔离安全和系统成本三个方面,为服务器电源设计提供支持。  在采样精度方面,NSI1611 系列输入偏置电压优化至 ±0.8mV,较前代产品的 ±1.5mV 进一步降低;增益温漂由前代的 45ppm/℃ 优化至 40ppm/℃,提升全温区精度稳定性。其采样带宽达到 330kHz,可适配 SiC、GaN 等高频开关器件控制需求,满足系统高动态响应要求;  在隔离安全方面,纳芯微“隔离+”产品提供高于基础隔离要求的安全等级,帮助系统建立高低压安全边界。NSI1611 系列隔离耐压可达 5700Vrms,最大浪涌隔离耐压 VIOSM 可达 10kV,可适配高温、高压等严苛应用环境;  在系统成本方面,集成隔离电源的 NSI36xx 系列可省去外置隔离电源模块,降低整体 BOM 成本约 10%–20%;同时可节省 PCB 面积约 30%–50%,有助于实现更小型化的电源设计。NSI1611 的单端输出信号可直接接入 MCU 的 ADC 接口,省去传统差分输出方案所需的后级运放及调理电路,进一步降低 BOM 成本和 PCB 布局复杂度。
2026-06-03 10:02 reading:303
纳芯微丨AI服务器电源揭秘 ,水有水源,算力有电源
纳芯微荣获联合电子2026生态伙伴峰会“优秀供应商奖”
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