维安 SiCMOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

Release time：2024-11-19
author：AMEYA360
source：维安
reading：1676

　　在半导体领域的核心前沿阵地，碳化硅(SiC)技术凭借其卓越非凡的性能表现与巨大的发展潜力，已然成为推动整个行业阔步向前的关键驱动力。SiC是第三代半导体产业发展的重要基础材料，其具有耐高压、耐高频与耐高温等多方面的优势。

　　维安拥有行业前沿的SiC创新技术，目前SiCMOS产品电压涵盖650V~1700V，电阻涵盖10mΩ~720mΩ，并且有TO-247、TO-247-4L(ISO)、TOLL、TO-263-7L等封装来满足不同的应用需求。同时维安也在积极升级、研发更多的 SiC 产品以顺应高压化、大电流化发展趋势。

维安 SiCMOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

　　图1：WAYON SiCMOS 产品Roadmap

维安 SiCMOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

　　图2：WAYON SiCMOS 封装示意图


维安 SiCMOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

　　应用领域

　　直流充电桩

　　直流充电桩中电源模块是其核心部件，采用SiC 基功率器件可有效减少芯片数量并降低系统成本，同时实现更高开关频率、更高功率密度以及超小体积的目标。

　　维安目前在1200V平台新开发的产品WSCM018R120T2C，在18V驱动电压下，Rdson仅为18mΩ，适用于60KW的充电桩模块，可减少SiC器件的并联数量，降低开发难度。

　　光伏逆变器与储能

　　光储逆变器往大功率方向发展，SiC是提升效能的不二之选。其应用于光伏逆变器，功率更大、效率更高、体积更小、成本更低，以及组串式逆变器配置灵活、易于安装。在1100 V的直流系统中通常使用1200V和650V开关，当电压等级提升到1500V，则需要1700V SiC MOSFET开关。

　　目前维安也已在1700V平台上新开发了45 mΩ与80 mΩ的产品，以满足光伏逆变器相关的应用需求。

　　新能源汽车

　　目前市售电动车电压平台正从400V向800V及以上的高电压发展，而高压系统中，SiC MOSFET的性能优于Si IGBT。SiCMOS主要应用于OBC、空调压缩机等场景，采用SiC器件可实现更高开关频率、更小体积、更低损耗与更低系统成本。

　　未来趋势

　　SiC 技术在不断地升级迭代，这将进一步提高其成品率与可靠性，使得SiC器件价格降低，并拥有更加强劲的市场竞争力。SiC器件在汽车、通讯、电网、交通等多个领域蓬勃发展，产品市场将更加宽广，成为半导体产业的新风口。

　　总之， SiC 器件具有广阔的市场前景和应用价值，维安将为SiC技术的发展全力以赴，推出性能更加杰出的产品!

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直击PCIM Europe 2026｜维安产品方案全揭秘
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直击PCIM Europe 2026｜维安产品方案全揭秘

　　前言　　作为全球最大的功率半导体展会， PCIM Europe 2026 (德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会)于当地时间6月9日至11日在德国纽伦堡展览中心拉开帷幕。本届展会覆盖从半导体材料到能源管理系统的全链条，聚焦行业对功率密度和信号频率的升级需求。　　维安(WAYON)如约登陆德国纽伦堡参展，携电路保护&功率控制两大板块全系列产品及解决方案亮相。其中，多款产品及配套方案紧贴AI应用需求，专为AI服务器、数据中心等基础设施提供高可靠支持，携手全球伙伴共拓算力产业新机遇。　　1　　两大产品板块，　　深度适配算力、储能、　　工业与汽车场景　　本次展会，维安集中展示迭代升级的核心产品，产品具备小型化、高可靠、低损耗等特性，可全面满足终端设备在系统保护和高功率密度等方面的严苛需求。　　电路保护　　精准分级防护，　　为终端设备构筑安全基石　　车规级直流电机保护器件(GP/LA/LP型)、TVS、ESD、PPTC、E-Fuse、智能熔断器等系列产品，具备过压保护、过流保护、短路保护、浪涌抑制、故障自恢复及精准熔断等核心防护能力，可广泛为汽车、数据中心、供配电系统及储能系统构建从端口到核心电路的全方面安全屏障。　　功率控制　　高功率密度设计，升级效率上限;　　集成化创新，赋能系统价值跃升　　涵盖 C4 代超结 MOSFET、超薄高功率密度 MOSFET、1000V 超高压 MOSFET，依托先进工艺实现高耐压、低内阻、高功率密度，充分满足大功率供电设备的高效运行需求，有效提升整机能效。混合信号IC产品同步展出，支持灵活定制化开发服务。智能保护IC、电源管理IC、信号链IC等产品，以高集成、低功耗、强抗干扰等特性，适配各类供配电系统及智能监控模块，兼顾标准化应用与深度定制需求。　　2　　聚焦 AI & 数据中心定制化解决方案　　面向 AI 产业与大型数据中心，我们推出整套电力电子配套方案：　　数据中心供电　　器件组合满足机房大功率、7×24 小时连续运行需求，低能耗、强稳定。　　AI 服务器 & 算力设备　　采用小型化高性能产品，适配高密度算力硬件，助力设备高效运行。　　机房智能管控　　电源+信号管理芯片，助力机房配电、监控系统智能化升级。　　AI服务器典型结构　　3　　相约纽伦堡，共启合作新篇　　PCIM Europe是连接全球功率电子产业的核心桥梁，也是国产自主产品走向世界的重要窗口。展会期间，维安(WAYON)展台吸引了众多海内外专业观众驻足交流。大家尤其关注我们面向三大领域的整体配套方案。　　在AI领域，小型化器件在高密度算力场景下的散热与效率表现、7x24小时连续运行的可靠性验证数据;在新能源领域，光伏逆变、储能系统中功率转换效率与长期稳定性;在汽车电子领域，车规级产品耐高温、抗震动性及功能安全认证进展…现场技术团队与来访客户面对面探讨了实际应用痛点，分享国产化创新经验，并就功率电子的高频化、集成化、车规级趋势交换了看法。　　未来，维安(WAYON)将继续以技术创新为驱动，依托稳定可靠的交付能力、持续迭代的产品与定制化服务，携手全球行业同仁，共探功率电子趋势，对接多元化合作需求，持续为全球客户创造价值。
2026-06-12 09:55 reading：242
低失调、高增益、宽共模：维安WA3199电流传感放大器，让分流电阻两端微弱信号“一览无余”
行业新闻

