报名开启丨ROHM <span style='color:red'>AI服务器</span>解决方案解读，参会赢好礼！
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报名开启丨ROHM AI服务器解决方案解读，参会赢好礼！

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　 　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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发布时间：2026-04-01 14:12 阅读量：238 继续阅读>>
纳芯微丨<span style='color:red'>AI服务器</span>机架供电架构解析：PSU、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案
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纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析：PSU、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案

　　随着人工智能算力需求的持续增长，数据中心服务器功率密度快速提升，驱动供电架构向更高功率等级与更高可靠性演进。在这一过程中，PSU、BBU 与 CBU 逐步形成协同供电体系，对电源系统的效率、稳定性与系统集成能力提出更高要求。　　围绕服务器供电架构的演进，本文重点解析 PSU 及 BBU、CBU 备电系统的设计逻辑与关键芯片需求。纳芯微基于供电与备电全链路，提供覆盖电流检测、电压采样、驱动控制、通信隔离及电源管理等环节的系统级芯片解决方案，支撑高功率服务器电源系统在效率与可靠性方面实现综合优化。　　1.PSU迈向高压与高功率密度核心供电单元　　在数据中心供电体系中，服务器电源模块(PSU)负责将交流电转换为稳定直流电源。近年来，随着AI服务器功率需求的提升，PSU功率等级也持续升级：从早期3kW、5.5kW级服务器电源模块，逐步发展到面向AI与云计算时代数据与算力中心的8kW、12kW、18kW级别，并进一步提升至面向下一代AI服务器的单体30+kW级PSU。高功率密度电源正在成为新一代数据中心基础设施的重要组成部分。　　随着功率等级的持续提升，大功率PSU输入形式也由传统单相交流变为了三相交流输入，输出电压也从传统的12V升上至48V(54V)或更高的HVDC电压(±400V或800V)，以降低电流并改善系统热设计条件。　　从系统结构来看，服务器PSU通常由功率因数校正(PFC)级和隔离DC/DC变换级构成。输入交流电首先在PFC级完成整流与功率因数校正，并建立稳定的高压直流母线(DC Link);随后通过LLC谐振变换级实现高效率隔离变换，输出稳定的12V、48V(54V)或HVDC电压，为服务器负载供电。　　随着功率密度要求的不断提升，PSU中的功率器件技术路线也在持续升级。宽禁带器件能够显著降低开关损耗，并支持更高开关频率，从而提升系统效率与功率密度。因此，PFC级逐步由传统Si MOSFET向SiC MOSFET演进，而LLC则开始越来越多地采用SiC或GaN器件。　　在此类高功率电源系统中，除了功率器件本身，电流检测、电压采样以及栅极驱动等模拟与隔离器件同样是系统稳定运行的重要基础。　　电流检测模块需要实时监测输入电流、谐振电流以及输出电流，以支持系统闭环控制与保护功能;电压检测模块用于实现母线电压与输出电压的精确采样;而隔离栅极驱动器则负责驱动Si、SiC或GaN功率器件，实现高速开关控制。　　在 PSU中，输入侧、谐振侧、输出侧与备电支路对电流检测的带宽、隔离等要求不同，因此可根据具体节点选择分流器+检测放大器、隔离放大器、霍尔电流传感器等不同实现方式。　　在电流检测方面，纳芯微提供包括NSM201x、NSM211x、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及 NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器在内的多种方案，可满足高带宽与高精度电流监测需求，为电源控制环路提供稳定的反馈信号。　　在高 dv/dt 开关环境下，隔离栅极驱动与隔离采样链路的 CMTI、延迟等特性将直接影响系统效率与稳定性。纳芯微提供多款隔离栅极驱动器，其中NSI6601、NSI6601M、NSI6601xE、NSI6801E系列单通道驱动器以及NSI6602V系列半桥驱动器，均可在高 dv/dt 环境下保持稳定驱动能力，适用于SiC与GaN功率器件的高速开关控制。　　