ROHM面向车载48V系统开发出M<span style='color:red'>OS</span>FET新产品“AG16xFNxx系列”!
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ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”!

　　中国上海，2026年5月28日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。　　新产品采用HPLF5060(4.9mm×6.0mm)和DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装，与车载MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装相比，有望进一步实现小型化。另外，HPLF5060封装采用鸥翼型引脚*1，DFN3333封装的引脚采用可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术*2，均有助于提升电路板安装时的可靠性。同时，通过铜夹片键合*3技术提升散热性能，使得新产品能够支持大电流。该系列产品均符合AEC-Q101车规标准，满足车载产品严苛的可靠性要求。　　从2026年4月起，新产品AG160FNS4FRA(HPLF5060封装)和AG166FNH7FRA(DFN3333封装)已投入量产(样品价格：500日元/个，不含税)。另外，新产品已开始网售，通过电商平台均可购买。ROHM计划在近期进一步扩充这些封装的产品阵容。此外，公司也已着手开发TOLG(TO-Leaded with Gullwing)封装产品(9.9mm×11.7mm)，以进一步扩充大功率、高可靠性的80V耐压MOSFET产品群。　　<开发背景>在车载领域，以高端车型为主的汽车对电力的需求不断增长，48V系统作为替代以往12V系统的高效供电手段受到广泛关注，预计其在2030年前后将得到普及。为进一步降低损耗，要求相应的MOSFET为80V耐压产品，而非通常的100V耐压产品。为满足这一需求，ROHM新开发出80V耐压的MOSFET产品。该产品兼具小型化与高安装可靠性，能够满足不断发展的车载市场多样化需求。　　<应用示例>车载48V系统：主驱逆变器控制电路、电机、电动水泵 等　　<关于EcoMOS™品牌>EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。　　EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　“EcoMOS™”是ROHM Co.，Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>*1) 鸥翼型引脚　　引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。　　*2) 可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术　　一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。　　*3) 铜夹片键合　　替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用Cu夹片(扁平金属桥)直接连接的一种技术。
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发布时间：2026-05-28 14:41 阅读量：409 继续阅读>>
罗姆的SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
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发布时间：2026-05-28 09:23 阅读量：360 继续阅读>>
ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案丨通过PMIC与DrM<span style='color:red'>OS</span>的组合，实现更适合SoC的电源设计，并满足未来高性能化的需求~
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ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案丨通过PMIC与DrMOS的组合，实现更适合SoC的电源设计，并满足未来高性能化的需求~

