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纳芯微丨一颗<span style='color:red'>芯片</span>搞定BLDC驱动：NSUC1610高度集成电机控制方案解析

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纳芯微丨一颗芯片搞定BLDC驱动：NSUC1610高度集成电机控制方案解析

　　三相BLDC电机在汽车电子中应用十分广泛，例如座椅风扇、充电小门执行机构、主动进气格栅以及空调出风口等场景。对于这类车载小型执行机构，工程师通常希望在满足可靠性的同时，实现系统的低成本、小型化和轻量化设计。　　针对这一需求，纳芯微推出了专用小型电机驱动芯片 NSUC1610。该芯片在单器件中集成了车载高压LDO、LIN PHY、Gate Driver、MOSFET以及基于ARM内核的MCU，可为三相BLDC电机提供高度集成的控制方案，从而简化系统设计并提升车载电机控制的可靠性。　　本文将从BLDC电机的工作原理出发，介绍无感控制的基本方法，并结合NSUC1610的硬件架构解析其三相BLDC驱动方案的实现方式。1.BLDC工作原理　　图1.1 三相无刷电机磁链简图　　图1.2 BLDC感应电动势　　三相BLDC需要三个半桥驱动，其拓扑图1.3所示。　　图1.3 三相半桥逆变驱动结构　　2.NSUC1610 介绍　　NSUC1610内部集成了丰富的电机控制外设，包括 3路捕获比较模块(CAPCOM)、3路反电动势比较器(BEMFC)、模数转换器(ADC)、PWM控制模块、温度传感器、4路MOSFET半桥输出(MOUT)以及LIN通信接口(LIN PHY) 等。　　其中，片上的 4路MOUT半桥驱动可直接驱动小功率直流有刷电机、三相无刷直流电机以及两相四线步进电机，并可通过不同控制算法实现多种电机控制应用。　　此外，芯片内置的 BEMFC反电动势比较器支持BLDC电机反电动势过零检测，可用于实现BLDC电机的无感六步方波控制。　　图2.1展示了NSUC1610的内部资源框图。　　图2.1 NSUC1610内部资源框图　　3.基于NSUC1610的BLDC方波控制　　BLDC常见的控制方式为六步方波控制。在每个换相周期中，三相绕组中两相导通，一相悬空，通过按照特定的导通顺序切换各相绕组的通断状态，即可驱动电机实现顺时针旋转(CW)或逆时针旋转(CCW)。　　在 CW(顺时针)模式下，扇区切换顺序为：　　SECTOR0➝1➝2➝3➝4➝5➝0　　图3.1展示了扇区0~5对应的三相电流与反电动势波形，其中绿色曲线表示相电流，蓝色虚线表示相电压(反电动势)。　　图3.1 CW 模式下不同扇区对应的反电动势波形　　在 CCW(逆时针)模式下，扇区切换顺序为：　　SECTOR0➝5➝4➝3➝2➝1➝0　　扇区0~扇区5的三相电流和反电动势波形如图3.2所示。　　图3.2 CCW 模式下不同扇区对应的反电动势波形　　在一个电角度旋转周期内，BLDC三相绕组的相电压变化如图3.3所示。当发生换相时，原本导通的绕组会进入浮空状态，但由于线圈中仍然存在电流，电感电流无法瞬间降为零，因此会产生一段退磁时间(Demagnetization Time)。　　在这一阶段，绕组中的续流电流仍然存在，使得相电压主要由续流电流产生的电压分量决定，此时测得的反电动势信号尚不能准确反映转子位置。待绕组中的能量逐渐释放完毕后，绕组电压重新由切割磁力线产生的反电动势主导，此时的反电动势信号才可作为转子位置检测和换相控制的依据。　　图3.3 电机绕组三相电压波形　　图3.4 电机换相逻辑图　　BLDC无感六步方波控制的核心在于反电动势(BEMF)的过零检测。通过检测反电动势信号的上升沿或下降沿，可以确定转子的电角度位置，并进一步实现换相控制。　　下面介绍 NSUC1610 中反电动势过零检测的硬件实现方式。　　