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栅极驱动器是如何控制<span style='color:red'>开关</span>的？

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栅极驱动器是如何控制开关的？

　　栅极驱动器是实现这些开关元件快速且精准控制的重要电路。开关器件如场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的高效驱动成为保证系统性能的关键。　　那么，栅极驱动器是如何控制开关的?　　什么是栅极驱动器?　　栅极驱动器是一种专门设计用来驱动功率开关器件的电子电路，主要作用是为场效应器件的栅极提供适当的电压和电流，从而控制开关的导通和关闭。由于功率开关器件通常具有较大的栅极电容，单纯依靠控制信号直接驱动往往无法满足快速切换的需求，因此需要栅极驱动器来提升驱动能力。　　栅极驱动器控制开关的原理　　提供驱动电压　　开关器件的导通与关闭主要由栅极电压决定。例如，MOSFET的栅极电压高于一定阈值时，器件导通;低于该阈值时，则关闭。栅极驱动器负责将控制信号转换成适宜的电压，确保开关管能稳定、快速地导通与关断。　　快速充放电栅极电容　　功率MOSFET和IGBT的栅极带有显著电容特性。栅极驱动器通过大电流脉冲迅速给栅极充电，使其快速达到导通电压。同时，当关闭开关时，驱动器提供通道将栅极迅速放电，防止开关在临界区停留过久，减少切换损耗和电磁干扰。　　隔离和电平转换　　在高压应用中，控制信号的电平可能与开关栅极所需电平不同，且存在安全隔离需求。栅极驱动器通常包含电平转换和隔离功能，确保控制信号安全且准确地控制高压开关。　　保护功能　　许多栅极驱动器集成过流、短路保护以及欠压锁定等功能，防止开关器件因异常工作而损坏，提高系统可靠性。　　栅极驱动器的工作过程举例　　以驱动一个N沟道MOSFET为例：　　当控制信号为高电平时，栅极驱动器输出一个比阈值电压高的电压，快速充电MOSFET的栅极，MOSFET开启，允许电流通过。　　当控制信号转为低电平，驱动器迅速将栅极电容放电至接近地电位，MOSFET关闭，停止电流流通。　　这种快速的切换过程减少了开关的过渡时间，降低了功率损耗和开关应力。　　栅极驱动器的重要性　　没有高效的栅极驱动器，功率开关器件的开关速度会变慢，导致更大的导通损耗和切换损耗，降低系统效率。同时，慢速切换也会引发更多的电磁干扰和开关异常。因此，栅极驱动器在电源管理、电机驱动、逆变器以及各种功率转换应用中起着核心作用。　　栅极驱动器通过精准控制开关器件的栅极电压，实现快速、可靠的开关动作，是现代功率电子系统不可或缺的部分。

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栅极驱动器

发布时间：2026-06-01 09:56 阅读量：286 继续阅读>>

村田| 20nA电流、1.2V驱动电压的<span style='color:red'>开关</span>用AMR磁性传感器

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村田| 20nA电流、1.2V驱动电压的开关用AMR磁性传感器

　　株式会社村田制作所面向医疗健康设备及可穿戴设备，新开发了低功耗、低电压驱动型AMR传感器‘MRMS166R’‘MRMS168R’，并已开始量产。根据村田截至2026年4月26日的数据，‘MRMS166R’将AMR传感器的消耗电流控制在低微水平，并实现了低电压驱动，是村田首款同时实现了平均消耗电流20nA与1.2V低电压驱动的AMR传感器。　　AMR传感器是一种与磁体组合使用、以非接触方式检测目标物位置或动作的磁性传感器。村田的AMR传感器可作为磁性开关使用，在小型医疗健康设备和可穿戴设备中，常用于将设备从待机状态切换至运行状态的“睡眠/唤醒功能”等应用场景。　　通过AMR传感器检测磁体的接近或离开，可实现设备在睡眠状态与运行状态之间的切换。睡眠/唤醒功能示意如下图：　　例如，当电子设备内置的AMR传感器与磁体接近时，设备处于睡眠状态;当检测到磁体离开时，则切换为运行状态。　　近年来，医疗健康设备与可穿戴设备的小型化进程不断推进，在这些设备中使用纽扣电池已成为主流。由于纽扣电池容量有限且多为一次性电池，因此要实现设备长时间运行，降低电子元器件的消耗电流至关重要。此外，在医疗健康设备中大量使用的氧化银纽扣电池电压为较低的1.55V，因此需要能够在低电压下运行的电子元器件。基于上述需求，用作磁性开关的AMR传感器也需要同时满足低消耗电流与低电压驱动需求。　　为此，村田通过对AMR传感器内部整体电路进行改进，开始量产可在最低1.2V下运行且平均消耗电流为20nA(Vcc 1.5V)的‘MRMS166R’。由此可降低设备待机状态下的电池消耗，即使使用小型纽扣电池，也可实现2年以上的运行时间。此外，该产品采用外形尺寸1.0×1.0mm的小型封装，非常适合搭载于安装空间有限的小型设备。　　凭借上述特点，村田‘MRMS166R’可支持医疗健康设备与可穿戴设备在小型化与长时间运行方面的需求。此外，村田还新增了专为3V驱动用途设计的‘MRMS168R(平均消耗电流80nA)’，用户可根据不同用途进行选择。　　主要特点　　消耗电流大幅降低　　AMR传感器‘MRMS166R’在电源电压Vcc(即驱动AMR传感器运行所需电压)为1.5V时平均消耗电流为20nA，可在很低的静态电流下运行，即使在使用容量受限的纽扣电池的设备中，也能够实现长时间运行。　　支持低电压驱动　　MRMS166R’可从1.2V开始工作，因此在电源条件受限的设备中也能够稳定运行。　　小型封装　　采用外形尺寸1.0×1.0mm的小型封装，可减少基板面积，便于搭载于小型设备。　　新产品主要用于医疗健康设备(胶囊内窥镜、医疗贴片、CGM)、可穿戴设备(AR眼镜、无线耳机)、安防相关设备(门开闭检测、智能门锁)等领域。　　今后，村田将继续推进AMR传感器低功耗化及产品线扩充，通过支持IoT设备的长时间运行与高功能化，为实现可持续社会作出贡献。