此外，在系统电压检测与反馈控制环节，纳芯微提供NSI1400、NSI1300、NSI1200C、NSI1312、NSI1311、NSI1611及NSI36xx系列隔离放大器，以及NSOPA9xxx、NSOPA8xxx、NSOPA610x系列运算放大器，可实现高精度电压采样，为系统控制器提供稳定的反馈信号。通过在电流检测、电压采样及驱动控制等关键节点进行协同设计，可进一步提升服务器 PSU 系统的整体效率与可靠性。　　随着AI服务器功率持续提升，高功率、高效率服务器PSU将成为数据中心电源系统的重要发展方向。围绕功率器件驱动、隔离采样以及精密信号链等关键环节，高性能模拟与隔离芯片也将在下一代数据中心电源架构中发挥越来越重要的作用。　　2.BBU与CBU构建多层级备电体系的关键支撑　　BBU通常由锂电池组和DC/DC电源模块组成。当市电或主电源出现中断时，BBU可在短时间内为服务器系统提供持续供电，通常可维持数分钟，以保障关键数据完成写入，并支持系统安全关机。机架级BBU的输出能力通常需要与对应机架PSU的供电等级相匹配。　　在系统拓扑上，BBU中的DC/DC模块多采用非隔离双向变换结构，以实现电池充放电过程中的双向能量流动。常见实现方式包括多相Buck-Boost结构或四开关Buck-Boost拓扑，并由MCU或数字控制器实现电池管理与能量调度。　　在实际数据中心系统中，BBU与CBU承担的角色有所不同。BBU主要用于应对电源中断场景，提供分钟级持续供电;CBU更偏“毫秒到秒级”的瞬态功率波动的吸收或补偿。　　CBU通常采用超级电容作为储能介质。相比电池，超级电容具有更高功率密度、更快充放电速度以及更长循环寿命，更适合用于短时间功率补偿。　　当服务器负载发生快速变化时，CBU可以在极短时间内释放或吸收能量，从而稳定系统母线电压。在部分应用场景中，CBU也可在短时间掉电情况下提供瞬态能量支撑，保障关键系统状态平稳过渡。　　在系统架构上，CBU同样通过双向DC/DC模块实现超级电容与系统母线之间的能量交换，其拓扑结构通常与BBU类似，多采用Buck-Boost架构，并通过控制器进行动态调节。　　在BBU与CBU系统中，需要对电池或超级电容的电流、电压以及系统运行状态进行实时监测，同时通过驱动电路控制功率器件实现能量转换。因此，电流检测、电压采样以及通信隔离等功能模块是系统稳定运行的重要基础。　　针对上述需求，纳芯微提供多类关键器件解决方案。例如，NSM201x、NSM211x、NSM2311、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器可用于电池充放电电流检测;NS800RT1137、NS800RT3025系列MCU可承担系统主控功能，并结合NSI822x、NSI823x、NSI824x、NIRS21、NIRS31系列数字隔离器及NSI1042、NSI1050 隔离 CAN 接口，实现系统通信与隔离控制。　　在辅助电源(AUX power)部分，纳芯微提供覆盖反激与 Buck 拓扑的电源管理芯片，包括 NSR28C4x、NSR284x、NSR2240x、NSR2260x 系列反激电源芯片及即将发布的NSV2801/2系列，以及NSR1143x、NSR1103x系列 Buck 转换器，为控制、驱动、采样及通信模块提供稳定供电支撑，提升服务器供电系统的整体可靠性。　　随着AI服务器功率规模不断提升，备电系统在数据中心供电架构中的作用也愈发关键，通过合理的系统设计与关键芯片协同应用，可以有效提升服务器备电系统的稳定性与安全性。
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发布时间：2026-03-30 09:53 阅读量：396 继续阅读>>
罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核电源方案赋能绿色<span style='color:red'>AI服务器</span>发展
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罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核电源方案赋能绿色AI服务器发展