NSUC1610内部集成了三个反电动势比较器(BEMFC0、BEMFC1、BEMFC2)，用于实现三相反电动势的过零检测。比较器的输出结果可作为虚拟三相 Hall 信号，用于驱动三相BLDC无感六步方波控制算法。　　具体实现方式如下：三相电压的虚拟中性点(Virtual Star Point)连接至BEMFC0、BEMFC1、BEMFC2 的正向输入端;各相桥臂电压分别连接至比较器的反向输入端，其中：　　mout0 连接至 BEMFC0 的反向输入端　　mout2 连接至 BEMFC1 的反向输入端　　mout1 连接至 BEMFC2 的反向输入端　　其硬件连接关系如图3.5 所示。　　3.5 反电动势比较器的输入通道连接方式　　反电动势比较BEMFC模块的配置代码如下：BEMFC->CR2_b.BRM = 0; // 0：虚拟星点参考 1：相位电压参考BEMFC->CR2_b.BIS0 = 0; // 0：电压传感输入 1：电流传感输入BEMFC->CR2_b.BIS1 = 0; // 0：电压传感输入 1：电流传感输入BEMFC->CR2_b.BIS2 = 0; // 0：电压传感输入 1：电流传感输入　　BEMFC0、BEMFC1 和 BEMFC2 的比较输出分别连接至 CAPCOM0、CAPCOM1 和 CAPCOM2，用于实现反电动势过零点的捕获。其中：　　CAPCOM0 用于捕获 mout0 的过零点　　CAPCOM1 用于捕获 mout2 的过零点　　CAPCOM2 用于捕获 mout1 的过零点　　通过将 CAPCOM 的输入源配置为 BEMFC 比较器输出，即可在反电动势过零时触发捕获事件。配置代码如下：CAPCOM->CCR_b.CIS0 = 1; // CAPCOM source:0:GPIO 1:BEMFCCAPCOM->CCR_b.CIS1 = 1; // CAPCOM source:0:GPIO 1:BEMFCCAPCOM->CCR_b.CIS2 = 1; // CAPCOM source:0:GPIO 1:BEMFC　　当电机以 CW 或 CCW 方向旋转时，在同一扇区内浮空相的反电动势变化趋势保持一致，即呈现递增或递减的特性。　　以扇区0 为例，无论电机以 CW 还是 CCW 方向旋转，浮空相 MOUT2 的反电动势均呈递增趋势(↗)，因此需要检测其上升过零点。　　六个扇区中需要检测的通道及对应的反电动势变化趋势总结如表3.6 所示。　　表3.6不同扇区对应的检测通道　　CAPCOM在不同扇区的配置如表3.7所示。　　表3.7不同扇区CAPCOM配置　　通过上述配置，利用 NSUC1610 的片上资源即可实现对 BLDC 浮空相反电动势的检测与捕获。　　在 NSUC1610 的硬件模块与控制算法协同作用下，可实现 BLDC 从电机启动到速度闭环运行的完整控制流程。图3.8展示了 NSUC1610 驱动下的 BLDC 三相电压与电流波形。　　从测试结果可以看出，电机启动及运行过程中三相电流过渡平滑，未出现明显电流尖峰，验证了该方案能够实现稳定可靠的 BLDC 启动及闭环控制。　　图3.8 NSUC1610 驱动下的 BLDC 三相电压与电流波形　　通过将MCU、LIN通信、电机驱动以及功率MOSFET等功能高度集成在单芯片中，NSUC1610能够显著简化BLDC电机控制系统的硬件设计。结合内置反电动势比较器和CAPCOM模块，可实现稳定可靠的无感六步控制方案。　　该方案非常适用于汽车小型执行机构应用，例如主动进气格栅、充电小门以及座椅风扇等场景，为汽车电子系统提供了一种高集成度、低成本且易于开发的电机控制解决方案　　如需算法实现或技术支持，请联系 sc_marketing@novosns.com;如需样品及开发板支持，请联系 sales@novosns.com。更多产品信息与技术资料，敬请访问www.novosns.com。