　　中国上海，2026年5月19日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案，该方案非常适用于ADAS(高级驾驶辅助系统)、DMS(驾驶员监控系统)和感测摄像头等车载应用的SoC*3。　　该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求，灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrMOS，从而能够支持从低端到高端的各类SoC，并可根据其处理性能和功能实现具备扩展性的电源配置，有助于减少机型扩展时的工时，并提升电源效率。另外，构成该解决方案的产品均符合车规级可靠性标准AEC-Q100，可确保高可靠性。Main PMIC具备车载SoC应用所需的输出电压范围和灵活的电源时序控制功能，能够灵活应对不同SoC制造商、乃至同一SoC的不同代次和不同等级对电源的差异化要求。同时，还内置了电压、电流和温度监控及保护功能，确保车载应用所需的高可靠性和安全性。Main PMIC“BD96803Qxx-C”和“BD96811Fxx-C”是适用于低端SoC的、预期以单体形式使用的产 品 。 另 一 方 面 ， Main PMIC“BD96805Qxx-C” 和 Sub PMIC“BD96806Qxx-C” 通 过 与DrMOS“BD96340MFF-C”进行组合，能够应对SoC中更低电压和更大电流的需求，具备出色的扩展性。新产品已经开始量产。详细信息请联系ROHM销售代表或通过ROHM官网的“联系我们”垂询。　　<开发背景>近年来，随着ADAS的日益成熟、车载摄像头的功能提升以及ECU整合程度的不断提高，车载SoC正朝着高性能化的方向快速发展。与此同时，在ECU整合的背景下，汽车电子电气架构向域控架构*5的转型，正在推动以域控制器为核心的系统不断扩大应用。伴随着这一趋势，业界对以低电压、大电流驱动SoC的电源设计、精准的电源时序控制以及优异的可靠性提出了比以往更高的要求。另一方面，以往的电源设计需要针对每个SoC制造商、每一代产品的差异化要求进行个别应对，且在机型扩展时还需要重新设计电路，导致设计工时和验证负担增加，这是其一大课题。针对这些课题，ROHM基于“可配置(Configurable)”的设计理念，开发出了通过组合PMIC和DrMOS来灵活优化配置的电源解决方案，该方案不仅可以根据SoC的性能和应用进行高效的电源设计，还能够满足未来的性能提升需求。　　<应用示例>高功率SoC：ADAS、DMS、座舱集成系统等　　中等功率SoC：全景环视系统、泊车辅助系统等　　低功率SoC：感测摄像头、车身控制、各种传感器控制等　　<术语解说>*1) PMIC(电源管理IC)　　一种内含多个电源系统、并在一枚芯片上集成了电源管理和时序控制等功能的IC。与单独使用DC-DC转换器IC、LDO及分立元器件等构成的电路结构相比，可以显著节省空间并缩短开发周期，因此近年来，无论在车载设备还是消费电子设备领域，均已成为具有多个电源系统的应用中的常用器件。　　*2)DrMOS　　集成了MOSFET和栅极驱动器IC的模块。其结构很简单，不仅有助于缩短设计周期，还可减少安装面积并实现高效率的功率转换。另外，其内部配有栅极驱动器，MOSFET的驱动也稳定，可确保高可靠性。　　*3)SoC(System-on-a-Chip)　　将CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)、存储器、接口等集成于一枚电路板上的集成电路。因其可以实现出色的处理能力和功率转换效率并能节省空间，而被广泛应用于车载设备、消费电子和工业设备领域。　　*4) Configurable PMIC　　输出电压和电源时序可根据应用进行设置，并且能够根据不同的SoC和系统规格灵活应对电源配置的电源管理IC。　　*5) 域架构(Domain Architecture)　　将安装在车辆上的多个ECU(Electronic Control Unit)按功能域进行集中管理的结构。　　在各个功能域中，统管多个ECU的上层控制单元称为“域控制器”。
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发布时间：2026-05-20 10:08 阅读量：488 继续阅读>>
核芯互联丨纯CM<span style='color:red'>OS</span>工艺 宽带混频器芯片CLMX5548E / CLMX5549E · 2GHz~15GHz高性能无源双平衡混频器
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核芯互联丨纯CMOS工艺 宽带混频器芯片CLMX5548E / CLMX5549E · 2GHz~15GHz高性能无源双平衡混频器