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村田

发布时间：2026-05-28 10:44 阅读量：411 继续阅读>>

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村田新款开关用途AMR磁性传感器开始量产，支持20nA低消耗电流与1.2V低电压驱动～有助于实现医疗健康设备与可穿戴设备的小型化及长时间运行～

　　主要特点　　消耗电流大幅降低　　AMR传感器‘MRMS166R’在Vcc(1)为1.5V时平均消耗电流为20nA，可在很低的静态电流下运行，即使在使用容量受限的纽扣电池的设备中，也能够实现长时间运行。　　支持低电压驱动　　‘MRMS166R’可从1.2V开始工作，因此在电源条件受限的设备中也能够稳定运行。　　小型封装　　采用外形尺寸1.0×1.0mm的小型封装，可减少基板面积，便于搭载于小型设备。　　(1)Vcc：指电源电压，是驱动AMR传感器运行所需的电压。　　主要用途　　医疗健康设备(胶囊内窥镜、医疗贴片、CGM)、可穿戴设备(AR眼镜、无线耳机)、安防相关设备(门开闭检测、智能门锁)等。　　株式会社村田制作所(以下简称‘村田’)面向医疗健康设备及可穿戴设备，新开发了低功耗、低电压驱动型AMR传感器‘MRMS166R’‘MRMS168R’，并已开始量产。　　‘MRMS166R’将AMR传感器的消耗电流控制在低微水平(1)，并实现了低电压驱动。是村田首款(2)同时实现了平均消耗电流20nA与1.2V低电压驱动的AMR传感器。　　(1)(2)由村田调查得出，截至2026年4月26日。　　AMR传感器是一种与磁体组合使用、以非接触方式检测目标物位置或动作的磁性传感器。村田的AMR传感器可作为磁性开关使用，在小型医疗健康设备和可穿戴设备中，常用于将设备从待机状态切换至运行状态的“睡眠/唤醒功能”等应用场景。　　[将AMR传感器作为磁性开关使用的睡眠/唤醒功能示意]　　通过AMR传感器检测磁体的接近或离开，可实现设备在睡眠状态与运行状态之间的切换。　　例如，当电子设备内置的AMR传感器与磁体接近时，设备处于睡眠状态;当检测到磁体离开时，则切换为运行状态。　　近年来，医疗健康设备与可穿戴设备的小型化进程不断推进，在这些设备中使用纽扣电池已成为主流。由于纽扣电池容量有限且多为一次性电池，因此要实现设备长时间运行，降低电子元器件的消耗电流至关重要。此外，在医疗健康设备中大量使用的氧化银纽扣电池电压为较低的1.55V，因此需要能够在低电压下运行的电子元器件。基于上述需求，用作磁性开关的AMR传感器也需要同时满足低消耗电流与低电压驱动需求。　　为此，村田通过对AMR传感器内部整体电路进行改进，开始量产可在最低1.2V下运行且平均消耗电流为20nA(Vcc 1.5V)的‘MRMS166R’。由此可降低设备待机状态下的电池消耗，即使使用小型纽扣电池，也可实现2年以上的运行时间。此外，该产品采用外形尺寸1.0×1.0mm的小型封装，非常适合搭载于安装空间有限的小型设备。　　凭借上述特点，村田‘MRMS166R’可支持医疗健康设备与可穿戴设备在小型化与长时间运行方面的需求。此外，村田还新增了专为3V驱动用途设计的‘MRMS168R(平均消耗电流80nA)’，用户可根据不同用途进行选择。　　今后，村田将继续推进AMR传感器低功耗化及产品线扩充，通过支持IoT设备的长时间运行与高功能化，为实现可持续社会作出贡献。