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发布时间：2026-03-31 10:44 阅读量：301 继续阅读>>

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纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析：PSU、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案

　　随着人工智能算力需求的持续增长，数据中心服务器功率密度快速提升，驱动供电架构向更高功率等级与更高可靠性演进。在这一过程中，PSU、BBU 与 CBU 逐步形成协同供电体系，对电源系统的效率、稳定性与系统集成能力提出更高要求。　　围绕服务器供电架构的演进，本文重点解析 PSU 及 BBU、CBU 备电系统的设计逻辑与关键芯片需求。纳芯微基于供电与备电全链路，提供覆盖电流检测、电压采样、驱动控制、通信隔离及电源管理等环节的系统级芯片解决方案，支撑高功率服务器电源系统在效率与可靠性方面实现综合优化。　　1.PSU迈向高压与高功率密度核心供电单元　　在数据中心供电体系中，服务器电源模块(PSU)负责将交流电转换为稳定直流电源。近年来，随着AI服务器功率需求的提升，PSU功率等级也持续升级：从早期3kW、5.5kW级服务器电源模块，逐步发展到面向AI与云计算时代数据与算力中心的8kW、12kW、18kW级别，并进一步提升至面向下一代AI服务器的单体30+kW级PSU。高功率密度电源正在成为新一代数据中心基础设施的重要组成部分。　　随着功率等级的持续提升，大功率PSU输入形式也由传统单相交流变为了三相交流输入，输出电压也从传统的12V升上至48V(54V)或更高的HVDC电压(±400V或800V)，以降低电流并改善系统热设计条件。　　从系统结构来看，服务器PSU通常由功率因数校正(PFC)级和隔离DC/DC变换级构成。输入交流电首先在PFC级完成整流与功率因数校正，并建立稳定的高压直流母线(DC Link);随后通过LLC谐振变换级实现高效率隔离变换，输出稳定的12V、48V(54V)或HVDC电压，为服务器负载供电。　　随着功率密度要求的不断提升，PSU中的功率器件技术路线也在持续升级。宽禁带器件能够显著降低开关损耗，并支持更高开关频率，从而提升系统效率与功率密度。因此，PFC级逐步由传统Si MOSFET向SiC MOSFET演进，而LLC则开始越来越多地采用SiC或GaN器件。　　在此类高功率电源系统中，除了功率器件本身，电流检测、电压采样以及栅极驱动等模拟与隔离器件同样是系统稳定运行的重要基础。　　电流检测模块需要实时监测输入电流、谐振电流以及输出电流，以支持系统闭环控制与保护功能;电压检测模块用于实现母线电压与输出电压的精确采样;而隔离栅极驱动器则负责驱动Si、SiC或GaN功率器件，实现高速开关控制。　　在 PSU中，输入侧、谐振侧、输出侧与备电支路对电流检测的带宽、隔离等要求不同，因此可根据具体节点选择分流器+检测放大器、隔离放大器、霍尔电流传感器等不同实现方式。　　在电流检测方面，纳芯微提供包括NSM201x、NSM211x、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及 NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器在内的多种方案，可满足高带宽与高精度电流监测需求，为电源控制环路提供稳定的反馈信号。　　在高 dv/dt 开关环境下，隔离栅极驱动与隔离采样链路的 CMTI、延迟等特性将直接影响系统效率与稳定性。纳芯微提供多款隔离栅极驱动器，其中NSI6601、NSI6601M、NSI6601xE、NSI6801E系列单通道驱动器以及NSI6602V系列半桥驱动器，均可在高 dv/dt 环境下保持稳定驱动能力，适用于SiC与GaN功率器件的高速开关控制。　　此外，在系统电压检测与反馈控制环节，纳芯微提供NSI1400、NSI1300、NSI1200C、NSI1312、NSI1311、NSI1611及NSI36xx系列隔离放大器，以及NSOPA9xxx、NSOPA8xxx、NSOPA610x系列运算放大器，可实现高精度电压采样，为系统控制器提供稳定的反馈信号。通过在电流检测、电压采样及驱动控制等关键节点进行协同设计，可进一步提升服务器 PSU 系统的整体效率与可靠性。　　随着AI服务器功率持续提升，高功率、高效率服务器PSU将成为数据中心电源系统的重要发展方向。围绕功率器件驱动、隔离采样以及精密信号链等关键环节，高性能模拟与隔离芯片也将在下一代数据中心电源架构中发挥越来越重要的作用。　　2.BBU与CBU构建多层级备电体系的关键支撑　　BBU通常由锂电池组和DC/DC电源模块组成。当市电或主电源出现中断时，BBU可在短时间内为服务器系统提供持续供电，通常可维持数分钟，以保障关键数据完成写入，并支持系统安全关机。机架级BBU的输出能力通常需要与对应机架PSU的供电等级相匹配。　　在系统拓扑上，BBU中的DC/DC模块多采用非隔离双向变换结构，以实现电池充放电过程中的双向能量流动。常见实现方式包括多相Buck-Boost结构或四开关Buck-Boost拓扑，并由MCU或数字控制器实现电池管理与能量调度。　　在实际数据中心系统中，BBU与CBU承担的角色有所不同。BBU主要用于应对电源中断场景，提供分钟级持续供电;CBU更偏“毫秒到秒级”的瞬态功率波动的吸收或补偿。　　CBU通常采用超级电容作为储能介质。相比电池，超级电容具有更高功率密度、更快充放电速度以及更长循环寿命，更适合用于短时间功率补偿。　　当服务器负载发生快速变化时，CBU可以在极短时间内释放或吸收能量，从而稳定系统母线电压。在部分应用场景中，CBU也可在短时间掉电情况下提供瞬态能量支撑，保障关键系统状态平稳过渡。　　在系统架构上，CBU同样通过双向DC/DC模块实现超级电容与系统母线之间的能量交换，其拓扑结构通常与BBU类似，多采用Buck-Boost架构，并通过控制器进行动态调节。　　在BBU与CBU系统中，需要对电池或超级电容的电流、电压以及系统运行状态进行实时监测，同时通过驱动电路控制功率器件实现能量转换。因此，电流检测、电压采样以及通信隔离等功能模块是系统稳定运行的重要基础。　　针对上述需求，纳芯微提供多类关键器件解决方案。例如，NSM201x、NSM211x、NSM2311、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器可用于电池充放电电流检测;NS800RT1137、NS800RT3025系列MCU可承担系统主控功能，并结合NSI822x、NSI823x、NSI824x、NIRS21、NIRS31系列数字隔离器及NSI1042、NSI1050 隔离 CAN 接口，实现系统通信与隔离控制。　　在辅助电源(AUX power)部分，纳芯微提供覆盖反激与 Buck 拓扑的电源管理芯片，包括 NSR28C4x、NSR284x、NSR2240x、NSR2260x 系列反激电源芯片及即将发布的NSV2801/2系列，以及NSR1143x、NSR1103x系列 Buck 转换器，为控制、驱动、采样及通信模块提供稳定供电支撑，提升服务器供电系统的整体可靠性。　　随着AI服务器功率规模不断提升，备电系统在数据中心供电架构中的作用也愈发关键，通过合理的系统设计与关键芯片协同应用，可以有效提升服务器备电系统的稳定性与安全性。