　　在微波射频领域，混频器是收发系统的核心器件。核芯互联依托自主研发的纯CMOS工艺，成功推出CLMX5548E与CLMX5549E两款高性能宽带混频器芯片，以超高集成度、超宽带宽和出色的线性度，为5G通信、探测感知、卫星调制解调等应用提供极具竞争力的国产化解决方案。　　核心技术优势　　纯CMOS工艺打造 · 高集成度设计　　纯CMOS工艺    3.3V单电源    QFN 3mm×2mm    超宽温 -55℃~125℃　　区别于传统的III-V族工艺(如GaAs)，核芯互联采用标准纯CMOS工艺实现微波混频器，带来显著的成本优势与供应链安全性。片上集成RF巴伦、LO放大链路、可选LO倍频器及偏置控制电路，大幅降低系统BOM成本和设计复杂度。　　典型应用框图　　CLMX5549E采用无源双平衡混频架构，RF与IF端口可互换，片上集成LO驱动放大器和可选倍频器，仅需0dBm本振输入即可驱动。下图展示了TDD收发链路中的典型应用及芯片内部框图。　　图1. TDD收发链路典型应用(左)及CLMX5549E内部框图(右)　　CLMX5548E · 差分IF宽带混频器　　CLMX5548E是一款高性能无源双平衡宽带混频器，集成内部RF巴伦，支持2~15GHz超宽带RF频率。其突出特点是采用差分IF端口设计，支持DC~6GHz的IF带宽，特别适用于IF频率延伸至500MHz以下的低频应用场景。　　▎核心性能指标　　适用场景　　IF频率在500MHz以下的超宽带应用，如宽带探测、零中频/低中频接收机、DC耦合基带处理系统等。差分IF端口可直接对接差分IF放大器或差分滤波器，简化信号链设计。　　CLMX5549E · 单端IF宽带混频器　　CLMX5549E与CLMX5548E功能类似，区别在于集成了片上IF巴伦，所有RF、LO、IF端口均为单端50Ω匹配，使用更加便捷。推荐用于IF频率在500MHz以上的应用场景，覆盖2~14GHzRF带宽。　　▎核心性能指标　　适用场景　　IF频率在500MHz以上的标准中频应用，如5G微波回传、C/X/Ku波段探测、卫星通信调制解调器等。片上集成IF巴伦，无需外部巴伦器件，进一步减少外围元件数量。　　实测性能曲线　　下图展示了CLMX5549E在下混频模式下，全频段(4~15GHz)的变频损耗与IIP3随RF频率的变化曲线。在25℃典型温度下，变频损耗稳定在10~15dB范围内，IIP3保持在23~27dBm的高线性度水平，充分体现了纯CMOS工艺的高性能优势。　　图2. 下混频变频损耗与IIP3 vs RF频率(LO功率=0dBm，IF=100MHz，25℃/55℃/85℃/125℃)　　线性度与端口隔离度　　CLMX5549E具备出色的线性度和端口隔离性能。输入P-1dB在IF全频段内保持在13dBm以上，IF端口对RF和LO的隔离度分别优于45dB和55dB，有效抑制了信号泄漏和本振馈通。　　图3. 输入P-1dB vs IF频率　　图4. IF端口隔离度 vs IF频率(IF-RF / IF-LO)　　选型建议：IF频率在500MHz以下，或需要差分IF接口的场景，首选CLMX5548E;IF频率在500MHz以上、追求使用便捷性的场景，推荐CLMX5549E。两者均支持上/下变频、LO倍频器可选、双向RF/IF端口互换等灵活配置。　　核芯互联 · 让射频设计更简单　　CLMX5548E与CLMX5549E以纯CMOS工艺实现高性能宽带混频功能，集成片上巴伦与LO驱动链路，以极小封装和极简外围，帮助工程师快速构建5G通信、探测感知、卫星链路等射频系统。核芯互联将持续深耕射频芯片领域，为客户提供更多高品质、高性价比的国产化射频解决方案。
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发布时间：2026-05-20 09:24 阅读量：513 继续阅读>>
低空经济背后的“隐形翅膀”：捷捷微电M<span style='color:red'>OS</span>FET如何破解无人机电调温控与效率难题？
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低空经济背后的“隐形翅膀”：捷捷微电MOSFET如何破解无人机电调温控与效率难题？