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发布时间：2026-05-11 14:11 阅读量：534 继续阅读>>

【新品介绍】Littelfuse/C&K 推出 TDB 系列超小型半间距表面贴装拨码<span style='color:red'>开关</span>

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【新品介绍】Littelfuse/C&K 推出 TDB 系列超小型半间距表面贴装拨码开关

　　新型镀金、可清洗拨码开关可在空间受限的设计中实现高密度 PCB 布局。　　美国伊利诺伊州罗斯蒙特、中国上海 — 2026 年 4 月 21 日 — 为安全高效的电能传输提供先进解决方案的领导企业 Littelfuse 公司(NASDAQ：LFUS)，今天宣布推出 Littelfuse/C&K® TDB 系列，这是一款超小型半间距表面贴装拨码开关系列，专为支持空间、可靠性和可制造性要求很高的高密度 PCB 设计而设计。　　图1. Littelfuse/C&K® TDB 系列　　随着电子系统的不断缩小，设计工程师面临着越来越多的挑战：如何在不影响电气性能或组装良率的情况下，将配置和寻址开关安装到日益紧凑的布局中。TDB 系列通过显著减小内部机构尺寸、提供 1.27 毫米的半间距尺寸来应对这些挑战，该尺寸可在保持稳健的电气和机械可靠性的同时实现更高的组件密度。　　TDB 系列采用镀金分叉触点，可实现稳定、低电阻的信号完整性，并采用顶带密封结构，支持自动表面贴装焊接和回流焊后水性清洗。TDB 系列是 C&K 的 TDA 系列的补充解决方案，为需要超紧凑表面贴装拨码开关的应用扩展了设计灵活性。　　TDB 系列的触点额定值高达 50 V DC、100 mA(稳态)，机械和电气寿命为 1,000 次循环，支持各种低功耗控制系统的可靠配置设置。这些开关与标准 SMT 工艺兼容，并提供管状或卷带包装，以支持大批量生产环境。　　“　　“在空间有限且可靠性不容置疑的情况下，TDB 系列能够满足设计工程师的需求，”Littelfuse 全球产品经理 Jesus Santos 表示，“其超小的封装、镀金触点和可清洗的密封性使设计即使在密集、苛刻的应用中也能实现自信。”　　TDB 系列配置选项　　目标市场和应用　　TDB 系列非常适合：　　工业控制设备　　电源和逆变器系统　　安防和火灾报警系统　　楼宇自动化和烟雾探测　　消费物联网和智能家居设备　　TDB 拨码开关常见问答　　01　　TDB 系列与传统拨码开关的区别是什么?　　TDB 系列采用半间距(1.27 毫米)表面贴装设计，可显著减小 PCB 尺寸，同时支持自动化 SMT 组装和可水洗工艺。　　02　　顶带密封件对生产有何好处?　　TDB 系列采用半间距(1.27 毫米)表面贴装设计，可显著减小 PCB 尺寸，同时支持自动化 SMT 组装和可水洗工艺。　　03　　设计师可以期待什么样的电气性能?　　TDB 系列采用半间距(1.27 毫米)表面贴装设计，可显著减小 PCB 尺寸，同时支持自动化 SMT 组装和可水洗工艺。　　04　　有哪些配置可用?　　TDB 系列采用半间距(1.27 毫米)表面贴装设计，可显著减小 PCB 尺寸，同时支持自动化 SMT 组装和可水洗工艺。　　05　　TDB 如何融入 C&K 的拨码开关产品组合?　　TDB 为 PCB 空间极为有限的设计提供了更紧凑的半间距替代方案，是对 TDA 系列的补充。　　供货情况　　TDB 拨码开关提供管状或卷带封装。通过全球任何一家 Littelfuse 授权经销商索取样品。如需了解 Littelfuse 授权经销商名单，请访问 Littelfuse.com。