　　当前AI算力需求爆发式增长，数据中心供电向高效化、绿色化升级，800V高压直流架构渗透率提升，SST等核心技术加速迭代，行业面临技术革新与标准完善的双重需求。 基于此2026年4月25日“AI PowerDC 算力供电创新技术国际领军者论”将在深圳湾万丽酒店顺势召开，聚焦行业核心痛点，搭建技术交流与合作对接平台。　　全球知名半导体制造商罗姆半导体(ROHM)重磅亮相本次论坛，公司技术专家苏勇锦将于A会场11:20-11:50，发表题为《ROHM Power The Future of ECO AI Server》的主题演讲，深度解读AI服务器供电痛点，分享前沿电源技术解决方案，彰显罗姆在高端算力供电领域的核心技术实力。　　AI 硬件的急速成长，带来了数据中心对电力设施前所未有的负荷压力。Server Rack 单位消耗功率由数十~数百kW 向MW 级别的规模扩展，现有的48VDC 配电系统，以达到其物理性的、经济性的极限。为解决这一历史性的课题，包括HVDC电源架构等的技术变革正在发生。如何让AI服务器电源系统更节能，更高效，更智能，成为各大电源厂家和半导体厂家的目标和方向。罗姆半导体做为全球知名半导体制造商，充分利用常年以来积累的功率器件和模拟器件的技术经验，为AI服务器提供包括SiC，GaN，Si-MOS，DrMOS，模拟IC等电源解决方案，助力AI服务器向更加ECO的未来发展!　　4月25日AI算例论坛概要　　名称：AI PowerDC算力供电创新技术国际领军者论坛　　■主办：21世纪电源网　　■ 会场：深圳湾万丽酒店　　■ 时间：2026年4月25日　　■ 地址：广东省深圳市南山区粤海街道科技南路18号　　■交通：9号线高新南站A出口步行3分钟　　赞助企业
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发布时间：2026-03-12 17:50 阅读量：420 继续阅读>>
永铭丨<span style='color:red'>AI服务器</span>机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？
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永铭丨AI服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？

　　AI服务器机柜在训练/推理负载快速切换时，会出现毫秒级(典型1–50 ms)的功率突变与直流母线(DC Bus)掉压风险。NVIDIA在介绍 GB300 NVL72 电源架设计时提到，其电源架内集成能量存储元件并配合控制器，实现机柜级的快速瞬态功率平滑(见参考资料[1])。　　工程实践中，用“混合型超级电容(LIC)+BBU(Battery Backup Unit，备用电源单元)”构成就近缓冲层，可把“瞬态响应”和“短时备电”分工解耦：LIC负责毫秒级补偿，BBU负责秒级到分钟级接管。本文给出工程师可复现的选型思路、关键指标清单与验证项，并以永铭SLF 4.0V 4500F(单体ESR≤0.8mΩ，持续放电电流200A，参数应引用规格书[3])为例给出配置建议与对比数据支撑。　　机柜BBU电源正在把“瞬态功率平滑”前置到近端　　随着单柜功耗走向百千瓦级，AI工作负载会在短时间内造成电流阶跃。若母线掉压超过系统阈值，可能触发主板保护、GPU错误或重启。为降低对上游供电与电网侧的峰值冲击，一些架构开始在机柜电源架内部引入能量缓冲与控制策略，使功率尖峰在机柜内被“就地吸收与释放”。这类设计的核心启示是：瞬态问题优先在离负载最近的位置解决。　　在搭载英伟达GB200/GB300等超高功率(千瓦级)GPU的服务器中，电源系统面临的核心挑战已从传统的备电，转变为应对毫秒级、数百千瓦级的瞬态功率冲击。传统以铅酸电池为核心的BBU备用电源方案，因其固有的化学反应延迟、高内阻及有限的动态电荷接受能力，在响应速度与功率密度上存在瓶颈，已成为制约单机柜算力提升与系统可靠性的关键因素。　　表1：三级混合储能模式在机柜BBU中的位置示意(表格框图)　　架构演进，从“电池备电”到“三级混合储能模式”　　传统BBU多以电池为核心储能。面对毫秒级功率缺口，电池受限于化学反应动力学与等效内阻，响应往往不如电容类储能敏捷。因此，机柜侧开始采用“LIC(瞬态)+BBU(短时)+UPS/HVDC(长时)”的分级策略：　　LIC并联于DC Bus近端：承担毫秒级功率补偿与电压支撑(高倍率充放电)　　BBU(电池或其他储能)：承担秒级到分钟级接管(系统按备电时长设计)　　机房级UPS/HVDC：承担更长时长的不间断供电与电网侧调节　　这种分工把“快变量”和“慢变量”解耦：既稳住母线，又降低储能单元长期应力与维护压力。　　深度解析：为何是永铭混合型超级电容?　　永铭混合型超级电容LIC(Lithium-ion Capacitor，锂离子电容)在结构上结合了电容的高功率特性与电化学体系的较高能量密度。在瞬态补偿场景中，决定能否“顶住”的关键是：在目标Δt内输出所需能量，并且在允许的温升与电压跌落范围内通过足够大的脉冲电流。　　高功率输出：在GPU负载突变、电网波动时，传统铅酸电池由于化学反应速度慢、内阻高，其动态电荷接受能力会迅速恶化，导致在毫秒时间内无法及时响应。混合型超级电容能够在1-50ms内完成瞬时补偿，随后BBU备用电源提供分钟级备电，保障母线电压平稳，显著降低主板和GPU死机风险。　　