　　当植保无人机在低空穿梭喷洒，当物流无人机承载重物精准投递，很少有人注意到——决定它们能否“飞得稳、活得久”的核心，藏在指甲盖大小的MOSFET里。　　作为无人机电调(ESC)的“动力开关”，MOSFET的性能直接决定了整机效率、温升与可靠性。近日，捷捷微电披露了其无人机专用MOSFET系列的技术细节与应用成果。今天，小编带你看懂这颗“隐形芯片”如何撑起低空经济的半边天。　　电调：无人机的动力心脏　　无人机飞行中，电机转速每秒可调数十次。电调负责将电池的直流电逆变为三相交流电，并精准控制电流大小——而这一过程的核心执行者，正是MOSFET功率器件。　　在启动、急刹、俯冲等极端工况下，电调瞬间电流可达额定值的3-5倍。此时，MOSFET不仅要承受高压大电流，还要尽可能减少自身发热(导通损耗)。一旦失控，轻则炸机，重则引发电池起火。　　这些场景最依赖MOSEFT　　不同无人机对功率器件的需求差异显著，捷捷微电梳理了主流机型的应用关联度：　　数据显示，消费级多旋翼与农业植保无人机占据了MOSFET用量的70%以上。随着无人机向“大载重、长续航”演进，电调功率从数十瓦跃升至数千瓦，这对MOSFET的功率密度、开关特性和散热设计提出了更高要求。　　针对上述痛点，捷捷微电推出了覆盖30V-1700V的全电压系列MOSFET/SiC方案，并通过三大核心技术实现突围：　　1.第四代(G4)40V低压SGT MOSFET　　性能超越国内竞品　　这是当前无人机市场的“绝对主力”(市占率70%)。捷捷微电G4系列通过晶圆结构优化+封装工艺升级，实现了两大突破：　　· 更低损耗：RSP(单位面积导通电阻)、FOM(品质因数)等关键参数行业领先，对比国内竞品功耗降低约5%-10%;　　· 更强鲁棒性：UIS(单次雪崩能量)耐受能力优于国际大厂同级产品，极端工况下不易损坏。　　进阶预告：性能更优的第五代(G5)平台已在验证中，产品性能达到行业领先水平。　　2.先进封装技术　　向"热"与"密"要性能　　当晶圆性能逼近物理极限，封装成了提升功率密度的关键：　　· 5×6 全Clip封装：取代传统打线，寄生电感降低30%，电流承载能力提升20%;　　· 双面散热(PowerJE 5x6)/顶部散热(PowerJE 5x7)：针对高密度板卡设计，散热效率提升15%以上，解决无人机狭小空间内的“热积聚”难题。　　3.高可靠性验证　　作为IDM企业，捷捷微电实现了晶圆自主可控，产品一致性远超代工模式。目前，其MOSFET已通过多家头部无人机客户的飞行测试与量产验证，在高温、振动、潮湿等极端环境下表现稳定。　　捷捷微电在终端客户协同下，以主打型号JMSH04007G4L(40V/334A)为例，将其与某国际大厂主流产品(竞品A)进行了对标测试：　　捷捷微电VS某国际大厂主流产品　　结论：在核心指标上，捷捷微电G4系列已实现对国际大厂的直接对标，部分参数甚至更优，且具备更高的性价比与供货保障。　　经过市场验证，捷捷微电产品在无人机严苛的功率控制场景中展现了优异的长期稳定性和极具竞争力的性价比，帮助客户在激烈的市场竞争中赢得先机。针对不同功率等级的无人机，捷捷微电提供了丰富的型号选择：　　捷捷微电产品选型表　　低空经济风口已至，功率半导体的竞争才刚刚开始。捷捷微电正以“晶圆迭代+封装创新”双轮驱动，为无人机厂商提供更高效、更可靠的动力解决方案。
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发布时间：2026-05-18 11:22 阅读量：438 继续阅读>>
ROHM开发出第5代SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET，高温下导通电阻可降低约30%！
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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：625 继续阅读>>
维安双面散热M<span style='color:red'>OS</span>FET：大功率应用首选
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维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　随着智能硬件产品快速迭代，MOSFET 小型化、高功率密度、低功耗已成为核心发展趋势。　　新能源汽车与 AI 服务器的爆发式增长，进一步推动了各类新型PowerPack 一体化功率模块的快速发展。30V–100V 低压大功率 MOSFET应用需求持续旺盛，功率和散热成为一大难点。　　维安推出 双面散热 MOSFET ，通过封装创新进一步优化散热性能，推动器件整体方案升级。　　双面散热与顶部散热：　　1.两种散热方式在散热器端都需要进行绝缘处理。　　2.双面散热的冷却效果最好。　　3.顶部散热冷却效果次之，但背部可以放置元器件。　　传统PDFN56使用底部散热时，MOSFET 产生的大部分热量只会传递到 PCB，由于其热阻大，因此 PCB 温度会升高。　　PDFN56双面散热DSC增加了另一条散热路径(底部通过 PCB 散热，顶部通过外露铜夹片和散热片散热)，以快速消散 MOSFET 芯片中产生的热量，通过热仿真得出，约有 30% 的热量通过顶部传递，而传递到 PCB 的热量明显减少。　　