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发布时间：2026-03-30 09:53 阅读量：381 继续阅读>>

一文了解逻辑<span style='color:red'>芯片</span>和处理器<span style='color:red'>芯片</span>的关系

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一文了解逻辑芯片和处理器芯片的关系

　　在现代电子与计算机技术领域，逻辑芯片和处理器芯片这两个概念经常被提及。它们虽各自拥有不同的功能和作用，但又存在密切的联系。　　一、什么是逻辑芯片?　　逻辑芯片是指实现各种逻辑功能的集成电路芯片，主要负责处理数字信号中的逻辑运算。例如与门(AND Gate)、或门(OR Gate)、非门(NOT Gate)等基础逻辑门芯片，以及更复杂的组合逻辑单元和时序逻辑电路。　　逻辑芯片包括基本逻辑门芯片、组合逻辑芯片、触发器、译码器、计数器等，这些芯片构成了数字电路的基础单元。它们按照设计要求，执行特定的逻辑功能，如加法、比较、数据传输控制等。　　二、什么是处理器芯片?　　处理器芯片，也称为中央处理器(CPU，Central Processing Unit)，是计算机系统中的核心部件。它是一个高度集成的复杂逻辑芯片，能够执行指令集中的各种操作，如算术运算、逻辑运算、数据传输和控制指令，实现对计算机硬件资源的调度和管理。　　处理器芯片内部由多个逻辑单元组合而成，包括算术逻辑单元(ALU)、寄存器组、控制单元、缓存等，这些单元通过逻辑电路协同工作，完成复杂的信息处理任务。　　三、逻辑芯片和处理器芯片的关系　　1. 组成关系　　处理器芯片可以看作是由大量逻辑芯片(逻辑单元)集成而成的复杂系统。换句话说，逻辑芯片是构建处理器芯片的基础模块，没有逻辑芯片的支持，就无法实现处理器芯片的功能。　　2. 复杂度区别　　逻辑芯片通常实现单一或特定的逻辑功能，结构相对简单。而处理器芯片是复杂的数字系统，涉及数千万甚至数十亿个晶体管，它整合了众多逻辑功能模块，能够执行多种指令和控制操作。　　3. 功能差异　　逻辑芯片多用于执行基本的逻辑判断和简单运算，是构建各种数字电路的底层构件;处理器芯片则具备全面的运算和控制能力，作为整个计算机系统的“大脑”，协调和管理系统的运行。　　4. 应用层次　　逻辑芯片广泛应用于各种数字电子产品的基础电路设计中，而处理器芯片则主要应用于计算机、智能手机、嵌入式系统等需要复杂计算和控制的设备中。　　逻辑芯片和处理器芯片是现代电子技术中的两个重要组成部分，逻辑芯片作为基本的电子功能模块，是处理器芯片实现其复杂功能的基石。处理器芯片则集成了大量逻辑电路，通过协同工作完成数据的计算、处理和控制任务。

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发布时间：2026-03-24 11:00 阅读量：356 继续阅读>>