体积与重量优化：体积与重量优化：在以“同等可用能量(由 V_hi→V_lo 电压窗口决定)+相同瞬态窗口(Δt)”为对比口径时，LIC 缓冲层方案相较传统电池备电通常可显著降低体积与重量(体积可减少约 50%～70%，重量可减轻约 50%～60%，典型值无公开出处，需项目验证)，释放机柜空间与风道资源。(具体比例取决于对比对象规格、结构件与散热方案，建议在项目口径下对比验证。)　　充电速度提升：LIC具备高倍率充放电能力，回充速度通常高于电池方案(速度提升5倍以上，可实现接近十分钟快充，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。回充时间由系统功率余量、充电策略与热设计共同决定，建议以“回充到 V_hi 所需时间”作为验收指标，并结合重复脉冲温升进行评估。　　循环寿命长：LIC 在高频充放电工况下通常具备更高循环寿命与更低维护压力(100万次循环寿命，6年以上寿命，是传统铅酸电池方案的约200倍，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。循环寿命与温升极限请以具体规格与测试条件为准，从全生命周期角度有助于降低运维与故障成本。　　图2：混合储能系统示意：　　锂电池(秒–分钟级)+ 锂离子电容LIC(毫秒级缓冲)　　以英伟达GB300参考设计的日本武藏CCP3300SC(3.8V 3000F)为对标，在公开规格参数维度具备更高容量密度、更高电压以及更高容量：4.0V的工作电压与4500F的容量，带来了更高的单体能存储能量，在相同模组体积下提供更强的缓冲能力，确保毫秒级响应能力不打折扣。永铭SLF系列混合型超级电容关键参数：额定电压：4.0V;标称容量：4500FDC内阻/ESR：≤0.8mΩ持续放电电流：200A工作电压范围：4.0–2.5V　　采用永铭混合型超级电容的 BBU 就近缓冲方案，可在毫秒级窗口内对直流母线(DC Bus) 提供大电流补偿，提升母线电压稳定性;在同等可用能量与瞬态窗口的对比口径下，缓冲层通常更有利于降低空间占用并释放机柜资源;同时更适配高频充放电与快速恢复需求，降低维护压力。具体效果请以项目口径验证为准。　　选型指南：场景精准匹配　　面对AI算力极限挑战，供电系统的创新至关重要。永铭SLF 4.0V 4500F混合型超级电容，以扎实的自主技术，提供了高性能、高可靠的国产化BBU缓冲层解决方案，为AI数据中心实现稳定、高效、集约化的持续进化提供了核心支撑。　　如您需要获取详细技术资料，我们可提供：规格书、测试数据、应用选型表、样品等支持。同时请您提供：母线电压、ΔP/Δt、空间尺寸、环境温度、寿命口径等关键信息，以便我们快速给出配置建议。　　Q&A板块　　Q：AI服务器的GPU负载可能在毫秒内飙升150%，传统铅酸电池响应跟不上。永铭锂离子超级电容具体的响应时间是多少，如何实现这种快速支撑?　　A：永铭混合型超级电容(SLF 4.0V 4500F)依托于物理储能原理，内阻极低(≤0.8mΩ)，能够实现1-50毫秒级别的瞬时高倍率放电。当GPU负载突变导致直流母线电压骤降时，它可以近乎无延迟地释放大电流，直接对母线进行功率补偿，从而为后端BBU电源的唤醒与接管争取时间，确保电压平滑过渡，避免因电压跌落引发的运算错误或硬件死机。　　文末摘要　　适用场景：AI 服务器机柜级 BBU(备用电源单元)，直流母线(DC Bus)存在毫秒级瞬态功率冲击/电压跌落风险的场景;适用于“混合型超级电容 + BBU”的就近缓冲架构，用于短时断电、电网波动、GPU 负载突变下的母线稳压与瞬态补偿。　　核心优势：毫秒级快速响应(补偿1-50ms 瞬态窗口);低内阻/大电流能力，提升母线电压稳定性并降低意外重启风险;支持高倍率充放电与快速回充，缩短备电恢复时间;相较传统电池方案更适合高频充放电工况，有助于降低维护压力与全生命周期成本。　　推荐型号：永铭方形混合型超级电容SLF 4.0V 4500F
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发布时间：2026-01-15 14:28 阅读量：652 继续阅读>>
永铭丨破解<span style='color:red'>AI服务器</span>CPU/GPU供电困局：纳秒级瞬态如何稳压？MHz噪声怎样滤除？
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永铭丨破解AI服务器CPU/GPU供电困局：纳秒级瞬态如何稳压？MHz噪声怎样滤除？