双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力：　　1.Rthjc_Bottom 改善10%　　2.Rthjc_Top 改善将近 23%　　3.Rthja 改善将近3.5倍　　空气自然对流(顶部无散热片)器件温升对比：　　*在顶部无散热片的情况下，采用PDFN56双面散热较传统的PDFN56底部散热，至少可以降低近9℃。　　顶部加散热片器件温升对比：　　* 顶部增加散热片，用热电偶测量散热片贴合器件顶部的位置，此时将器件和散热片视为一个系统，整体的温升用来和顶部无散热片进行对比分析，具体分析数据如下：　　*采用PDFN56双面散热，可以将大于30%的热量通过顶部散热片传导出去，较传统的PDFN56底部散热的热传导提升了近28%，可以更好的保障器件温度平衡，提升可靠性及稳定性。　　1/ 双面散热　　2/ 顶部散热　　产品特点　　WAYON 双面散热MOSFET　　卓越的品质因数(FOMs)　　业界领先低导通电阻　　高可靠性、高品质　　先进的厚铜clip技术　　封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060　　热性能改善将近3.5倍　　典型应用　　WAYON 双面散热MOSFET　　BMS　　高性能开关电源DC转换与整流　　机器人关节电机驱动　　无人机电调　　成功案例　　典型应用AGV(电机驱动器)　　型号：WMBD030N10HG4　　项目背景　　一、系统电压48V，充饱和电压60V，考虑到反电动势，客户要求选用100V产品;由于最大相电流52A，堵转电流为最大电流1.3倍;　　二、MOS测试条件：考虑到电机堵转(类似举重物达到最大扭矩，速度最低的时候)，MOS需要在这个条件下持续2秒时间不失效。　　项目结果　　在新一代机型上，所开发的双面散热产品WMBD030N10HG4，客户已测试OK，开始批量应用。
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发布时间：2026-04-21 10:26 阅读量：626 继续阅读>>
4月研讨会报名中！ROHM Nch LV M<span style='color:red'>OS</span>FET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案
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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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发布时间：2026-04-10 09:29 阅读量：587 继续阅读>>
再添新将！基于三星Exynos Modem的广和通5G模组Fx550正式全球量产
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再添新将！基于三星Exynos Modem的广和通5G模组Fx550正式全球量产

　　3月31日，广和通宣布：基于三星Exynos Modem平台开发的5G模组Fx550(包含LGA封装的FG550及M.2封装的FM550)已正式实现规模化量产。该产品的推出及量产不仅标志着广和通与三星战略合作的深度落地，更将为全球5G FWA(固定无线接入)及泛IoT领域，如无线固话、MiFi、行业网关等提供兼具极致性能与卓越可靠性的连接方案。　　强强联手：共筑5G连接新高度　　此次量产是广和通与三星达成深度战略合作的核心成果。三星5G芯片方案历经全球市场的海量出货验证，以其高度的稳定性、卓越的射频性能及广泛的全球兼容性著称。双方通过技术整合，旨在发挥各自在芯片底层架构与行业应用积累上的优势，共同推动5G技术在全球垂直行业的深度渗透与普及。　　三星电子执行副总裁兼系统LSI 调制解调器研发团队负责人Jungwon LEE：　　三星很高兴能深化与广和通的战略合作，共同推进面向全球市场的下一代 5G 连接解决方案。 广和通Fx550 模块的成功量产，印证了双方在为固定无线接入(FWA)和宽带物联网(IoT)应用提供前沿连接时，对创新、性能和可靠性的共同承诺。在AI时代，我们正共同构筑更智能、更互联的行业基石。　　　　广和通无线解决方案事业群副总裁兼MBB事业部总经理陶曦表示：　　非常荣幸能与三星电子达成独家合作，并率先实现大规模量产，并实现市场验证进入泛IoT领域。随着Fx550-EAU、JP、MEA等多个区域版本的同步推进，广和通将助力全球企业在高速连接的赛道上跑出‘加速度’。　　　　核心优势：Fx550 赋能行业数字化转型　　Fx550模组依托三星Exynos Modem平台，在先进制程、传输标准及组网灵活性上树立行业新标杆：　　• 支持 Rel.16 标准，赋能高可靠通信　　Fx550全面兼容 3GPP Rel.16 标准，凭借低时延、高带宽的特性，精准满足FWA与泛IoT领域对实时数据交互与大容量传输的需求。　　