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滤波器芯片常见故障现象分析

　　滤波器芯片作为电子系统中重要的信号处理模块，广泛应用于通信、音频、视频及各种自动控制设备中。其主要作用是滤除不需要的频率成分，保证信号的纯净和准确。然而，在长期使用过程中，滤波器芯片可能会出现各种故障，导致设备性能下降甚至失效。　　滤波器芯片常见故障现象　　信号失真或衰减异常　　设备中的信号经过滤波器芯片后，出现明显的失真或电平衰减，导致信号质量下降，音频出现杂音或通信信号丢失数据。　　工作频率偏移　　滤波器的截止频率或中心频率发生偏移，导致滤波效果减弱，无法有效过滤噪声或干扰信号。　　输出信号无响应或断路　　滤波器芯片无输出信号或输出信号幅度异常，可能导致后续电路无法正常工作。　　电路异常发热　　滤波器芯片温度异常升高，存在内部短路或电流过大现象，影响芯片寿命和电路稳定性。　　间歇性工作异常　　在特定环境或工作条件下，滤波器芯片出现偶发性故障，表现为信号间歇性异常或设备重启。　　造成故障的主要原因　　过压或过流损坏　　电压输入超过芯片额定范围，或者电流突变，使内部元件损坏，产生信号异常。　　元件老化或失效　　长时间运作导致内部电容、电感等元件性能下降，滤波特性改变。　　环境因素影响　　高温、潮湿及腐蚀性气体等恶劣环境易使芯片封装受损，影响其正常工作。　　焊接品质问题　　生产或维修过程中的焊接不良，导致接触不良或引脚断裂，造成输出信号异常。　　静电放电(ESD)损害　　芯片在装配或维护过程中未采取防静电措施，静电击穿内部电路。　　故障诊断与维护建议　　检测输入输出信号　　利用示波器或频谱仪检测滤波器输入输出，判断信号形态和频率变化。　　测量电源电压　　确认芯片供电是否正常，避免过压或欠压导致故障。　　检查芯片温度　　通过红外测温仪或触感判断芯片是否异常发热。　　目视检查焊点与封装　　查找明显裂纹、烧毁、松动等物理损伤。　　更换相同型号芯片　　通过替换法确认故障是否为芯片本身引起。　　滤波器芯片作为核心信号处理元件，其稳定性直接影响电子设备的性能和寿命。日常维护中，合理使用和防护是保障滤波器芯片正常工作的关键。

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发布时间：2026-03-20 14:59 阅读量：398 继续阅读>>

台式电脑中可能会用到哪些存储<span style='color:red'>芯片</span>？

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台式电脑中可能会用到哪些存储芯片？

　　台式电脑作为现代办公、娱乐和专业应用的重要工具，其性能很大程度上依赖于内部各种存储芯片的协同工作。存储芯片负责数据的存储、调用和处理，是计算机系统运行的基础组件。　　1. DRAM(动态随机存取存储器)　　DRAM 是台式电脑主内存的主要类型，用于暂时存储正在运行程序和数据。它速度快、容量大，但属于易失性存储器，断电后数据丢失。常见的DRAM类型包括DDR3、DDR4和DDR5等，随着技术发展，更新的标准提供更高的频率和带宽。　　2. SRAM(静态随机存取存储器)　　SRAM速度更快，但成本高，容量小，主要用作CPU缓存(Cache)存储。它不需要定期刷新，响应时间短，提升CPU的数据访问效率。　　只读存储器　　ROM芯片内置在主板或其他关键硬件中，存储固化的程序和数据，如电脑启动所需的BIOS或UEFI固件。ROM中的数据在断电后保存不变，保证电脑能正常启动和初始化硬件。　　闪存芯片　　闪存是一种非易失性存储器，常用于存储固件、配置数据和用户数据。　　1. 固态硬盘(SSD)中的NAND闪存　　现代台式电脑普遍配备SSD作为主要存储设备，使用NAND型闪存芯片存储操作系统、应用程序和用户文件。相较传统机械硬盘，SSD具有读写速度快、抗震性强和能耗低的优点。　　2. 主板上的固件存储芯片　　这些芯片通常为SPI闪存，存储系统的启动固件和BIOS设置。　　缓存存储器　　除SRAM外，CPU和其他高速处理器内部集成的缓存芯片也是存储芯片的一种，它们速度极快，减少了处理器访问主内存的延迟。　　显存　　显卡上搭载的显存芯片，通常为GDDR(图形双倍数据速率)类型，用于存储图形数据、纹理和帧缓冲。显存容量和速度直接影响游戏和专业图形处理的性能。　　其他专用存储芯片　　部分台式电脑中，还可能配备专用存储芯片，如CMOS存储芯片用于保存系统时间和 BIOS 设置，NVRAM(非易失性随机存储器)用于保存特定硬件状态信息。　　台式电脑中使用的存储芯片类型多样，每种芯片都有其专门的功能与特点。通过合理配置和选择这些存储芯片，能够有效提升电脑的整体性能和使用体验。

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发布时间：2026-03-19 16:00 阅读量：397 继续阅读>>

以电感式技术兼顾精度与可靠性, 纳芯微推出MT6901双码道游标算法电感编码器<span style='color:red'>芯片</span>

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以电感式技术兼顾精度与可靠性, 纳芯微推出MT6901双码道游标算法电感编码器芯片