　　本文摘要：AI芯片的算力狂奔，正将其供电网络推向极限。核心电压降至0.8-1.2V，单相电流冲击达百安级，导致VRM输出端出现纳秒级(10-100ns)的瞬态电流缺口与MHz级开关噪声干扰。传统电容因ESR高、高频阻抗大，已成为系统稳定的短板，而国际高端方案又存在供应链风险。本文解析供电末端三大核心指标，并以永铭MPS系列超低ESR叠层固态电容(导电性聚合物片式铝电解电容器)的实测对标数据为例，为工程师提供一条性能对标国际、供应自主可控的高可靠性取代路径。　　前言：供电末端的“隐形守卫”正在重新定义　　对在AI服务器追求极致算力的道路上，供电完整性(PI)是稳定性的基石。CPU/GPU的纳秒级负载阶跃如同“电流风暴”，若VRM输出电容无法在控制环路响应前(微秒级)的纳秒级空窗期快速补能，将直接导致核心电压下陷，引发计算错误或降频。与此同时，MHz开关噪声若未被吸收，会干扰高速信号。因此，输出电容已从“基础滤波”升级为“精准保障”的最后储能缓冲与噪声泄放通道。　　三大核心指标：为何传统方案力不从心?　　纳秒级瞬态支撑：ESR是决胜关键。响应速度取决于内阻，≤3mΩ的超低ESR是满足纳秒级电荷快速释放的刚性门槛。　　MHz级噪声抑制：高频阻抗特性至关重要。电容必须在开关频率及其谐波段保持极低阻抗，才能为噪声提供有效对地通路，保障PCIe/DDR等信号完整性。　　高温长寿命：匹配数据中心7x24h严酷工况。105℃下2000小时寿命及高纹波电流能力(>10A)，是应对长期高温应力、降低运维成本的基础。　　方案落地：永铭MPS系列·对标国际的国产化高价值选择　　永铭MPS系列直击上述痛点，关键参数与国际一线品牌(如松下GX系列)对标，实测表现卓越。　　简述：全温区容量/ESR曲线平滑，2000h老化测试后参数衰减优于行业平均水平，具体数据可在官网查看完整测试数据。　　Q&A　　Q：如何验证MPS电容在具体项目中的纳秒级支撑能力?　　A：建议在目标板上进行实测：使用电子负载模拟芯片的瞬态电流阶跃(如100A/100ns)，同时用高频探头监测核心电压的跌落幅度。对比更换MPS电容前后的电压波形，其更低的下陷值(Undershoot)和更快的恢复时间即为直接证据。　　结语：算力时代，稳定性同样重要　　在算力竞争与供应链自主化的双重驱动下，供电链路的每一个元件都关乎系统竞争力。永铭MPS系列以对标国际的性能实测数据、本土供应链的快速响应与成本优势，为AI服务器供电末端提供了可靠的国产化选择，助力中国AI基础设施行稳致远。　　文末摘要　　适用场景：AI服务器/高性能计算服务器CPU/GPU的VRM输出端。　　核心优势：纳秒级瞬态支撑(ESR≤3mΩ)、高效MHz噪声抑制、高温长寿命(105℃/2000h)、国产化高价值替代。　　推荐型号：永铭MPS系列超低ESR叠层固态电容(导电性聚合物片式铝电解电容器) (如：MPS471MOED19003R)。　　行动号召：获取规格书、完整测试报告与样品，请联系AMEYA360客服。　　【测试与数据声明】　　1. 数据来源：数据来源与测试声明：　　永铭MPS系列数据来源于其官方发布规格书。　　松下GX系列规格数据援引自其公开规格书，其关键性能指标(如ESR、纹波电流)已由我方实验室通过自有设备，对采购的样品(样品通过公开渠道采购)在同等测试条件下进行了验证性测试。　　本文中的性能对比基于以上来源，旨在进行客观的技术分析。　　2. 测试目的：所有测试均在同等条件下进行，旨在为工程师提供客观、可参考的技术性能比对。　　3. 局限性说明：测试结果仅对送测样品在特定测试条件下负责。不同批次、不同测试方法可能导致数据差异。　　4. 商标与知识产权：文中提及的“Panasonic”、“松下”、“GX系列”等均为其权利人的商标或产品系列名称，仅用于识别对标产品。本文数据对比不构成松下公司对我方产品的任何认可或背书，亦无贬损之意。　　5. 开放性验证：我们欢迎基于同等标准和条件的技术交流与验证
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发布时间：2026-01-09 14:12 阅读量：591 继续阅读>>
太阳诱电：扩充面向<span style='color:red'>AI服务器</span>的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化
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太阳诱电：扩充面向AI服务器的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