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Littelfuse

发布时间：2026-05-09 13:17 阅读量：583 继续阅读>>

<span style='color:red'>开关</span>稳压器的种类及工作原理介绍

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开关稳压器的种类及工作原理介绍

　　开关稳压器作为电子电源设计中重要的组成部分，因高效率、小体积和良好的调节性能被广泛应用于各种电子设备中。与传统线性稳压器相比，开关稳压器通过开关元件控制能量的传递，极大地提升了电源转换效率。　　一、开关稳压器的基本概念　　开关稳压器利用半导体开关器件(如晶体管、MOSFET)周期性地连接和断开输入电源，通过储能元件(电感、电容)实现能量的调节和传递，从而获得稳定的输出电压。其核心在于调制开关元件的占空比(开关导通时间占总周期的比例)，控制输出电压大小。　　二、开关稳压器的主要种类　　1. 降压型开关稳压器　　工作原理：将输入电压通过高频开关降低到所需的较低稳定电压。开关导通时，电感储能;关断时，电感释放能量维持负载电流。　　特点：转换效率高，输出电压低于输入电压。　　应用：适用于电池电压转换、低压数字电路供电等。　　2. 升压型开关稳压器　　工作原理：开关闭合时，电感储能;开关断开时，电感通过二极管和输出电容向负载和输出电压输送能量，实现提升电压。　　特点：输出电压高于输入电压。　　应用：用于提供比输入电压更高的工作电压，如便携设备、LED驱动。　　3. 降压-升压型开关稳压器　　工作原理：结合降压和升压原理，输出电压可以高于或低于输入电压，响应更灵活。　　特点：输出电压极性可设定，适合电压范围变化大的场合。　　应用：电池电源管理、汽车电子等。　　4. 反激式稳压器　　工作原理：利用变压器储能，通过开关控制变压器初级侧电流，在关断时将能量释放到次级侧，实现电压变换和隔离。　　特点：提供电气隔离，结构简单，适应范围广。　　应用：电源适配器、充电器等。　　5. 推挽式与半桥式稳压器　　工作原理：采用两个开关交替导通驱动变压器，实现电压转换和隔离。　　特点：适合中大功率应用，效率高，输出稳定。　　应用：工业电源、高功率电视电源等。　　三、开关稳压器的工作原理详解　　开关稳压器的核心是对开关元件的周期性控制。通过调节占空比D，改变平均电压和电流，达到调节输出电压的目的。其核心步骤包括：　　开关管导通：电流流入储能元件(电感或变压器初级)，能量存储。　　开关管断开：储能元件释放能量，通过二极管和输出电容供电给负载。　　反馈控制：监测输出电压，调节开关占空比，实现稳压。　　四、开关稳压器的优势与应用领域　　高效率：转换效率普遍达到80%以上，减少热损耗。　　体积小：采用高频开关技术，大幅缩减变压器和滤波元件体积。　　宽输入电压范围：适应多种输入电压环境。　　广泛应用：手机、电脑、电源适配器、工业控制、汽车电子、LED照明等领域。　　开关稳压器因其高效、紧凑和灵活的特点，成为现代电源设计的主流技术。通过合理选择降压、升压、降升压、反激等不同结构的开关稳压器，工程师能够针对各种应用场景设计出高性能的电源解决方案。

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发布时间：2026-04-23 09:24 阅读量：573 继续阅读>>

瑞萨丨技术干货借助GaN双向<span style='color:red'>开关</span>革新电源设计

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瑞萨丨技术干货借助GaN双向开关革新电源设计

　　随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。氮化镓(GaN)以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。　　高电压GaN双向开关(BDS)通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助力打造更加高效、紧凑且更具成本效益的功率转换器。此类开关支持创新的单级功率变换器拓扑结构，从而在AI数据中心基础设施、太阳能微型逆变器、电池系统以及汽车车载充电器等应用中减少了元器件数量并提高了效率。　　单级功率转换　　利用瑞萨GaN BDS，设计人员可以摒弃带电解直流母线电容的传统两级式交流/直流转换器，实现元器件更少、重量更轻、效率更高的单级拓扑结构。此类拓扑支持双向能量流动，对于交流/直流转换和直流/交流逆变器均十分有用。这些设备还实现了非隔离多电平T型中点钳位(T-NPC)拓扑(如Vienna整流器)。这类拓扑具有更低的传导损耗，并且适用于三相AI基础设施和电机驱动器，同时提供双向流动特性并能降低EMI。　　Figure 1. Renesas GaN BDSs enable innovative topologies such as single-stage AC/DC converters, resulting in lower part count for smaller, lighter, more efficient power systems　　瑞萨电子的TP65B110HRU 650V、110mΩ高电压GaN双向开关可在单个器件中同时阻断正向和反向电流，与传统单向硅基或碳化硅开关相比，能够以更少的元器件实现更高效率的单级功率转换。该器件减少了开关数量并省去了太阳能微型逆变器中的中间直流母线电容，根据美国加州能源委员会(CEC)标准，其功率转换效率可达97.5%以上。　　这些创新的D模式氮化镓BDS产品具有650V连续电压额定值、低导通电阻、顶部散热的表面贴装封装(集成硅基MOSFET)，并与标准栅极驱动器兼容。对于设计人员来说，只要使用标准驱动器和简单的栅极电阻，驱动D模式氮化镓器件就和驱动硅基MOSFET一样简单。这与E模式氮化镓形成鲜明对比——后者需要额外元器件，不仅占用更多电路板空间，还会增加物料清单(BOM)成本和驱动损耗。　　Figure 2. GaN BDS implementation in a solar microinverter application and TP65B110HRU efficiency curves at different panel voltages, reaching 97.5% CEC efficiency　　该GaN BDS具有快速开关特性，以及清晰的波形和出色的效率(在太阳能微型逆变器中最高可达97.5%)。产品通过了JEDEC和其他针对氮化镓的可靠性标准测试(包括交流和直流偏置测试)，确保满足工业和汽车应用的稳健性要求。您可以在评估板用户手册和氮化镓BDS技术白皮书中阅读有关性能测试和资格认证的更多信息。　　亲自使用GaN BDS评估板来评估这些新型开关，测试不同的驱动选项，进行交流过零检测，并实施ZVS软开关。我们还将GaN BDS与其他兼容组件相结合，开发了系统级解决方案，以实现优化且低风险的设计，从而加快各类电力电子应用中的产品上市速度，其中包括500W太阳能微型逆变器、3.6kW功率因数校正(PFC)Vienna整流器以及多种单级家用电器。　　深入了解TP65B110HRU GaN双向开关及其在高能效电源系统中的应用，并阅读我们的白皮书以进一步了解该技术的架构设计及部署优势。