• 多载波聚合技术，突破速率上限　　在SA模式下，Fx550支持最高 NR 5CC 载波聚合(200MHz频宽)，下行峰值速率达 4.67Gbps。在较窄的射频带宽内灵活、高效聚合离散化频谱的差异化能力，为全球运营商提升用户体验提供了独特的商业价值，最终赋能行业和家庭客户。在NSA模式下，Fx550最大支持 NR 2CC + LTE 5CC 聚合，下行速率高达 6.47Gbps。在LTE网络下，Fx550最大支持Cat.20，完美覆盖全球4G实网能力。多载波聚合技术突破能有效助力运营商提升频谱利用率，在复杂网络环境下确保极速连接。　　• 开放架构，优化系统成本　　Fx550 采用高性能 Modem 架构，已完成与行业主流 AP(应用处理器)方案，如博通、瑞昱等的深度适配。这种深度兼容性赋予了开发者更灵活的设计选择空间，在保证整机性能的同时，实现开发成本的最优控制，更为全球ODM提供了多样化的产品选择，助力终端客户打造产品差异化优势。此外，Fx550还兼容Linux、OpenWRT、RDK-B、PrpIOS等OS，有利于FWA整机快速开发、复用软件资产，且能够快速升级到最新的Wi-Fi Mesh版本、提高CPE设备的Wi-Fi兼容性。　　全球布局：多版本覆盖主流市场　　为满足不同地域的入网标准，Fx550 同步推出了 FG550-EAU(欧洲/亚洲/澳洲)、FM550-EAU(欧洲/亚洲/澳洲)、FG550-JP(日本)、FG550-NA(北美)以及 FG550-MEA(中东/非洲) 等多个区域版本。目前，Fx550可为全球多个地区提供产品服务与技术支持。　　Fx550 实现量产是广和通构建 5G 全球生态的关键一步。未来，广和通将继续携手三星等全球产业伙伴，深耕 5G 技术创新，通过不断迭代的连接解决方案，加速 5G FWA 及IoT应用在全球范围内的繁荣与普及。
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发布时间：2026-04-01 09:34 阅读量：847 继续阅读>>
拥抱软件定义汽车新时代：基于瑞萨RH850/U2A的<span style='color:red'>OS</span>XY虚拟化平台解决方案
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拥抱软件定义汽车新时代：基于瑞萨RH850/U2A的OSXY虚拟化平台解决方案

　　2026第七届软件定义汽车论坛暨AUTOSAR中国日于3月18-19日在上海举办。此次活动由盖世汽车、AUTOSAR组织、嘉定区投资促进服务中心、上海智能汽车软件园联合主办。大会聚焦软件定义汽车，围绕车载通信解决方案、SOA架构、车云计算、智驾域中间件、高性能计算软件平台等行业焦点进行讨论，吸引主机厂、核心零部件企业、芯片厂商、基础软件供应商及创新科技企业的600余位嘉宾线上线下参会。　　作为在汽车电子领域长期深耕的行业伙伴，瑞萨电子深刻洞察这一趋势与挑战。在本次活动中，瑞萨电子汽车MCU高级产品经理朱桦先生受邀出席并发表题为《瑞萨新一代RH850与OSXY虚拟化平台完美共振》的精彩演讲。重点介绍了瑞萨推出的基于RH850/U2A MCU的OSXY虚拟化平台解决方案，为软件定义汽车(SDV)提供了理想的车载计算基石。　　瑞萨电子汽车MCU高级产品经理 朱桦 　　1.应对区域控制器痛点，虚拟化成为必然之选　　随着汽车电子电气架构从分布式向域控制/区域控制演进，传统多ECU方案面临集成困难、成本高昂和资源利用率低等挑战。区域控制器(ZCU)需整合来自不同域(如车身、动力、底盘)的功能，这些功能往往由不同团队开发，具有混合安全等级(Mixed-Criticality)，对实时性和隔离性要求极高。　　瑞萨的解决方案核心在于引入Type-1 Hypervisor虚拟化技术。Hypervisor如同一个高度可靠的“超级管家”，直接运行在硬件之上，能够在一颗多核MCU上创建多个彼此隔离的虚拟机(VM)。每个VM可独立运行不同的操作系统(如AUTOSAR CP、Linux等)和应用程序，实现“一芯多系统”。这带来了三大颠覆性优势：　　全新的开发协作模式：项目初期即可为不同功能团队静态分配专属的CPU核心、内存及外设资源，实现物理级隔离。各团队可并行开发、独立验证，从根源上杜绝后期集成摩擦，责任边界清晰。　　功能模块化与无缝迁移：特定功能(如高级悬架控制CDC)可被打包成完整的VM“软件胶囊”，像积木一样在不同车型平台间快速复用和部署，极大提升了软件资产的复用价值，降低了移植成本。　　CPU资源的高效利用：通过静态分区保障安全关键任务的确定性实时响应，同时允许Hypervisor在核心间动态调配算力，让低负载核心的剩余算力支援高负载任务，实现多核SoC算力的最大化利用，杜绝“一核有难，多核围观”的资源浪费。 　　