　　太阳诱电株式会社研发出2012尺寸(2.0×1.25mm)下的100μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC")，在商品化，并已开始量产。　　该产品是一种用于IC电源线的去耦MLCC，主要应用于AI服务器等信息技术设备。在9月份商品化的1005尺寸基板内置型MLCC的基础上，进一步扩充的产品阵容。　　内置在基板上的部件，为了与电路连接，要求外部电极具有高精度的平坦性。因此，本公司通过提升外部电极形成技术等多种关键技术，成功实现了2012尺寸下100μF的基板内置型MLCC的商品化。　　该商品已于2025年11月在玉村工厂(群马县佐波郡)开始量产。本公司的样品价格是1个120日元。　　以AI服务器为代表的具备高级信息处理能力的设备，搭载了功耗极高的IC。对于此类电源电路的去耦应用，需要采用小型且大容量的MLCC来满足大电流需求。　　此外，为了将电路上的损耗和噪声降至最低，将电源电路布置在IC附近至关重要。传统的电源电路布置在IC周围，但如今技术发展已实现在基板背面或IC正下方内置等更近距离的配置方式。特别是对于基板内置型MLCC，为实现与导线的连接，具备高精度外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电通过提升外部电极形成技术等工艺，成功实现了2012尺寸的基板内置型MLCC的商品化，其容量达到100μF。　　今后我们将继续推进MLCC的产品开发，并致力于实现更大容量等方面的进步。　　用途　　以AI服务器为首的信息设备中用于IC电源线的去耦用途　　规格
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发布时间：2025-12-12 16:16 阅读量：749 继续阅读>>
士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力<span style='color:red'>AI服务器</span>电源系统创新升级
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士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级

　　2025年11月，杭州士兰微电子正式加入开放计算标准工作委员会。开放计算标准工作委员会(Open Compute Technology Committee)，简称OCTC，是中国电子工业标准化技术协会所属分支机构，主要成员来自数据中心上下游产业单位，旨在联合最终用户、系统厂商、核心组件供应商、科研院校，建立适用于新型数据中心的先进技术标准，完善产业链生态，推进产业健康、快速发展，满足国家对于数据中心绿色、集约、高效发展的要求。　　开放共建，协同创新，共筑芯未来　　杭州士兰微电子股份有限公司是国内最具规模、产品门类齐全的半导体IDM企业之一，已构建完整的IDM经营模式，覆盖从芯片设计、制造到封装的全产业链环节。公司拥有5吋、6吋、8吋和12吋的多条硅芯片生产线，以及6吋和8吋SiC功率器件芯片生产线。　　依托在功率半导体领域的深厚积累，士兰微电子为人工智能数据中心电源系统提供了“功率器件 + 电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、Multiphase Controller IC、DrMOS、eFuse、POL等产品系列，全面支持AI服务器电源系统中SST、HVDC、PSU、IBC、Hotswap、BBU、VRM等应用，持续赋能算力基础设施发展。　　士兰微电子人工智能数据中心电源系统产品方案(Powering AIDC)　　展望未来，随着人工智能(AI)技术快速发展，数据中心作为数字经济重要基础设施，对能源消耗需求日益增加。应对AI数据中心的碳排放挑战，士兰微电子通过功率半导体技术和产品创新，助力提升数据中心“从电网到核心”全链路能源转换效率，为实现数据中心绿色、高效、可持续发展贡献“芯”力量。
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发布时间：2025-12-10 17:20 阅读量：705 继续阅读>>
矽力杰<span style='color:red'>AI服务器</span>48V散热风扇解决方案
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矽力杰AI服务器48V散热风扇解决方案

　　随着AI算力需求爆发式增长与智能制造的持续升级，数据中心的热密度不断攀升，散热系统已成为保障关键基础设施稳定运行的“生命线”。无论是散热风扇还是水泵，其精准控制都离不开预驱芯片这一“神经中枢”。　　矽力杰SQ55560作为一款专为无传感器三相BLDC电机设计的驱动IC，集成了正弦电流控制与灵活闭环算法，不仅大幅减少外部元器件数量、简化电路结构，更在散热风扇小型化方面提供了关键技术支持。　　芯片简介　　矽力杰SQ55560是一款最高支持80V电压的三相无刷风扇驱动芯片，专为BLDC应用设计。其内置MTP内存，支持免MCU系统配置，集成单电流采样、无传感器控制算法和四线制功能，集成12V Buck，尽可能简化外围BOM，有力推动散热系统的小型化进程。　　