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瑞萨

发布时间：2026-04-21 09:38 阅读量：585 继续阅读>>

思瑞浦车规级高边<span style='color:red'>开关</span>TPW4020DQ，以硬核技术，重塑高端智能功率控制

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思瑞浦车规级高边开关TPW4020DQ，以硬核技术，重塑高端智能功率控制

　　在电气化与智能化浪潮中，高边开关作为连接数字控制与物理执行器的关键，其性能至关重要。为满足高端市场对性能、可靠性与智能化的极致需求，思瑞浦正式发布了新一代应用在车身电控的高端双通道智能高边开关TPW4020DQ。　　国产首发的大功率单die高边开关方案　　TPW4020DQ的问世，标志着思瑞浦在智能功率器件领域实现了多项关键突破。它并非一个简单的功率开关，而是一个集“驱动、感知、保护”于一体的智能功率管理与安全控制单元。产品的核心优势源于创新的VDMOS + BCD集成工艺平台与更全面的保护功能。国产高边芯片的传统方案中控制芯片和功率MOS芯片分开制造，在框架上通过打线互联。该方案的不足在于打线引入额外的寄生参数，在高频和大电流下对性能产生影响，可靠性不如单芯片集成方案。　　TPW4020DQ是国产第一颗大功率单die高边开关，将单通道导通阻抗降至20mΩ(常温25°C)的行业领先水平，极大降低了导通损耗和发热;同时优化了芯片布局和散热，为集成高精度监控电路释放了空间。TPW4020DQ保护功能的全面性与可靠性上对标国际厂商, 保护功能包括：过流/短路限流，以支持更严苛的大电容上电场景;绝对过热自保护及热梯度自保护;智能功率锁止;电源/地反接功率管自保护;电源/输出反接功率管自保护;丢地/丢电源自保护，过压/欠压保护等。　　TPW4020DQ产品特性：　　支持车载12V供电应用　　Typical导通阻抗20mΩ　　每通道5A持续过流能力　　输出2A时，电流检测精度达到±4%　　具有Reverse On和Inverse On保护功能　　Lose of GND保护功能　　工作温度：-40 ℃ 至 125 ℃　　封装：EQSOP14，与行业主流方案可直接Pin-to-Pin替换　　超宽电源工作范围，适配全场景车载电源　　图1为TPW4020DQ系统内部框图，思瑞浦凭借高边开关核心技术专利全覆盖，TPW4020DQ实现了行业领先的性能参数：　　工作电压范围宽达4-28V，集成了高精度的实时负载电流监控功能(在2A以上负载电流时，精度达到±4%)和多种电压钳位保护机制;　　TPW4020DQ单通道可持续输出10A负载电流(常温25°C)，瞬态输出电流能力高达50A，足以应对数倍于典型应用场景的浪涌电流如电机启动场景。　　独特的保护机制实现大容性负载上电　　将智能的Latch(锁存)保护机制和独特的Fault Retry机制有效结合，TPW4020DQ既能在检测到持续的过流或过温严重故障时，彻底关断通道并锁定，并需外部复位才能恢复开启，有效防止故障扩大;又能支持大电容负载的上电，避免上电过程被Latch保护机制终止。　　高标准可靠性测试，从容应对车载极端电压冲击　　在测试验证方面，TPW4020DQ还通过了ISO 7637-2、ISO16750-2标准车规波形测试、AEC-Q100-012重复短路可靠性测试和感性负载退磁Emax极限测试，其中AEC-Q100-012对高边开关短路可靠性有着极高的要求，TPW4020DQ在输出负载0uH/5uH电感的循环短路测试(>1000000次)后，仍能保证芯片的正常功能。此外，TPW4020DQ实现了Reverse On和Inverse On保护功能，前者可以在电源反接的情况下自动打开功率开关，后者可以在正常工作OUT反灌电流时仍保证功率开关不会被误关断，从而实现对功率开关的保护。　　赋能客户设计　　在中高端市场上，高边开关的需求繁杂多样，但如何找准需求，精准提供符合客户需求的产品，赢得市场认可，是芯片厂商在产品开发过程中的最大难题之一。　　思瑞浦采用“性能对标为基础，服务与成本为突破口”的策略，深入各行业挖掘核心痛点，开发贴合客户需求的高边开关产品。在性能上，思瑞浦在导通阻抗、单die设计能力、稳定性等关键指标上都已经实现国内领先水平，导通阻抗低至20mΩ，同时单die设计方案相较于合封方案寄生参数更小、集成度更高，可满足众多类型场景需求，这是构建竞争优势的基础。　　TPW4020DQ立足于工程师的实际设计需求，从四个方面构建了全方位的客户价值。　　成本优化与效率提升　　20mΩ的超低导通阻抗直接降低了功耗与散热成本，并采用EQSOP-14封装，与国际主流竞品引脚兼容，便于客户快速替换与升级。