2.硬件赋能：RH850/U2A的虚拟化基因　　优秀的虚拟化平台离不开硬件的原生支持。瑞萨新一代RH850/U2A系列MCU，搭载G4MH高性能内核，并从芯片架构层面深度赋能虚拟化，为实现“可量产、可认证”的汽车级虚拟化平台奠定了坚实基础：　　空间隔离：硬件提供内核专属的虚拟机ID(VMID)和精细的内存保护机制，确保不同VM间的数据与代码完全隔离，互不干扰。　　时间隔离：内置专用性能监控单元(PMU)和低时延定时器，能够精确测量和控制每个VM的运行时间，满足功能安全对时序的严苛要求。　　实时性保障：采用面向实时性优化的中断模型，支持将中断直接注入目标VM，无需Hypervisor介入转发，从而将中断响应延迟降至与裸机运行无异，实测数据中断开销为0，完美保障了实时任务的性能。　　此外，RH850/U2A系列采用全球领先的28nm e-Flash工艺通过SG-MONOS存储单元结构创新、精密的电路设计(如字线驱动器应力缓解、分布式电源电压驱动器)以及针对汽车应用的系统级优化，成功解决了在先进工艺下实现高密度、高性能、高可靠性嵌入式闪存的挑战。在提供更大存储容量(最大16MB Flash)、更高性能(400MHz)的同时，实现了更低的功耗与发热，增强了供应链安全，并保持了与上一代产品的良好软件兼容性。 　　3.软件核心：基于BAO Hypervisor的OSXY平台　　瑞萨电子OSXY虚拟化平台解决方案是面向软件定义汽车(SDV)时代，专为应对汽车电子电气架构向区域控制(Zonal Architecture)演进挑战而设计的软硬件一体化方案。BAO Hypervisor是瑞萨电子OSXY虚拟化平台解决方案的核心软件组件：BAO Hypervisor提供极简可靠的软件隔离层，瑞萨提供强大的硬件虚拟化基石。两者共同构成了面向软件定义汽车(SDV)的软硬件一体化虚拟化方案。　　BAO Hypervisor是一款于2020年开源发布的静态分区型虚拟机管理器，专为混合临界性系统设计，其核心特点包括：　　极简可信：代码库精炼，易于进行功能安全认证(如ISO 26262)。　　静态分区：采用1:1的vCPU到pCPU映射和静态内存分配，行为确定，资源分配可预测。　　高效直通：支持设备直通和硬件中断直接注入，极大降低I/O延迟。　　瑞萨将BAO Hypervisor深度集成到其RH850/U2A硬件平台后推出的OSXY虚拟化平台解决方案直接回应了汽车电子电气架构向区域控制演进中的四大痛点：功能安全等级混杂、通信协议多样、软件架构复杂化、开发模式变革。通过“硬件虚拟化支持+开源静态分区Hypervisor+完善工具链”的组合，为行业提供了高效、安全、开放的开发与部署环境，助力汽车制造商更敏捷地响应市场变化。　　实测数据显示，在RH850/U2A@400MHz平台上，BAO Hypervisor的上下文切换时间仅为1.33~1.69微秒，最坏情况中断延迟(WCE Latency)低至2.7微秒，为高实时性任务提供了坚实保障。 　　4.开发生态：从配置到调试的全链条工具支持　　为降低开发门槛，瑞萨提供了业界领先的工具链集成方案：　　与AUTOSAR工具深度集成：开发者可在AUTOSAR配置工具(如ETAS ISOLAR)中直接图形化配置BAO Hypervisor及各VM资源，一键生成配置与代码，将集成验证周期从数天缩短至数小时。　　与IAR开发环境深度集成：提供跨核调试、VM状态实时监控、跨VM通信链路追踪等功能，实现复杂的多VM系统协同调试与性能分析。 　　5.典型应用：虚拟化区域网关与车身控制器　　该方案已成功应用于基于RH850/U2A8的虚拟化区域网关与车身控制器。通过利用VirtIO CAN/以太网驱动统一车载总线通信，并在一个独立的网关VM中集中处理路由逻辑，实现了网关与车身控制功能的单芯片深度融合。此方案消除了传统多核方案中的跨核锁争用，大幅降低CPU负载，并利用Hypervisor的严格分区确保了功能安全业务的物理隔离。　　结语　　在软件定义汽车的时代，软硬件协同创新与开放生态建设是成功的关键。瑞萨电子基于RH850/U2A的OSXY虚拟化平台解决方案，不仅提供了满足未来区域控制器需求的强大硬件基石，更通过深度融合BAO Hypervisor与完善的工具链，构建了一个高效、安全、开放的开发与部署环境。它使得汽车制造商能够更敏捷地响应市场变化，以软件创新持续为用户创造价值，共同驱动智能汽车产业的未来。
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发布时间：2026-03-26 10:08 阅读量：813 继续阅读>>

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