矽力杰SQ55560具备过欠压、过流、短路、开路、堵转、过温等多重保护功能，支持顺逆风启动，显著提升设备运行可靠性。同时，支持多种转速控制方式，灵活适配多样化应用场景。内置的Buck DC-DC转换器具备抖频功能，有效优化芯片的EMC表现。　　◆ 电源电压范围：6-80V　　◆ 睡眠模式　　◆ 集成多种电源模块　　♢ 高效率12V Buck DC-DC带抖频功能　　♢ 电荷泵升压电路　　♢ 5V LDO　　◆ BLDC无传感器正弦电流控制　　♢ 单电阻采样　　♢ 支持正反转控制　　♢ 顺/逆风启动　　♢ 开闭环调速控制　　♢ FG转速反馈　　♢ MTP存储用户配置与速度曲线　　◆ 标准I2C通讯　　◆ 四线制支持SP/FG复用为I2C通讯端口　　◆ 多样的转速控制模式　　♢ PWM频率/占空比　　♢ 模拟VSP电压　　♢ I2C　　◆ 全面的保护功能　　♢ 可调节死区　　♢ 堵转检测　　♢ 短路/开路/过流/过欠压/过温保护　　◆ QFN4*4-32封装四线制解决方案应用框图　　服务器风扇测试板(直径22mm)　　核心优势　　集成BUCK，精简外围BOM　　矽力杰SQ55560内置12V BUCK电路，只需外接一个4.7uF电容及一个47uH电感即可工作，最大程度减少芯片外围BOM。整个应用电路，除三相桥6个MOS及母线电容外，最少只需1个4.7uF/25V电容，2个220nF/25V电容，1个1uF/10V电容，1个47uH电感及一个母线采样电阻，最大程度减少外围BOM，从而实现更小PCB设计并减少物料成本。最少系统应用　　三相无感正弦电流控制，重塑设备静谧体验　　通过精准的正弦电流跟踪，有效降低电机转矩脉动，从源头减少系统噪声与振动，为散热风扇与水泵注入“静音基因”，提升机房硬件稳定性、延长寿命、优化机房环境并降低运维成本，助力高效可靠的数据中心运营。　　极速响应，瞬间启动　　采用高效环路控制，动态响应速度快，可在3秒内完成从0到全速域的极速跃升。高并发任务不“降频”，急速热响应让服务器“满血输出”。　　顺风逆风皆稳启，保障设备极端环境可靠运行　　矽力杰独创算法，面对大型数据中心机柜布局、环境扰动与负载波动形成的极端气流环境亦能稳定启动——让复杂风况尽在掌控，确保服务器散热始终稳定可靠。　　引脚复用，四线制赋能免拆机调试　　矽力杰SQ55560具备四线制功能，通过SP/FG引脚复用为I2C通讯引脚(SCL/SDA)，实现了调试接口与功能接口的一体化整合。这一功能允许用户在设备组装完成后，直接通过原有风扇连接线进行参数配置与状态监控，无需拆卸外壳或额外部署通讯线缆，大幅提升调试与维护效率。　　结语　　矽力杰SQ55560以“高集成度、低振动、易配置”三大核心优势，推动无刷风扇驱动从“功能实现”向“智能化体验”升级，为下一代智能散热系统提供坚实的技术支撑。
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发布时间：2025-11-19 13:44 阅读量：862 继续阅读>>
ROHM推出适用于<span style='color:red'>AI服务器</span>的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET
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ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

　　2025年11月11日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1 范围的100V 耐压功率MOSFET“RS7P200BM” 。该款产品采用5060 尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。　　RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S(8.0mm×8.0mm尺寸)封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。 　　新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围，同时，还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻(RDS(on))*3 4.0mΩ(条件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃)。通过抑制通电时的发热，有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷，进而进一步降低电力成本。　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。