　　近日，纳芯微宣布推出双码道游标算法电感编码器芯片MT6901，进一步完善其在高精度电机位置检测领域的产品组合。此前，公司已构建覆盖霍尔式与AMR磁阻式的磁编码器产品体系;随着 MT6901 的发布，形成了由磁编码器与电感编码器并行的技术布局，可覆盖从通用控制到高精度运动控制的不同需求，为伺服电机、步进电机及机器人关节等应用场景提供位置反馈方案。　　编码器是工业电机位置反馈的核心部件，其精度与稳定性直接影响了设备的控制性能。MT6901基于电涡流感应原理，结合双码道游标算法优势，在保证角度测量精度的同时提升环境适应能力。　　芯片通过激励线圈生成高频电磁场，并由接收线圈获取经转子调制后的信号，实现位置解算。该检测模式对强磁场干扰、电磁噪声及污染物不敏感，可确保在粉尘、油污或振动较强等较为恶劣的工业环境中确保信号输出稳定可靠。　　左图：编码器正面组件，集成MT6901芯片与外围器件;　　右图：编码器背面感应线圈层，与正面共用同一PCB基板。　　同时，MT6901拥有优秀的温漂特性，在温度变化场景中仍能保持高精度输出，整体可靠性显著优于传统方案。此外，该芯片同时支持电机旋转检测和直线运动控制，为各类工业设备与机器人系统的设计提供了更高的灵活度。　　MT6901凭借双码道信号处理架构，集成了自校准机制，在完成系统标定后芯片的积分非线性(INL)典型值可达到±0.02°;该精度表现可覆盖部分高端运动控制应用需求，在保证角度检测精度的同时，避免了光学编码器在复杂工业环境下易受干扰的可靠性问题，满足机器人关节等对动态响应和轨迹精度要求较高的场景。　　MT6901支持离轴安装方式，相较于传统轴向安装方式，可简化机械结构，为一些特殊结构设计提供了可能。　　在机器人关节应用中通常采用中空走线结构，以便在关节内部布置走线和电缆，电感式检测方案对导线电流干扰敏感度更低，抗干扰能力更强，结合离轴感应方式，可更好适配此类结构设计，简化装配并提升系统可靠性。　　为满足不同电机控制系统需求，MT6901配备了丰富的接口输出方式，包括 ABZ、UVW、PWM 及数字通信接口：　　ABZ：1–16384 PPR 可编程　　UVW：支持 1–16 极对配置　　PWM：12-bit 分辨率　　SPI：21-bit 输出　　UART：23-bit，最高 4.0 Mbps

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发布时间：2026-03-19 10:48 阅读量：467 继续阅读>>

ROHM推出超小型无线供电<span style='color:red'>芯片</span>组

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ROHM推出超小型无线供电芯片组

　　2026年3月17日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，针对智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用，推出支持近场通信技术(NFC，近距离非接触式无线通信技术)的无线供电IC芯片组“ML7670(接收端)”和“ML7671(发射端)”。　　近年来，以医疗保健和健身用途为核心的智能戒指市场发展迅速。但挑战在于对佩戴在手指上的环形超小设备而言，很难进行有线供电;而且常用的Qi标准*1无线充电技术也因线圈尺寸等因素的限制而难以运用。因此，业内将目光投向能在小型设备上实现可靠充电的近场供电方式。在这种背景下，采用可实现天线小型化的13.56MHz高频段的NFC供电技术备受瞩目，其在下一代可穿戴设备中的应用正在加速普及。ROHM已推出支持1W供电的ML7660/ML7661芯片组，此次又开发出针对小型设备优化的新芯片组ML7670/ML7671，助力可穿戴设备的升级和使用便利性提升。　　新芯片组是基于广受好评、最高可提供1W供电的“ML7660(接收端)”和“ML7661(发射端)”系列开发出来的衍生型号。新产品将供电量限制在最大250mW，同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件。因此，在安装面积和供电效率两方面均针对小型可穿戴设备(尤其是智能戒指)所需的功率等级进行了优化。　　接收端IC“ML7670”不仅保持2.28mm×2.56mm×0.48mm这一业界超小尺寸，在供电量250mW的低输出功率范围内工作时还实现高达45%的供电效率。新芯片组的一大优势是通过优化线圈匹配、整流电路以及降低开关器件损耗等要素，实现了超越同等产品效率水准的性能。　　而且，IC内部已经集成无线供电所需的固件，无需再外置主控MCU，这可大大节省所开发设备的空间并大幅减少开发工时。　　另外，由于符合NFC Forum*2标准(WLC 2.0)，因此可在保持与现有设备兼容性的同时实现供电，在日益普及的NFC无线充电系统中发挥着核心器件作用。　　新芯片组已投入量产。并且，日本自主研发并销售睡眠管理智能戒指“SOXAI RING”的SOXAI. Inc公司已在2025年12月10日发售的最新款“SOXAI RING 2”中采用了该芯片组。此外，为便于用户轻松评估产品性能，ROHM还提供评估板和参考设计。如有需求，欢迎联系AMEYA360垂询。　　未来，ROHM将继续利用可穿戴设备所需的小型化和低功耗技术优势推进产品开发，致力于提升用户体验并为可穿戴市场的发展贡献力量。　　<产品规格>　　<应用案例>　　SOXAI RING 2 应用案例页面　　“SOXAI RING”是日本国内唯一能够准确采集并分析睡眠数据的睡眠管理智能戒指。该戒指中搭载了光学生命体征传感器、温度传感器、加速度传感器、Bluetooth® Low Energy通信功能、NFC无线充电功能等先进技术。新推出的“SOXAI RING 2”智能戒指，通过搭载自主研发的光电容积脉搏波(PPG)传感器“Deep Sensing™”(深度监测技术)，大大提高了检测精度，能够在更深层面将身体状态的变化可视化。Bluetooth®是美国Bluetooth SIG, Inc.的注册商标。Deep Sensing™是SOXAI. Inc的商标或注册商标。　　<应用示例>　　・智能戒指　　・智能手环　　・智能笔　　・无线耳机　　・其他(可穿戴设备等小型电子设备)　　<术语解说>　　*1)Qi标准　　无线充电联盟制定的无线充电国际标准。是智能手机无线充电所采用的技术。　　*2)NFC Forum　　非接触式近场通信的国际标准化组织。对采用了13.56MHz高频段近场无线通信标准“Near Field Communication(NFC)” 的通信和供电方式进行了标准化规范。　　<照片>