低失调、高增益、宽共模：维安WA3199电流传感放大器，让分流电阻两端微弱信号“一览无余”

　　电流传感放大器(也称电流检测放大器)，是一种专门用于精准测量电路中电流的芯片。它就像一个嵌入电路里的“高精度电流表”，相比普通电流表，体积更小、抗干扰能力更强，并能直接与MCU(微控制器)联动，轻松适应工业、汽车等复杂应用场景。　　简单来说，它的核心作用是：将“分流电阻”两端产生的微小电压信号(通常只有几毫伏甚至微伏)，放大成MCU可以识别的标准电压信号，再通过计算反推出电流大小。　　维安 WA3199 电流传感放大器 ，可以精准捕捉电流变化，让电源管理更安心!　　产品特点　　维安 WA3199系列 采用零漂移架构设计，内部集成了精确匹配的反馈电阻，可精准感应分流电阻器上的压降。支持高边或低边配置下的双向电流检测，且不受电源电压限制。　　高精度　　零漂移架构设计，最大增益误差仅±1.5%，偏移电压低至±100µV，温漂低至0.5µV/℃，微弱电流也能精准捕捉;　　增益可选　　提供50V/V、100V/V固定增益版本，适配不同分流电阻方案;　　低功耗　　静态电流典型值仅65µA;　　双向检测　　支持正向/反向电流测量，无需额外电路，简化电池充放电监测设计;　　高可靠性　　ESD防护能力高于HBM 4kV;　　工作原理　　维安 WA3199 系列 用于测量分流电阻上的微小电压信号，通过内部反馈电阻设定的增益对其进行精确放大，便于后级电路进行信号处理。通过REF引脚可配置器件的输出电压，从而实现单向或双向的电流检测。　　封装形式　　　产品应用　　维安WA3199典型应用电路　　电池管理系统(BMS)应用　　蓝牙耳机充电舱应用　　手机电池应用　　维安电流传感放大器—WA3199，凭借零漂移技术突破精度与功耗的平衡难题，成为工业与消费电子领域的优选方案!
2026-05-21 09:51 reading：531
维安（WAYON）首秀CIBF 2026：电路保护+功率控制双轮驱动，覆盖1至24串电池全场景
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维安（WAYON）首秀CIBF 2026：电路保护+功率控制双轮驱动，覆盖1至24串电池全场景