本产品已经开始通过电商进行销售，可咨询AMEYA360客服。　　未来，ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。　　开发背景　　随着AI技术的飞速发展和普及，搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其在热插拔电路中，能够应对浪涌电流*4和过负载、实现稳定运行的宽SOA范围功率MOSFET至关重要。另外，在数据中心和AI服务器领域，为了节能而正在加速向电源转换效率的48V电源系统转型，如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电路成为当前的技术课题。　　ROHM通过推出符合市场需求的5060尺寸封装新产品，进一步强化适用于AI服务器热插拔电路的100V耐压功率MOSFET产品阵容。未来，ROHM将继续致力于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，进而为提升服务器系统的可靠性和节能性能做出贡献。　　应用示例　　48V系统AI服务器和数据中心电源的热插拔电路　　48V系统工业设备电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　AGV(自动引导车)等电池驱动的工业设备　　UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　关于EcoMOS™品牌　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　术语解说　　*1) SOA(Safe Operating Area)　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3) 导通电阻(RDS(on))　　MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*4)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。
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发布时间：2025-11-11 17:42 阅读量：781 继续阅读>>
太阳诱电：面向<span style='color:red'>AI服务器</span>，实现1005尺寸下22μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化
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太阳诱电：面向AI服务器，实现1005尺寸下22μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

　　太阳诱电株式会社研发出1005尺寸(1.0×0.5mm)下的22μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC")，在商品化，并已开始量产。　　该产品是一种用于IC电源线的去耦MLCC，主要应用于AI服务器等信息技术设备。　　内置在基板上的部件，为了与电路连接，要求外部电极具有高精度的平坦性。因此，本公司通过提升外部电极形成技术等多种关键技术，成功实现了1005尺寸下22μF的基板内置型MLCC的商品化。　　该商品已于2025年8月在玉村工厂(群马县佐波郡)开始量产。本公司的样品价格是1个20日元。　　以AI服务器为代表的具备高级信息处理能力的设备，搭载了功耗极高的IC。对于此类电源电路的去耦应用，需要采用小型且大容量的MLCC来满足大电流需求。　　此外，为了将电路上的损耗和噪声降至最低，将电源电路布置在IC附近至关重要。传统的电源电路布置在IC周围，但如今技术发展已实现在基板背面或IC正下方内置等更近距离的配置方式。特别是对于基板内置型MLCC，为实现与导线的连接，具备高精度外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电通过提升外部电极形成技术等工艺，成功实现了1005尺寸的基板内置型MLCC的商品化，其容量达到22μF。　　今后我们将继续推进MLCC的产品开发，并致力于实现更大容量等方面的进步。　　■用途　　以AI服务器为首的信息设备中用于IC电源线的去耦用途
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发布时间：2025-10-21 14:30 阅读量：675 继续阅读>>

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