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发布时间：2026-03-18 10:19 阅读量：516 继续阅读>>

一芯双擎，通信无界：维安一线通<span style='color:red'>芯片</span>重磅发布

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一芯双擎，通信无界：维安一线通芯片重磅发布

　　新国标持续深化推进，电动两轮车电子系统正朝着高智能化、高集成化方向快速演进。　　仪表、控制器、BMS、电池系统等核心模块的通信交互需求激增，系统架构愈发复杂，对通信的可靠性、抗干扰能力也提出了更高要求。　　在此行业趋势下，一线通信技术成为两轮车电子系统通信方案的优选。相较于传统多线通信，一线通信具有明显优势：大幅简化线束结构、降低整车研发与制造成本;有效提升系统抗干扰能力与一致性;更易适配新国标规范要求。　　顺应整车控制系统向高集成度升级的趋势，打破传统"分立 MCU + 外挂通信器件"的架构局限，维安立足两轮车实际应用场景深度研发，推出新一代一线通信控制芯片WHA2531。　　芯片内部集成一线通信模块(SIF)，在保障通信稳定性的基础上，实现系统架构优化、外围器件精简、整车线束减少的多重升级，为两轮车电子系统集成提供核心芯方案。　　核心SIF模块，解锁一线通信超强性能　　维安WHA2531芯片的核心竞争力，源于其内置的高性能 SIF 模块，该模块针对两轮车通信场景量身打造，兼具高兼容性、高可靠性与低功耗特性，核心优势一览：　　输入输出支持TTL电平2　　单线通信架构　　SBUS端口支持48mA限流保护　　SBUS端口支持耐压最高可达±60V　　通过SBUS端口上拉配置，　　支持多种通信电压(如12V、24V等)　　通信速率可达300kHz　　SBUS端口支持禁能模式下接入检测，　　禁能模式下功耗为nA级　　SIF模块核心性能指标　　系统框图　　相较于传统分立通信方案，维安集成 SIF 模块的芯片方案：　　不仅能显著减少外围器件数量，降低 BOM 成本与 PCB 板占用面积。更能缩短关键控制与检测信号的传输路径，大幅提升系统响应速度与抗干扰能力。芯片内部模块采用片内高速互联设计，规避了外部走线带来的寄生参数与 EMI 风险，让系统稳定性与一致性实现质的提升。合封架构更利于优化功耗管理与资源调度，进一步提高整车能效。　　下图给出了典型双线通信接法和单线通信接法的对比图，这种优势是显而易见的，可以节省一部分线材数量。　　电动二轮车全场景适配，两大芯片方案满足多元需求　　维安围绕两轮车一线通信应用场景，构建了完整的产品布局，推出带 MCU 功能的集成式一线通信控制芯片 WHA2531与独立单线通信芯片 WSIF6015S，灵活适配不同客户的 MCU 平台与开发需求，实现全场景覆盖。　　集成式方案：WHA2531，一芯集成 MCU+SIF　　0WHA2531 是集 MCU 与 SIF 一线通信模块于一体的集成式芯片，专为希望实现系统高度集成、简化整体架构的客户打造，可直接替代传统 “分立 MCU + 外挂通信器件” 方案，广泛应用于电动两轮车整车系统，实现仪表盘、电机控制器、电池组等核心模块的高效互联，让整车通信更简洁、更稳定。　　独立式方案：WSIF6015S，即插即用快速升级　　针对已拥有成熟 MCU 平台，仅需为现有系统增加一线通信能力的客户，维安同步推出独立单线通信芯片WSIF6015S。该芯片与 WHA2531 系列的 SIF 模块拥有完全一致的核心特性与性能指标，采用即插即用的设计思路，可快速接入客户现有 MCU 平台，无需大幅调整原有系统架构。　　硬件连接完成后，结合维安提供的专业应用指导，客户可快速跑通通信链路，显著缩短开发与调试周期，是现有系统快速升级一线通信功能的高效、可控之选。　　WSIF6015S应用框图：　　全流程方案支持，助力客户快速量产　　在新国标背景下，电子系统的稳定性、集成度与成本控制能力，已成为整车厂与控制器厂商打造核心竞争力的关键。维安不仅在芯片产品上持续创新，更在方案支持上同步跟进，为客户提供从芯片到应用的全流程服务：　　1、采用 WHA2531 集成式芯片　　提供完整参考程序及应用方案支持，涵盖通信协议配置、专业调试指导、实际应用示例等全维度内容，助力客户快速完成系统导入。　　2、采用 WSIF6015S 独立芯片　　提供详细硬件接入指导与通信链路调试支持，确保产品快速落地。　　从芯片研发到方案设计，维安全力缩短客户开发周期，让项目推进更顺畅，以专业的技术支持为客户量产保驾护航。