内部集成地网络节省了外部元件，降低了BOM成本与PCB占用，并进一步实现了电源反接耐受——即使在现场接线接反的意外情况下，芯片也能避免立即损坏，为系统提供了宝贵的容错能力。　　全场景的负载监控与线束可靠保护　　实时高精度的电流监控、丰富的诊断与保护机制。以车载系统为例，其电动助力转向电机、制动电磁阀、座椅调节电机、LED灯光系统等中依赖高精度电流反馈实现精准控制。高精度电流监测可以实时向域控MCU反馈负载的工作电流，MCU通过调整PWM占空比，精准控制电机扭矩、电磁阀开度、LED亮度等，实现更细腻的负载控制。同时，也能通过电流数据判断负载是否正常工作(比如电磁阀是否正常吸合、电机是否堵转)，及时调整控制策略。　　极端工作环境下的高系统鲁棒性　　车载环境存在强电磁干扰、电池电压大幅波动(比如启动时电压骤降、抛负载时电压骤升)、宽温域变化等恶劣条件。VS-GND和VS-IS电压钳位能够使芯片适应电压骤变，避免引起系统故障。VDS电压钳位和限流机制、绝对温度和温度梯度保护机制能够有效避免长距离布线在断电/短路时因走线电感续流或过流而引起系统故障。　　支持全生命周期的故障诊断与溯源　　满足ISO-26262功能安全的强制合规要求，在内部故障诊断的基础上(过流诊断、绝对温度与温度梯度诊断)，凭借高精度的电流监测有效区分正常波动与真实故障，避免误触发、漏触发，提升系统在复杂环境下的稳定性。　　关键应用场景，攻坚高端严苛应用　　TPW4020DQ将过流/短路限流、绝对与梯度过热保护、输出开路检测、丢地/丢电源保护、过压/欠压保护等完备的诊断与保护功能集成于一体。在实际应用中，扮演着三重角色——大功率负载驱动器、系统状态监测器的和故障风险熔断器。　　TPW4020DQ是对可靠性、安全性有极致要求场景的理想选择，其应用上可以覆盖以下几个方面：　　新能源汽车热管理与底盘控制　　用于直接驱动电子水泵、电子油泵、主动悬架电磁阀等。TPW4020DQ峰值70A限流能力应对启动冲击，Latch保护在故障时快速隔离，高精度电流监控用于状态监测与预测性维护，保障热管理与行驶安全。　　新能源汽车PDU与智能配电　　在区域控制器中驱动PTC加热器、鼓风机等TPW4020DQ电源反接保护特性，可避免装配错误导致的模块损坏，提升系统容错性。　　工业伺服驱动与机器人关节控制　　用于驱动制动器、抱闸线圈等。TPW4020DQ出色的抗反电动势能力和反复短路承受力，能确保急停、保持等动作的绝对可靠，保护设备与人员安全。　　高端电源与能源基础设施　　在UPS、服务器电源中作为智能固态开关。超低损耗提升效率，精准电流监控用于负载管理与故障定位，强大保护实现故障快速隔离。　　在复杂的工作环境中，一些故障更是对高边开关本身提出更加严苛的要求。图3以带4.7uH电感hard short短路(AEC-Q100-012)故障为例，触发限流保护过程开关电流峰值高达73A，随后触发温度梯度保护机制(关闭功率开关)，电感续流使功率开关VDS电压达到钳位电压(接近40V)，钳位过程最大电流高打50A，极高的瞬间功率给高边开关的可靠性带来严峻的挑战。　　图3中TPW4020DQ在短路故障发生后开始计时，并通过温度梯度保护机制不断Retry，计时达到TRetry后将开关彻底关闭从而保护相关应用。　　图3、输出带4.7uH hard short短路测试　　TPW4020DQ特别的故障Retry和Latch保护机制，实现智能功率锁止，使其能够支持更大电容负载的应用，图4所示为TPW4020DQ通过内部限流与温度保护控制的多次Retry过程，实现了输出带4.7mF电容的正常上电。而同样条件下，国外竞品带4.7mF电容的上电波形如图5所示。　　图4、TPW4020DQ输出带4.7mF电容上电　　图5、友商A输出带4.7mF电容上电　　TPW4020DQ的推出，是思瑞浦在高端智能高边开关领域的关键落子，精准响应了市场对高可靠性、高集成度国产功率器件的迫切需求，展现了思瑞浦以技术创新驱动，深耕汽车与工业核心市场的决心。　　未来，思瑞浦将继续围绕系统级解决方案拓展产品组合，并与生态伙伴深化合作，致力于成为全球智能功率管理与驱动领域的领导品牌。同时，思瑞浦也持续为客户提供从定制化方案设计、快速响应的技术咨询到全生命周期供应链保障的端到端支持，加速客户产品上市，共赢智能化未来!　　目前思瑞浦已推出多款车规级高边驱动芯片：　　TPS42Q20xQ：40V、4通道、2A/CH集成故障检测报错功能的高边开关;　　TPS42S40xQ：40V、单通道、4A高精度电流检测的高边开关;　　TPW20400xQ：15V、4/2通道、0.6A/CH、支持I²C通信、符合功能安全标准的高边开关。