　　深圳，2026年5月13日。备受全球瞩目的第十八届深圳国际电池技术交流会/展览会 CIBF (China International Battery Fair)在深圳国际会展中心盛大开幕。作为全球电池产业风向标，CIBF展会自1992年创办以来已成功举办十七届。本届展会以” 链动全球.赋能绿色.驱动未来”为主题，重点展示固态电池、钠离子电池等前沿技术，并特别增设“新能源系统与智慧储能专区”及“电池回收与可持续发展专区”，全面呈现电池产业链的技术突破与绿色转型。　　当电池技术迈向”新质生产力“之际，安全与功率控制成为产业跃迁的关键基石。电池系统的电压平台决定了串数需求，不同应用对保护与控制的要求差异显著。 维安(WAYON)此次展示的产品和方案，实现了从单串锂电到24串多串电池的完整覆盖。　　01　　CIBF2026　　两大产品板块：　　功率控制+电路保护　　电路保护板块：展示PPTC、CPTC、SCF、精密电阻、TVS、锂保护IC等全系列保护产品，这些元件协同工作，在电池充电、放电、均衡等关键环节提供精准监测与快速切断保护，具备过压、过流、过温、短路等多重防护能力，为电池系统构筑从电芯到PACK的全方位兜底防线。　　功率控制板块：展示中低压MOSFET、高压MOSFET、LDO、CAN收发器、MCU等全系列产品，覆盖BMS、DC-DC转换、电池状态检测、通信等核心功率路径，从功率到控制，全链路覆盖。　　02　　CIBF2026　　维安特色产品亮点：　　全串距覆盖，　　精准匹配不同终端需求　　展台现场，维安按电池串数清晰划分了应用矩阵：　　1-4串专区：主打超低功耗MOSFET、小封装PPTC和SCF产品，助力PC、手机锂电、充电宝、TWS耳机、电动牙刷等手持及穿戴设备更长续航、更小体积。　　4-6串专区：聚焦高功率密度MOSFET+大电流SCF，损耗更低，让电动工具在严苛工况下依旧稳定。　　6-24串专区：主攻大型户外储能电源及两轮/三轮电动车，高耐压SCF适配高压大容量系统，搭配大电流TOLL封装MOSFET，破解高压电池安全与效率难题。　　03　　CIBF2026　　方案全景呈现：　　你的需求全都有!　　在终端方案应用方展区，维安系统展示了覆盖充电宝、手机锂电、家庭储能、电动两轮车四大领域的整体解决方案。从过压/过流保护器件到功率MOSFET、MCU、锂保IC，维安携完整产品矩阵及对应料号亮相，为不同行业的电池管理提供了“即选即用”的选型地图。　　在与客户的现场交流中，维安展示了如何将PPTC、SCF、MOSFET、锂保IC、MCU等核心产品，与电池系统的实际应用模式相结合，从而实现从“事后切断”到“事前预测、事中干预”的主动安全架构。多家客户对此表示认同，并分享了在终端应用中遇到的真实痛点，双方就参数匹配、系统集成等具体问题交换观点。　　从单串到24串，从消费电子到绿色储能，此次展会既是维安技术积累的一次集中检阅，更是一个新的起点。在锂电池渗透进每一个用电终端的时代，维安坚信：没有安全高效的电池，就没有可靠的能源未来。　　下一步，维安将持续深耕电池保护领域，用更完整的方案，陪伴终端客户从每一块小电池，走向大能源。
2026-05-15 10:25 reading：795
维安双面散热MOSFET：大功率应用首选
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维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　随着智能硬件产品快速迭代，MOSFET 小型化、高功率密度、低功耗已成为核心发展趋势。　　新能源汽车与 AI 服务器的爆发式增长，进一步推动了各类新型PowerPack 一体化功率模块的快速发展。30V–100V 低压大功率 MOSFET应用需求持续旺盛，功率和散热成为一大难点。　　维安推出 双面散热 MOSFET ，通过封装创新进一步优化散热性能，推动器件整体方案升级。　　双面散热与顶部散热：　　1.两种散热方式在散热器端都需要进行绝缘处理。　　2.双面散热的冷却效果最好。　　3.顶部散热冷却效果次之，但背部可以放置元器件。　　传统PDFN56使用底部散热时，MOSFET 产生的大部分热量只会传递到 PCB，由于其热阻大，因此 PCB 温度会升高。　　PDFN56双面散热DSC增加了另一条散热路径(底部通过 PCB 散热，顶部通过外露铜夹片和散热片散热)，以快速消散 MOSFET 芯片中产生的热量，通过热仿真得出，约有 30% 的热量通过顶部传递，而传递到 PCB 的热量明显减少。　　双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力：　　1.Rthjc_Bottom 改善10%　　2.Rthjc_Top 改善将近 23%　　3.Rthja 改善将近3.5倍　　空气自然对流(顶部无散热片)器件温升对比：　　*在顶部无散热片的情况下，采用PDFN56双面散热较传统的PDFN56底部散热，至少可以降低近9℃。　　顶部加散热片器件温升对比：　　* 顶部增加散热片，用热电偶测量散热片贴合器件顶部的位置，此时将器件和散热片视为一个系统，整体的温升用来和顶部无散热片进行对比分析，具体分析数据如下：　　*采用PDFN56双面散热，可以将大于30%的热量通过顶部散热片传导出去，较传统的PDFN56底部散热的热传导提升了近28%，可以更好的保障器件温度平衡，提升可靠性及稳定性。　　1/ 双面散热　　2/ 顶部散热　　产品特点　　WAYON 双面散热MOSFET　　卓越的品质因数(FOMs)　　业界领先低导通电阻　　高可靠性、高品质　　先进的厚铜clip技术　　封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060　　热性能改善将近3.5倍　　典型应用　　WAYON 双面散热MOSFET　　BMS　　高性能开关电源DC转换与整流　　机器人关节电机驱动　　无人机电调　　成功案例　　典型应用AGV(电机驱动器)　　型号：WMBD030N10HG4　　项目背景　　一、系统电压48V，充饱和电压60V，考虑到反电动势，客户要求选用100V产品;由于最大相电流52A，堵转电流为最大电流1.3倍;　　二、MOS测试条件：考虑到电机堵转(类似举重物达到最大扭矩，速度最低的时候)，MOS需要在这个条件下持续2秒时间不失效。　　项目结果　　在新一代机型上，所开发的双面散热产品WMBD030N10HG4，客户已测试OK，开始批量应用。
2026-04-21 10:26 reading：676
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