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维安

发布时间：2026-03-16 11:49 阅读量：348 继续阅读>>

芯力特SIT1044GQ通过<span style='color:red'>芯片</span>级IBEE/FTZ Zwickau和系统最高等级EMC测试认证

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芯力特SIT1044GQ通过芯片级IBEE/FTZ Zwickau和系统最高等级EMC测试认证

　　在汽车智能化、电动化加速推进的当下，CAN总线作为整车电子系统的 “神经网络”，数据传输稳定性直接关乎行车安全。芯力特作为国内首家同时拥有CAN、LIN收发器芯片的模拟IC厂商，是国内CAN/LIN接口细分领域产品系列最齐全、出货量最大、产品最成熟的IC设计公司。全新推出汽车级CAN FD收发器SIT1044GQ，凭借出色抗干扰设计，符合IEC62228-3国际标准与德国大众VW80121-3标准规范认证，为全球车企提供高可靠、高性能解决方案。　　全流程国产化供应链+双标准(IEC、VW)认证　　SIT1044GQ是具有待机模式的CAN FD收发器。该产品设计、晶圆制造、封装、测试流程均实现全国化，切实保障国内外客户的持续稳定供应。　　随着汽车智能化、电动化升级，整车电子模块数量激增，电磁环境愈发复杂，对核心器件的EMC性能要求更为严苛。SIT1044GQ凭借卓越的芯片设计，全面通过了IBEE/FTZ-Zwickau测试认证，符合IEC62228-3和VW80121-3各项标准规范。涵盖四大核心测试维度，全面覆盖车载场景电磁辐射风险，在抗干扰功率、瞬态防护，ESD防护等关键指标上设置更高阈值，充分验证芯片在复杂车载环境中的稳定性。　　EMC最高标准等级 = 降本增效　　芯力特SIT1044GQ即使在总线无共模电感滤波的情况下，DUT的整体EMC依然能达到标准要求的最高等级。大电流注入(BCI)抗扰度测试满足标准最高要求全频段200mA通信无错误帧;RE/CE根据CISPR25测试满足class5(标准最高等级)限值要求;7637-2/3测试满足level IV(标准最高等级)要求;静电测试在ISO 10605标准下可以通过主机厂的最高放电要求(接触放电±15kV、空气±25kV)。SIT1044GQ卓越的性能表现可帮助用户减少系统外围电路，降低成本，提升系统鲁棒性。　　搭配SIT1044GQ的DUT在总线无共模电感滤波的情况下系统级EMC表现如下表：　　搭配SIT1044GQ的DUT在总线无共模电感滤波的情况下按照ISO 10605标准的静电测试如下表：　　封装　　　选型　　SOP8编带式包装为2500颗/盘，DFN3*3-8编带式包装为6000颗/盘。

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芯力特

发布时间：2026-03-10 09:32 阅读量：323 继续阅读>>

科技部长阴和俊：<span style='color:red'>芯片</span>攻关取得新突破！

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科技部长阴和俊：芯片攻关取得新突破！

　　3月5日上午，十四届全国人大四次会议首场“部长通道”集中采访活动在人民大会堂北大厅举行，邀请科技部、工信部、国务院国资委主要负责人接受采访。　　这是科学技术部部长阴和俊接受媒体采访。图源：新华社　　科技部部长阴和俊表示，我国科技事业快速发展，科技实力跃上新台阶，创新指数排名上升至全球第10。2025年，全社会研发投入超过3.92万亿元，强度达到2.8%。基础研究投入接近2800亿元，占比达7.08%，首次破7，创历史新高。　　阴和俊说：“人形机器人是大放异彩，在春节晚会上，从去年的扭秧歌、转手绢到今年的翻跟头、演小品，十八般武艺竞相展示。开源大模型领跑全球，芯片攻关取得新突破，创新药迅猛地发展。”

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发布时间：2026-03-09 17:03 阅读量：373 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments

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