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思瑞浦

发布时间：2026-03-27 10:47 阅读量：768 继续阅读>>

瑞萨电子推出首款650V双向GaN<span style='color:red'>开关</span>，标志着功率转换设计规范的重大变革

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瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关，标志着功率转换设计规范的重大变革

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布，推出业界首款采用耗尽型(d-mode)氮化镓(GaN)技术的双向开关——TP65B110HRU：该产品能够在单一器件中阻断正负电流的功能。该款器件主要应用于单级太阳能微型逆变器、人工智能(AI)数据中心和电动汽车车载充电器等系统，可大幅简化功率转换器设计，以单个低损耗、高速开关且易驱动的产品替代传统背靠背FET开关。　　单级拓扑结构：提升效率，减少元件数量　　目前高功率转换设计中所用的单向硅或碳化硅(SiC)开关在关断状态下仅能单向阻断电流。因此，功率转换必须分阶段进行，并使用多个开关桥接电路。例如，典型的太阳能微逆变器需采用四开关全桥电路完成第一级DC-DC转换，随后经第二级转换产生最终交流输出以接入电网。尽管电子行业正朝着更高效的单级转换器方向发展，但设计人员仍需应对开关器件本身的物理局限。因此现在许多单级设计都是采用背靠背的传统单向开关，导致开关数量增加四倍，整体效率降低。　　双向GaN技术的出现彻底改变了这一局面。通过在单个GaN产品中集成双向阻断功能，仅需更少的开关即可实现单级功率转换。以典型的太阳能微逆变器为例，仅需两颗瑞萨SuperGaN®双向高压器件即可——相较传统方案，可省去中间的直流链路电容器，并将开关数量减半。此外，GaN器件具备高速开关特性与低存储电荷，可实现更高开关频率和功率密度。在实际单级太阳能微型逆变器应用中，这种新型GaN架构由于无需背靠背连接和低效的硅开关，其功率效率可超过97.5%。　　兼具强劲性能与可靠性，兼容硅基驱动器　　瑞萨650V SuperGaN®产品已在市场中获得验证，其基于专有的常关断技术，具有驱动简单、可靠性高的特点。此次推出的TP65B110HRU将高压双向耗尽型GaN芯片与两颗低压硅基MOSFET进行共同封装。这两颗低压MOSFET具备高阈值电压(3V)、高栅极耐压裕量(±20V)以及内置体二极管，可实现高效的反向导通。相较于增强型(e-mode)双向GaN产品，瑞萨的这款双向GaN开关可兼容无需负栅极偏置的标准栅极驱动器。这不仅简化了栅极回路设计，降低了成本，还使其在软开关和硬开关操作模式下，均能实现快速、稳定的开关过渡，且不影响整体性能表现。对于维也纳式整流器等需要硬开关的电源转换拓扑结构，凭借其超过100V/ns的高dv/dt能力，该器件在开关导通/关断过程中可最大程度的减少振铃并缩短延迟。总而言之，瑞萨的这款GaN新品实现了真正意义上的双向开关功能，将高可靠性、高性能和易用性集于一身。　　Rohan Samsi, Vice President, GaN Business Division at Renesas表示：“将我们的SuperGaN技术拓展至双向GaN平台，标志着功率转换设计规范的重大变革。现在，我们的客户能够以更少的开关元件、更小的PCB面积和更低的系统成本，实现更高的效率。同时，他们还可借助瑞萨在系统级集成方面的优势——包括栅极驱动器、控制器和电源管理IC——来加速设计进程。”　　TP65B110HRU的关键特性　　±650V连续峰值交流/直流额定电压，±800V瞬态额定电压　　2kV人体模型ESD防护等级(HBM与CDM)　　25℃环境下典型导通电阻(Rdson)为110mΩ　　Vgs(th)典型值3V　　无需负驱动　　Vgs最大值±20V　　超过100V/ns的dv/dt抗扰度　　1.8V，VSS,FW续流二极管压降　　采用行业标准引脚布局的TOLT顶部散热封装　　瑞萨电子于2026年3月22日至26日，在美国得克萨斯州圣安东尼奥举行的国际应用功率电子会议(APEC)1219号展位上，展示这款最新双向GaN开关及其不断丰富的智能电源解决方案产品组合。　　供货信息　　TP65B110HRU双向GaN开关现已批量供货。客户还可选购RTDACHB0000RS-MS-1评估套件，用于测试不同驱动方案、检测交流零交叉点以及实现软开关功能。　　成功产品组合　　瑞萨将新型GaN双向开关与产品组合中众多兼容器件相结合，打造了500W太阳能微逆变器和三相维也纳整流器解决方案。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win　　感受瑞萨动力　　以创新、品质与可靠性为核心驱动，瑞萨引领功率电子行业的发展，每年出货量超过40亿颗组件，产品组合包括电源管理IC、分立和宽带隙GaN产品、计算功率器件等。这些产品覆盖汽车、物联网、基础设施和工业应用等所有主要市场。瑞萨的功率产品组合无缝对接其领先的MCU、MPU、SoC与模拟解决方案，借助数百种经工程验证的“成功产品组合(Winning Combinations)”以及PowerCompass™和PowerNavigator™等创新设计工具，显著简化并加速了客户设计流程。更多信息，请访问：renesas.com/power。

