罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026

发布时间:2026-06-18 14:38
作者:AMEYA360
来源:罗姆
阅读量:240

  中国上海,2026年6月18日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,将于7月1日~3日参加2026慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)。届时,罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位,集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案,以及丰富的应用案例。

罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026

  当前,AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高 可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域,电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重 挑战;在汽车电子领域,智能座舱、ADAS和车载高速通信对电源管理与信号传输提出了更高要求;在工业设备领域,小型化、高效率和稳定运行同样成为电源系统升级的重要方向。

  面对这些产业趋势,罗姆依托功率半导体和模拟半导体领域的技术积累,不仅提供丰富的硅功率元器 件,还持续推进SiC、GaN等宽禁带半导体产品布局,为AI服务器、汽车电子和工业设备等应用提供高效率、 高可靠性的产品支持。

  在本次electronica Shanghai 2026上,罗姆将设立AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区,通过展示以下产品和解决方案,全方位呈现在半导体领域的综合技术实力。

AI服务器:面向下一代数据中心电源架构提供高效支持

  下一代AI服务器的配置

  涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。

  适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

  采用8mm×8mm小型封装,兼具更宽SOA范围和更低导通电阻,可满足AI服务器电源热插拔电路对可

  靠性和低损耗的要求,并已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。

  第5代SiC MOSFET

  采用优化的器件结构与制造工艺,在高温(Tj=175℃)下,导通电阻比第4代降低约30%,适用于xEV2 / 2

  牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用,计划2026年7月起提供样品。

  具备业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

  实现业界超低开关损耗和10µsec超高短路耐受能力,助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等应用提升效率与可靠性。

车载应用:助力智能座舱与ADAS系统发展

  面向SoC的PMIC

  罗姆与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计。该参考设计配备罗姆的PMIC,符合ISO 26262及

  ASIL-B功能安全等级,可为中高端智能座舱系统提供稳定、高效的电源管理支持。

  用于汽车多屏显示器的SerDes IC

  支持成对双向高速长距离通信,适用于车载信息娱乐系统和ADAS的高速通信需求。

  搭载SiC模块的三相逆变器参考设计

  覆盖5kW~100kW输出功率,提供完整设计数据,可大幅缩减实际设备评估周期。

工业设备:以GaN与AC/DC转换器推动高效电源升级

  650V 耐压GaN HEMT

  罗姆的EcoGaN™系列产品——650V耐压GaN HEMT,已被应用于AI服务器电源等领域,推动工业设 备更广泛领域的电源小型化和效率提升。

  AC/DC用PWM方式DC/DC转换器

  面向各类带AC输入接口的工业设备提供可靠的电源解决方案,支持绝缘/非绝缘设计,可帮助客户轻松实现低功耗、高效率、低EMI的电源设计。

  此外,罗姆还将设立应用案例展区,集中展示先进产品在实际场景中的应用成果,通过系统化的方案演示,让观众更直观地了解罗姆技术从器件到系统的落地价值。

  【展会信息】

  时 间 :2026年7月1日(周三)~3日(周五)09:00~17:00 (3日观众开放时间截止到16:00)

  会 场 :上海新国际博览中心N4馆

  展位号: N4馆500号

  地 址 :上海市浦东新区龙阳路2345号

  <关于electronica Shanghai 2026(慕尼黑上海电子展)>

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罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026


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