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发布时间：2026-03-25 13:11 阅读量：646 继续阅读>>

力芯微：可调启动时间的5V10A负载<span style='color:red'>开关</span>ET3164

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力芯微：可调启动时间的5V10A负载开关ET3164

　　产品概述　　ET3164是力芯微推出的一款单通道负载开关，它能够配置上升时间以减少浪涌电流。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，其输入电压范围为 0.1V 至 5.5V，且能够支持最大 10A 的连续电流。　　此开关由使能引脚(ON)控制，该引脚能够直接与低电压 GPIO 信号(VIH = 0.8V)对接。ET3164 器件设有一个可选的 QOD 引脚，用于在开关关闭时实现快速输出放电，并且输出的下降时间(tf)可通过外部电阻进行调整。设备上有PG信号，当主 MOSFET 完全导通时，可用于驱动下游负载。集成的热关断功能确保在高温环境下的保护。ET3164 采用 QFN10 封装，其在 - 40°C 至 + 125°C 的环境温度范围内可稳定运行。　　典型应用　　图1：ET3164 Application Circuit　　管脚定义　　图2：TOP VIEW

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发布时间：2026-03-04 17:14 阅读量：649 继续阅读>>

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高性能单刀单掷模拟开关 | 力芯微推出高性能音频开关

　　产品概述　　随着现代智能化的发展，各样式的产品对音频的要求也是不断变高的，需要保证音频信号的稳定传输，做到不失真以满足客户的需求。　　力芯微推出了专门为高性能音频和便携式设备而设计的，高线性度和低失真的高性能模拟音频开关。ET32123是一款单路SPST的高性能音频开关，可以传输负压信号(-5V 至 +20V)，高持续带载能力(±1500mA)，以及极低的导通内阻(85mΩ)，确保信号完整性和超低失真度。　　如图1展示的是ET32123应用在智能手机扬声器与听筒二合一的切换场景。　　产品特点　　电源电压范围(VCC)：2.3V~5.5V　　可通负压的传输电压范围(VIS)：-5V~+20V　　低导通内阻(RON)：85mΩ　　通道持续通流能力：±1500mA　　低待机功耗(ICC)：1uA　　低总谐波失真(THD+N)：-102dB　　支持1.2V逻辑控制　　工作温度范围：-40°C ~ 85°C　　典型应用图1：手机扬声器与听筒二合一的切换应用　　管脚定义图2：ET32123 TOP VIEW　　核心特点　　(1)低内阻(85mΩ)，可通负压的传输电压范围(-5V~+20V)。　　(2)-3dB带宽实测达180MHz。　　(3)优异的关断隔离度(-95dB@1kHz)，通道关断后对后级信号的影响极小。

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发布时间：2026-02-25 09:12 阅读量：996 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments

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